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在这r1个分段TCR中，只有一个分段TCR的触发角是受控的，其他的分段TCR要么是全导通，要么是全关断，以吸收制定量的无功功率。由于每个分段TCR的电感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就减小了n倍，受控TCR产生的谐波相对于额定基波电流也减小了n倍。采用上述...

保护装置整流变压器微机保护装置是由高集成度、总线不出芯片单片机、高精度电流电压互感器、高绝缘强度出口中间继电器、高可靠开关电源模块等部件组成。是用于测量、控制、保护、通讯为一体化的一种经济型保护。整流变压器微机保护装置的优点1、可以满足库存配制有二十几种保护，...

。不同的控制策略可以容易的被实现，特别是那些涉及外部辅助信号以显著提高系统性能的控制。参考电压和电流斜率都能够用简单的方式加以控制。由于TCR型SVC本质上是模块化的，因此通过追加更多的TCR模块就能达到扩容的目的，当然前提是不能超过耦合变压器的容量。TCR不...

（2）最高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100...

移相全桥 PWM DC/DC 变换器基本的全桥电路结构基本的 DC/DC 全桥变换器由全桥逆变器和输出整流滤波电路构成，右图 显示了PWM DC/DC 全桥变换器的电路基本拓扑结构及主要波形。Vin是直流输入电压，Q1&D1～Q4&D4构成变换器的两个桥臂，高...

5. ih：**小维持电流在室温下，控制极开路、晶闸管被触发导通后，维持导通状态所必须的**小电流。一般为几十到一百多毫安。 6. ug、ig：控制极触发电压和电流 在室温下， 阳极电压为直流 6v 时，使晶闸管完全导通所必须的**小控制极直流电压、电流 ...

4、故障解除：当整流器故障时，发出灯光报警信号并停机，操作人员应在排除故障以后可 合闸，否则将扩大故障范围，造成更大损失，故障排除后，可将 K 主令开关置一下，除去电 笛声，排除故障后，然后按正常运行程序开机。5、起动后，直流输出电压或电流达不到额定值则丢脉冲...

额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，...

2. urrm：反向重复峰值电压 控制极断路时，可以重复作用在晶闸管上的反向重复电压。普通晶闸管一般取urrm为100v--3000v3. itav：通态平均电流 环境温度为40℃时，在电阻性负载、单相工频正弦半波、导电角不小于170°的电路中，晶闸管允许...

不控整流电路是由无控制功能的整流二极管组成的整流电路。当输入交流电压一定时，在负载上得到的直流电压是不能调节的电路。它利用整流二极管的单向导电性能把外加交流电压变为直流电压。对于理想情况，即整流二极管既无惯性又无损耗，因为二极管的开通和关断只需几微秒，对于50...

这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶闸管)。5、关于连续峰值开路电压VDRM在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值，此时可控硅(晶闸管)...

IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，...

其特点是：超前桥臂实现零电压开通，原理不变；滞后桥臂实现零电流关断，开关管两端不再并联电容，以避免开通时电容释放的能量加大开通损耗。在此对移相全桥 ZVZCS PWM 变换器的基本原理做一简要介绍。 [5]图4 工作波形基本移相全桥 ZVZCS 电路及主要工作...

可控整流：与整流器件构成调压电路，使整流电路输出电压具有可调**流调压：通过控制晶闸管的导通角来调节交流电压的大小。无触点电子开关：在电路中起到可控电子开关的作用，控制电路的接通和断开。逆变及变频：在逆变和变频电路中作为关键器件使用。五、设计注意事项在晶闸管的...

结构特点（1）铁芯：采用30Q130高导磁硅钢片，同时采用选进的3～6级step-lap core stacking步进多级叠片方式，有较降低了空载损耗、空载电流和噪声。（2）绕组：电磁线采用了高导电率的无氧铜导线，绕组采用园筒式、双饼式和新型螺旋式等结构的整...

晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它的主要功能是控制电流的开关，能够在高电压和大电流的条件下稳定工作。晶闸管的基本结构由四层半导体材料（P-N-P-N结构）组成，具有三个PN结。晶闸管的工作原理是，当施加一个触发信号到其门极...

可控硅(SCR是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被***用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部...

晶闸管模块（Silicon Controlled Rectifier Module）是现代电力电子技术中的重要器件之一，以下是对其的详细介绍：一、基本原理晶闸管模块是一种将晶闸管与换流电路等集成在一起的产品，采用模块化设计，便于安装和使用。其**元件晶闸管本身...

多脉冲整流是指在一个三相电源系统中，输出直流电压在一个周期内多于6个波头，通常有12、18、24脉冲。多脉冲整流器通常由移相整流变压器和整流桥两部分组成。输入三相电压通过变压器移相，产生几组三相电压输出到整流桥。多组三相整流桥相互连接，使得整流桥电路产生的谐波...

在变压器的设计中，铜和铁的用量可以均衡考虑。因为一旦变压器的容量确定了，电流就确定了，导线的粗细也就确定了，增大匝数W，磁通Φ就可以小一些，铁芯的截面积就可以小一些，但是要把这些匝数绕进去，铁芯的窗口要大一些；相反，减小匝数W，磁通Φ就要大一些，铁芯的截面积要...

实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的...

变压器的设计一般只看额定容量，而不看额定功率，因为其电流只与额定容量有关。对于电压源型变频器，由于其输入功率因数接近于1，所以额定容量与额定功率几乎相等。电流源型变频器则不然，其输入侧变压器功率因数**多等于负载异步电机的功率因数，所以对于相同的负载电机，其额...

在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极比较大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。此外，在栅极—发射极间开...

外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明...

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输...

性能的差别将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。...

性能的差别将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。...

有些驱动器只有一个输出端，这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络，用以调节2个方向的驱动速度。3、在IGBT的栅射极间接上Rge=10－100K 电阻，防止在未接驱动引线的情况下，偶然加主电高压，通过米勒电容烧毁IGBT。所以用户比较好再在IG...

Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来...