TI的大型非**投资组合-稳压IC:
直流/直流负载点解决方案解决了规模、效率、性能或成本问题约束条件。我们的解决方案范围从分立器件到集成电源解决方案，集成电路封装中包含磁性。由于工作电压高达100V，TI的宽VIN产品组合消除了输入?；ぷ榧越档统杀竞徒饩龇桨赋叽纭＝笛故紻C/DC转换器-集成MOSFET技术-稳压IC在过去几年中达到了较高的密度，以在较小的封装中提供更高的效率。
TI的DC/DC转换器提供了许多高达30A的引人注目的解决方案。
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TI稳压IC-减少高频发射的创新
到目前为止，我们描述的EMI缓解技术通?；峒跎俚推捣⑸洌?lt;30 MHz），相应减少所需的无源滤波量以及相关的尺寸、体积和成本效益。现在，让我们看看设计用于缓解高频发射（>30 MHz）的技术。
火棒? 包裹
减少高频发射的主要方法之一是非常小化功率回路电感。TI的降压转换器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
从键合线封装到基于引线框架的倒装芯片（热棒）封装，有助于降低功率回路电感，进而减少开关节点振铃。
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结论
电子技术的快速发展给功率转换器的设计带来了巨大的压力，因为复杂的系统被塞进了越来越小的空间。敏感系统的接近性使得抑制EMI具有挑战性。在设计功率转换器时，必须格外小心，以符合标准机构规定的限制，以确保关键系统能够在噪声环境中安全运行。
低EMI设计可以节省大量开发周期时间，同时还可以减少电路板面积和解决方案成本。TI提供多种功能和技术来缓解EMI，如扩频、有源EMI滤波、抵消绕组、封装创新、集成输入旁路电容器和真正的转换速率控制方法。
集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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低噪音和精度-TI稳压IC发展趋势
增强电源和信号完整性，以提高系统级保护和准确性。
为了比较大限度地提高系统性能和可靠性，监控、调节和处理电源链中信号的能力至关重要。高精度系统需要精确的低噪声基准，以及低噪声和纹波的供电轨。TI使用**工艺组件和先进的电路和测试技术，以提高精度并将失真降至比较低。
减少和缓解IC错误源
?利用TI高度优化的低噪声互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，减少工艺的非理想性。
?利用先进的电路和测试技术减少工艺非理想性的影响。
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低静态电流（IQ）-稳压IC趋势知识
在不影响电池操作系统的系统性能的情况下延长电池和保质期，在空载或轻载条件下实现高效率需要电源解决方案在保持**电源电流的同时严格调节输出。
凭借TI的**智商技术和产品组合，您可以比较大限度地延长电池运行时间，并在下一次设计中实现低功耗。
低待机功率
?使用**泄漏组件和新型控制拓扑延长电池运行时间
快速响应时间
?通过快速唤醒电路和自适应偏置增强系统功能，以提高动态响应时间，同时保持**静态功耗
小外形尺寸
?应用程序支持模具和封装尺寸，无需通过TI的**电路技术，降低静态功耗。
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