工作原理·反向工作状态(K端接正、A端接负)·正向工作状态(A端接正、K端接负)D阻断区:此时器件两端所加电压低于击穿电压，J1正偏，J2为反偏，电流很小，起了阻挡电流的作用，外加电压几乎都加在了J2上。2雪崩区:当外加电压上升接近J2结的雪崩击穿电压时，反偏J2结空间电荷区宽度扩展的同时，结区内电场**增强，从而引起倍增效应加强。于是，通过J2结的电流突然增大，并使流过器件的电流也增大，这就是电压增加，电流急剧增加的雪崩区。3负阻区:当外加电压增加到大于VBO时，由于雪崩倍增效应而产生了大量的电子空穴对，此时这些载流子在强场的作用下，电子进入n2区，空穴进入p1区，由于不能很快复合而分别堆积起来，使J2空间电荷区变窄。由此使p1区电位升高、n2区电位下降，起了抵消外电压的作用。随着J2结区电场的减弱，降落在J2结上的外电压将下降，雪崩效应也随之减弱。品质，信赖之选，深圳市凯轩业科技有限公司，气体放电管。四川什么是半导体放电管

气体放电学原理1.碰撞，激发与电离1)碰撞分为弹性碰撞与非弹性碰撞，弹性碰撞只改变电子及分子的运动方向，非弹性碰撞则引起原子的激发与电离2)潘宁效应:PenningEffectA，B分别为不同种类的原子，而且，原子A的激发电位大于原子B的电离电位，当受激原子A与基态原子B碰撞后，使基态原子B电离，受激原子A的能级降低或变为基态原子A，这种过程称为潘宁碰撞或潘宁效应。例如:Ne的亚稳态激发电位是16。53V，大于Ar的电离电位15。69V。3)电离前的管内电流电压变化原理(瞬间变化)当电压逐渐增加时，电流逐渐增加:电压增加到一定程度时，开始有原子被激发，电子能量被转移，此时电流反而减小;当电压继续增加时，电子能量继续增加，电流再次增大。4)激发与电离规则有效碰撞面积越大，激发与电离的几率越大电子的运动速度越大，激发与电离的几率越大;但电子速度到一定程度时，来不及与原子发生能量转移，激发与电离的几率反而减小。当电子速度非常大时，激发与电离的几率再次增加。四川什么是半导体放电管气体放电管就选深圳市凯轩业科技，竭诚为您服务。

半导体放电管也称固态放电管是一种PNP元件，当外加电压低于断态电压时，器件处于断开状态;当电压超过它的断态峰值电压时半导体放电管会将瞬态电压制到元件的转折电压内:电压继续增大时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，这时近乎短路;当外加电压恢复正常，电流能很快下降并低于维持电流，元件自动复位并恢复到高阻抗状态3.TSS特性参数D断态电压VRM与漏电流IRM:断态电压VRM表示半导体过压?；て鞑坏纪ǖ淖罡叩缪?，在这个电压下只有很小的漏电流IRM。2击穿电压VBR:通过规定的测试电流IR(一般为1mA)时的电压这是表示半导体过压?；て骺嫉纪ǖ谋曛镜缪?。3转折电压VBO与转折电流IBO:当电压升高达到转折电压VBO(对

半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压?；さ姆段А０氲继宸诺绻苁褂檬笨芍苯涌缃釉诒槐；さ缏妨蕉?。工作原理玻璃放电管的工作原理是气体放电。当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时，两极间的间隙将放电击穿，由原来的高阻抗转化为低阻抗，放电时产生电弧，电弧电压大约为30V，导通后放电管两极之间的电压维持在弧电压值水平。应用选型玻璃放电管(防**)既可以用作电源电路的保护，也可以用作信号电路的?；ぃ患瓤梢杂米鞴材１；ぃ部梢杂米鞑钅１；?。但只能用在浪涌电流不大于3kA的地方。直流击穿电压VS的选择：直流击穿电压VS的最小值应大于可能出现的电源峰值电压或信号电压的1.2倍以上。在有可能出现续流的地方（如电源电路）使用时，必须串联限流电阻或自恢复保险丝，防止玻璃放电管击穿后长时间导通而损坏。深圳市凯轩业科技致力于半导体放电管生产研发设计，竭诚为您服务。

绝缘电阻和极间电容放电管的绝缘电阻值很大，厂家一般给出的是绝缘电阻的初始值，约为数千兆欧。绝缘电阻值的降低会导致漏流的增大，有可能产生噪音干扰。放电管的寄生电容很小，极间电容一般在1pF～5pF范围，极间电容在很宽的频率范围内保持近似不变，同型号放电管的极间电容值分散性很小。二、使用选择直流放电电压的选择：从不影响被?；は低痴Ｔ诵械囊蟪龇?，希望放电管的直流放电电压选得高些。但直流放电电压高的管子，冲击放电电压也高；从被保护电子设备的耐受性来说看，希望管子的直流放电电压选得低一些。所以，放电管的支流放电电压应在这两种相互制约的要求之间进行折衷选择。深圳市凯轩业科技半导体放电管设计值得用户放心。四川什么是半导体放电管

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反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。四、特点1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。2.适合流动和量低，可用于高频电路。5.高绝缘阻抗特性。6.可进行编带包装。7.符合IEC61000-4-2规格四川什么是半导体放电管