XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense?;ば酒?nbsp; 、4串锂电池?;ば酒樯?XBM5574级联功能/集成均衡/NTC/Sense保护芯片功能基本?;すδ埽憾粤浇诮诖稍俪涞顼胱?锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行?;?,同时具备电池反接?;すδ埽庑┕δ芏杂陲绯氐陌踩褂眉渲匾?。过电流保护阈值调节:4串锂电池的?;ば酒缏返墓缌鞅;ゃ兄涤煽豈OS管决定,如果觉得该阈值较小,可以将多个开关MOS管进行并联操作,以增大过流电流,将两节锂电池?;ば酒缏泛土浇陲绯氐某涞绲缏妨釉谝黄?,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。南京XBM3204DBA赛芯内置MOS 两节锂保
PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电?;た梢灾苯硬⒘?,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电?;C都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。 广州DS6066赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保多串锂保应用注意事项布局。
XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级?;ば酒ü觳獾绯匕忻恳唤诘缧镜牡缪梗绯匕峁┕涞绫;ず凸疟;?。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。?;ぱ邮蹦谥每裳。嚎筛莶煌τ贸【把≡窈鲜实谋;ぱ邮?。内置断线?;すδ埽裳。涸黾恿说绯厥褂玫陌踩?。输出方式可?。河蠧MOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可?。憾涑鯤、动态输出。
XBM5244 用于3-4串锂电池的保护芯片,芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路,支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能,具备25mV过充电检测精度,3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16 概述锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点,在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言,过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常,影响电池使用寿命。因此,多串锂电池需要?;C来监控和保护电池,避免出现危险状况3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.
XBM2138内置MOS内置均衡器高精度电压检测电路和延时电路,用于2节串联锂离子/锂聚合物可再充电电池的?;?。适合对2节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行?;ぁ8餮映偈奔溆赡诓康缏飞柚茫ú恍柰饨拥缛荩?,连接充电器的端子采用高耐压设计(CS端子和OC端子,***额定值是33V),还具备向0V电池充电功能,可选择允许或禁止。内置MOS在高负载时可能发热,需优化PCB散热(如增加铜箔面积) 内置MOS,集成均衡功能多节锂电?;ば酒?三元/磷酸铁锂)XBM5244 均衡,推挽,充电过流检测.3-4串XBM4X30 开漏,次级保护。珠海XBM3214DGB赛芯代理
移动电源soc芯片DS5136B+MPP无线充 (QI2.0)22.5W 单串移动电源+无线充.南京XBM3204DBA赛芯内置MOS 两节锂保
XBM2138QFA 两串锂电池保护芯片介绍 35W以内 XBM2138QFA 2串锂保集成MOS 内置均衡 :对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护,同时具备电池反接?;すδ?,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流?;ゃ兄档鹘冢罕;ば酒δ芑颈;すδ埽憾粤浇诮诖稍俪涞顼胱?锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行?;?,同时具备电池反接保护功能,这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流?;ゃ兄档鹘?,可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路,锂电池就可以实现边充边放的功能南京XBM3204DBA赛芯内置MOS 两节锂保