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导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。当正栅偏...

将其分成两个6脉波TCR来进行分析。以一次测A相基波线电流为参考向量，表示了一个星一星联结变压器的TCR在其一次侧产生的基波、5次和7次线电流的向量图。同样的，我们也可以得到星形一三角形联结变压器的TCR在其一次侧产生的基波、5次和7次线电流的向量图。由于都是...

确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说，**重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷)，如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数，那么我们就可以运用公式计算出：门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在...

2)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间，由于电路中其他部分的工作，会在栅极电路中产生一些高频振荡信号，这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态，增加管子的功耗。重则将使调压电路处于短路直通状态。因此，比较好给处于截止状态的IGBT加一反向...

门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGB...

由此可见,交流电压通过二极管的整流作用所得到的直流电压ud是脉动的。一般负载需要供给平滑的直流电压，因此在整流元件与负载之间常接有滤波器。滤波器对整流电流的直流分量无扼流作用，而对交流分量的感抗很大。这样，就能在负载上得到平直的直流电压Ud，其数值等于脉动电压...

晶闸管控制电抗器也称晶闸管相控变压器（TCR）。TCR是SVC中**重要的组成部件之一，IEEE将晶闸管相控电抗器(TCR)定义为一种并联型晶闸管控制电抗器，通过控制晶闸管的导通时间，它的有效电抗可以连续变化。基本的单相TCR由反并联的一对晶闸管阀T1、T2与...

1、尽量减小栅极回路的电感阻抗，具体的措施有：a)驱动器靠近IGBT减小引线长度；b) 驱动的栅射极引线绞合，并且不要用过粗的线；c) 线路板上的 2 根驱动线的距离尽量靠近；d) 栅极电阻使用无感电阻；e) 如果是有感电阻，可以用几个并联以减小电感。2、IG...

4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的**小控制极电流和电压。5、 维持电流IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的**小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频...

同时，晶闸管模块的智能化和模块化趋势也日益明显。通过集成先进的控制算法和通信技术，晶闸管模块能够实现更复杂的电力电子控制和能源管理功能，为未来的智能电网和分布式能源系统提供有力支持。综上所述，晶闸管模块作为现代电力电子技术中的重要器件，以其独特的性能和广阔的应...

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗...

若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断...

晶闸管智能模块指的是一种特殊的模板，采用了采用全数字移相触发集成电路。（1）本产品均采用全数字移相触发集成电路，实现了控制电路和晶闸管主电路集成一体化，使模块具备了弱电控制强电的电力调控作用。（2）采用进口方形芯片，模块压降小、功耗低，效率高；采用进口贴片元件...

5. ih：**小维持电流在室温下，控制极开路、晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的**小电流。一般为几十到一百多毫安。 6. ug、ig：控制极触发电压和电流 在室温下， 阳极电压为直流 6v 时，使晶闸管完全导通所必须的**小控制极直流电压、电流 ...

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，...

门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用...

90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急...

要使晶闸管从导通状态转变回阻断状态，需要使阳极电流减小到维持电流以下，或者使阳极电压变为反向。二、类型与特点类型：单向可控硅：具有单向导电性，常用于直流或单向交流电路的控制。双向可控硅（TRIAC）：相当于两个单向可控硅反向连接，具有双向导通功能，适用于交流电...

可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。***是三个PN结应完好；第二是当阴极和阳极间电压反向连接时能够阻断，不导通；第三是当控制极开路时，阳极和阴极间的电压正向连接时也不导通；第四是给控制极加上正向电流，给阴极和阳极加正向电压时，可控硅应当导通，把控制极电流...

实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的...

门极电荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 适用于Cies 的测试条件为 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGB...

不控整流电路是由无控制功能的整流二极管组成的整流电路。当输入交流电压一定时，在负载上得到的直流电压是不能调节的电路。它利用整流二极管的单向导电性能把外加交流电压变为直流电压。对于理想情况，即整流二极管既无惯性又无损耗，因为二极管的开通和关断只需几微秒，对于50...

晶闸管模块（Silicon Controlled Rectifier Module）是现代电力电子技术中的重要器件之一，以下是对其的详细介绍：一、基本原理晶闸管模块是一种将晶闸管与换流电路等集成在一起的产品，采用模块化设计，便于安装和使用。其**元件晶闸管本身...

鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的，尾流特性与VCE、IC和 TC有关。栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET...

在这r1个分段TCR中，只有一个分段TCR的触发角是受控的，其他的分段TCR要么是全导通，要么是全关断，以吸收制定量的无功功率。由于每个分段TCR的电感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就减小了n倍，受控TCR产生的谐波相对于额定基波电流也减小了n倍。采用上述...

整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图3所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有比较大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是...

1.模块电流规格的选取根据负载性质及额定电流按模块比较大输出电流IT值，进行如下选取：（1）阻性负载：模块最大电流应为负载额定电流的2倍。（2）感性负载：模块最大电流应为负载额定电流的3倍。（3）若负载电流变动较大，电流倍数适当增加。（4）保证整个运行过程中，...

常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。可控硅的主要参数有：1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、 正向阻断峰值电压VPF...

绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很***；IGBT也是三端器...