晶闸管可分为单向晶闸管和双向晶闸管两种。它们在电子电路中可以作为电子开关使用，用来控制负载的通断；可以用来调节交流电压，从而实现调光、调速、调温。另外，单向晶闸管还可以用于整流。
晶闸管在日常中用的很广，像家里用的声控灯，一般采用BT169、MCR100-6这类小功率单向晶闸管作为电子开关驱动灯泡工作。在白炽灯泡无级调光或电风扇无级调速电路中，常用BT136这类大功率的双向晶闸管来实现调光或调速。
场效应管属于单极型半导体器件，其可以分为结型场效应管和MOS场效应管两种，每种类型的场效应管又有P沟道和N沟道之分。场效应管在电子电路中既可以作为放大器件用来放大信号，又可以作为开关器件用来控制负载的通断，故场效应管的用途比晶闸管更广一些。在功放电路中，采用VMOS场效应管作为功率放大元件，可以提高音质。在开关电路中，驱动电机等大电流负载时，选用MOS场效应管作为电子开关，可以减轻前级驱动电路的负担（若选用晶闸管的话，需要从前级电路汲取较大的驱动电流）。 场效应管的开关速度较快。江苏加强型场效应管参数

场效应管的分类方式有多种。按导电沟道的类型可分为N沟道和P沟道场效应管。N沟道场效应管在栅极电压为正时导通，而P沟道场效应管则在栅极电压为负时导通。此外，还可以根据场效应管的结构分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。结型场效应管的栅极与沟道之间通过PN结连接，而绝缘栅型场效应管的栅极与沟道之间则由绝缘层隔开。不同类型的场效应管在性能和应用上各有特点，工程师们可以根据具体的电路需求选择合适的场效应管。在放大电路中，场效应管表现出了出色的性能。由于其高输入阻抗，对输入信号的影响很小，可以有效地减少信号源的负载。同时，场效应管的噪声系数低，能够提供更加清晰的放大信号。在共源极放大电路中，场效应管的栅极作为输入端口，源极接地，漏极作为输出端口。通过调整栅极电压，可以控制漏极电流，从而实现对输入信号的放大。这种放大方式具有较高的电压增益和较低的输出阻抗，适用于各种信号放大应用。P沟耗尽型场效应管作用LED 照明驱动电路中，场效应管通过调节电流来控制 LED 的亮度，实现节能和长寿命的照明效果。

    场效应管是场效应晶体管（FieldEffectTransistor,FET）的简称。它属于电压型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度影响小等，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。普通晶体管（三极管）是一种电流元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。场效应管和三极管一样都能实现信号的和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的。

场效应管的分类多种多样，其中包括结型场效应管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。JFET结构相对简单，但性能方面略逊于MOSFET。MOSFET则凭借其优越的性能，成为了现代电子电路中的主流。例如，在计算机主板的电源电路中，MOSFET被使用，以满足高效能和微型化的需求。此外，增强型和耗尽型MOSFET又各自有着不同的特点和应用场景，进一步丰富了场效应管的应用范围。场效应管在模拟电路和数字电路中都发挥着重要作用。在模拟电路中，它常用于放大器、滤波器等电路中。例如，在音频前置放大器中，场效应管可以提供高增益和低失真的放大效果。而在数字电路中，场效应管作为开关元件，被用于逻辑门、存储器等电路。比如，在计算机的CPU中，大量的MOSFET开关组成了复杂的逻辑电路，实现了高速的数据处理和运算。工业控制领域，场效应管在电机驱动中实现高效电能转换和精确控制。

场效应管MOSFET分类MOSFET分为两大类：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET起到的作用相当于一个开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总 是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电 压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。在模拟电路中，场效应管常被用作放大器，如音频放大器中可实现的声音放大效果。珠海半导体场效应管价格

通信设备中，场效应管用于射频放大器和信号调制解调等电路，确保无线信号的稳定传输和高质量处理。江苏加强型场效应管参数

   MOS场效应半导体三极管双极性三极管是电流控制器件，其输入电阻不够高，在许多场合下不能满足人们的要求，经过不断的探索和实践，人们研制出一种仍具有PN结，但工作机理全然不同的新型半导体器件--场效应管(FET)。

场效应三极管用电场效应来控制电流，故此命名，它的特点是输入阻抗高、噪音低、热稳定性好且抗幅射能力强，在工艺上便于集成，因此得到广的应用根据结构和原理的不同，场效应三极管可分为以下两大类。
①结型场效应三极管(JFET)②绝缘栅型场效应三极管(MOS管)结型场效应管（JFET）以N沟道结型场效应管为例，以一块N型(多子为电子)半导体作基片，在它的两侧各光刻出一块区域，进行高浓度P+扩散(三价的硼)，在两侧形成两个PN结。两个P+区的引出线连在一起，作为一个电极，称之为栅极G。在N型半导体的两端引出两个电极，分别叫源极S和漏极D。3个电极G、S、D的作用，可以近似地认为分别相当于半导体三极管的基极B、射极E和集电极C。
两个PN结之间的区域，称为导电沟道，当在漏极和源极间加上电压，这个区域就是载流子流过的渠道，也就是电流的通道。由于这里的导电通道是N型半导体，所以这种管子叫N沟道结型场效应管. 江苏加强型场效应管参数