图10显示了时域中的DRSS调制剖面，三角形包络瞄准较低的RBW，叠加伪随机序列瞄准较高的RBW。
稳压IC技术专题
图11显示了LM5156-Q1的传导发射性能，LM5156-Q1是一种非同步boost控制器，有无DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz频段以及30至108 MHz频段的频谱峰值***降低，这是CISPR 25汽车标准的两个关键频段。LM5157-Q1非同步boost转换器还具有DRS功能，并实现类似的性能。
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扩频技术适用于非隔离拓扑和隔离拓扑，因为这两种拓扑的EMI源相似，而频率扩展提供了相同的好处。
带集成变压器的UCC12040和UCC12050隔离DC/DC转换器能够通过CISPR 32 B级EMI测试限值，部分原因是内部扩频技术。
真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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新的UCC3808x系列稳压IC基于UCC3808A体系结构。
主要区别包括向CS信号添加可编程斜率补偿斜坡和移除误差放大器。通过外部电阻器流出ISET引脚的电流在内部进行监控，以设置斜率补偿功能的大小。该装置还包括一个从CS引脚到接地的内部放电晶体管，该晶体管在脉冲终止后的每个时钟周期被***。这将在每个周期中释放CS引脚上的任何滤波器电容，并有助于**小化滤波器电容值和电流检测延迟。
UCC38083稳压IC和UCC38084设备稳压IC的典型软启动间隔时间为3.5 ms，而对于不需要内部软启动的应用，UCC38085和UCC38086的软启动间隔时间小于100μs。
减少低频发射的创新-稳压IC技术专题
让我们看看TI在构建其转换器和控制器时使用的一些技术，以解决效率、EMI、尺寸和成本等基本权衡问题。
扩频-稳压IC技术专题
扩频利用能量守恒原理，通过在多个频率上传播能量来减少EMI峰值。然而，峰值敏感电路“看到”的能量可能不会减少；这取决于敏感电路的带宽与方法之间的关系频率调制。测量EMI时，频谱分析仪充当敏感电路，行业标准设置分辨率
带宽（RBW）。因此，以***的方式对目标标准进行频率调制非常重要。一般的经验法则是，调制频率fm大约等于目标RBW，扩展带宽ΔfC约为±5%至±10%。
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升压稳压器-稳压IC
将输入电压高效转换到更高的输出电压
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我们品类丰富的升压稳压器产品系列包括同步和非同步器件，这些器件能够以高达 96% 的效率满足从几毫安到 100A 等各种应用的需求。我们的产品具有有助于延长电池寿命的低静态电流 (IQ)、实现小尺寸的高功率密度和实现低 EMI 的展频技术等关键特性。您可以找到升压、SEPIC 和反激式解决方案。
按类别分类:
升压控制器（外部开关）
升压转换器（集成开关）
升压模块（集成电感器）
按类型选择
控制器
我们提供灵活的同步和非同步升压控制器以支持更高的功率级别。
我们的低功耗升压转换器可满足您对小尺寸解决方案、低系统成本和高功率密度的需求。
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TI稳压IC的EMI不再是事后诸葛亮，因为它有可能在设计阶段后期造成重大挫折，这将耗费时间和金钱。
开关电源（SMPS）是现代技术中**普遍的电路之一，在大多数应用中，它比线性稳压器的效率有了极大的提高。
但这种效率是有代价的，因为开关电源中的功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关使其
是电磁干扰的主要来源，而电磁干扰反过来又会影响可靠性。EMI主要来自不连续的输入电流、开关节点上的快速转换率、，
以及功率环路中寄生电感引起的沿开关边缘的附加振铃。
下页的图1说明了这些元素中的每一个如何使用buck转换器拓扑在不同的频带中表现出来。
例如。随着压力的增加，增加开关频率以减小尺寸和成本，并增加转换率以提高
效率、电磁干扰问题加剧。因此，有必要结合具有成本效益且易于集成的EMI缓解技术不要影响电源设计。
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