整板布线，1）所有焊盘必须从中心出线,线路连接良好，（2）矩形焊盘出线与焊盘长边成180度角或0度角出线，焊盘内部走线宽度必须小于焊盘宽度，BGA焊盘走线线宽不大于焊盘的1/2，走线方式，（3）所有拐角处45度走线，禁止出现锐角和直角走线，（4）走线到板边的距离≥20Mil，距离参考平面的边沿满足3H原则，（5）电感、晶体、晶振所在器件面区域内不能有非地网络外的走线和过孔。（6）光耦、变压器、共模电感、继电器等隔离器件本体投影区所有层禁止布线和铺铜。（7）金属壳体正下方器件面禁止有非地网络过孔存在，非地网络过孔距离壳体1mm以上。（8）不同地间或高低压间需进行隔离。（9）差分线需严格按照工艺计算的差分线宽和线距布线；（10）相邻信号层推荐正交布线方式，无法正交时，相互错开布线，（11）PCB LAYOUT中的拓扑结构指的是芯片与芯片之间的连接方式，不同的总线特点不一样，所采用的拓扑结构也不一样，多拓扑的互连。晶体电路布局布线要求有哪些？荆州专业PCB设计布线

SDRAM各管脚功能说明：1、CLK是由系统时钟驱动的，SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样，CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器；2、CKE为时钟使能信号，高电平时时钟有效，低电平时时钟无效，CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号，低电平有效，当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽，同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效，这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML，DQMU为数据掩码信号。写数据时，当DQM为高电平时对应的写入数据无效，DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号，在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号，用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号，读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。十堰什么是PCB设计厂家ADC和DAC前端电路布线规则。

电气方面注意事项（1）TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置；（2）热敏器件远离大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分区布局；（4）数字、模拟器件分区布局；（5）电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料；（6）串联电阻靠近源端放置；串联电容靠近末端放置；并联电阻靠近末端放置；（7）退藕电容靠近芯片的电源管脚；（8）接口电路靠近接口；（9）充分考虑收发芯片距离，以便走线长度满足要求；（10）器件按原理图摆一起；（11）二极管、LED等极性与原理图应保持一致。

叠层方案，叠层方案子流程：设计参数确认→层叠评估→基本工艺、层叠和阻抗信息确认。设计参数确认（1）发《PCBLayout业务资料及要求》给客户填写。（2）确认客户填写信息完整、正确。板厚与客户要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm时公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客户要求无法满足时，需和工艺、客户及时沟通确认，需满足加工工艺要求。层叠评估叠层评估子流程：评估走线层数→评估平面层数→层叠评估。（1）评估走线层数：以设计文件中布线密集的区域为主要参考，评估走线层数，一般为BGA封装的器件或者排数较多的接插件，以信号管脚为6排的1.0mm的BGA，放在top层，BGA内两孔间只能走一根信号线为例，少层数的评估可以参考以下几点：及次信号需换层布线的过孔可以延伸至BGA外（一般在BGA本体外扩5mm的禁布区范围内），此类过孔要摆成两孔间穿两根信号线的方式。次外层以内的两排可用一个内层出线。再依次内缩的第五，六排则需要两个内层出线。根据电源和地的分布情况，结合bottom层走线，多可以减少一个内层。结合以上5点，少可用2个内走线层完成出线。京晓科技教您如何设计PCB。

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。什么是模拟电源和数字电源？咸宁专业PCB设计功能

在PCB设计中如何绘制结构特殊区域及拼板？荆州专业PCB设计布线

DDR的PCB布局、布线要求1、DDR数据信号线的拓扑结构，在布局时保证紧凑的布局，即控制器与DDR芯片紧凑布局，需要注意DDR数据信号是双向的，串联端接电阻放在中间可以同时兼顾数据读/写时良好的信号完整性。2、对于DDR信号数据信号DQ是参考选通信号DQS的，数据信号与选通信号是分组的；如8位数据DQ信号+1位数据掩码DM信号+1位数据选通DQS信号组成一组，如是32位数据信号将分成4组，如是64位数据信号将分成8组，每组里面的所有信号在布局布线时要保持拓扑结构的一致性和长度上匹配，这样才能保证良好的信号完整性和时序匹配关系，要保证过孔数目相同。数据线同组（DQS、DM、DQ[7:0]）组内等长为20Mil，不同组的等长范围为200Mil，时钟线和数据线的等长范围≤1000Mil。3、对于DDR信号，需要注意串扰的影响，布线时拉开与同层相邻信号的间距，时钟线与其它线的间距要保证3W线宽，数据线与地址线和控制线的间距要保证3W线宽，数据线内或地址线和控制线内保证2W线宽；如果两个信号层相邻，要使相邻两层的信号走线正交。荆州专业PCB设计布线

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