英飞凌二极管综述:具有比较高功率密度和更多功能的高性能平板封装器件、具有高性价比的晶闸管/二极管模块、采用分立封装的高效硅基或CoolSiCTM碳化硅二极管以及裸片等灵活多样产品组合大功率二极管和晶闸管旨在显著提高众多应用的效率,覆盖10kW-10GW的宽广功率范围,树立了行业应用**。分立式硅或碳化硅(SiC)肖特基二极管的应用范围包括服务器堆场、太阳能发电厂和储能系统等;同时适用于工业和汽车级应用。优势:?高性价比?全程采用X射线100%监测生产,保障产品的高性能和使用寿命?使用铜基板,便于快捷安装?完整的模块封装技术组合,一站式购齐由于一般整流桥应用时,常在其负载端接有平波电抗器,故可将...
整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接,两只的为半桥,四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成,大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封,增强散热性能。一、整流桥定义整流桥就是将整流管封在一个壳内了,分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。二、整流桥作用整流桥作为一种功率元器件,非常***。应用于各种电源设备。三、整流桥工作原理整流桥有多种方法可以用整流二极管将交流电转换为直流电,包括半波整流、全波整流以及...
本实用新型属于电磁阀技术领域,尤其是涉及一种电磁阀的带整流桥绕组塑封机构。背景技术:大多数家用电器上使用的需要实现全波整流功能的进水电磁阀,普遍将整流桥堆设置在电脑板等外部设备上,占用了电脑板上有限的空间,造成制造成本偏高,且有一定的故障率,一旦整流桥堆失效,整块电脑板都将报废。虽然目前市场上出现了内嵌整流桥堆的进水电磁阀,但有些由于绕组塑封的结构不合理,金属件之间的爬电距离设置过小,导致产品的电气性能较差,安全性较差,在一些严酷条件下使用很容易损坏塑封,引起产品失效,严重的会烧毁家用电器;有些由于工艺过于复杂,桥堆跟线圈在同一侧,导致桥堆在线圈发热时损伤。技术实现要素:本实用新型为了克服现有...
这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4(其导热系数小于.℃),因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时,这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时,对测温热电偶位置的放置不同,得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明,在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4,所以其内部的温度分布极不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时,应着重注意该现象,力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。折叠结论通过前面对整流桥三种不同形式散热的分析并结合对一整流桥详细的仿真模型的分析...
英飞凌整流桥综述EconoBRIDGE整流器模块应用在完善的Econo2和Econo4封装中。它们可以与EconoPACK2&3和EconoPACK4封装三相桥较高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流级*有二极管时实现不控整流,也可在整流级中使用晶闸管实现半控整流。关键特性?高集成度:整流桥、制动斩波器和NTC共用一个封装,可节约系统成本?灵活性:可定制的封装(引脚位置和拓扑结构可根据客户需求定制)?一体通用:多种拓扑和电流(100A-360A)等级适用于多种应用,实现平台化战略?功率密度:与TrenchstopIGBT3相比,TrenchstopIGBT4技术的Tvjop达到150...
本实用新型属于电磁阀技术领域,尤其是涉及一种电磁阀的带整流桥绕组塑封机构。背景技术:大多数家用电器上使用的需要实现全波整流功能的进水电磁阀,普遍将整流桥堆设置在电脑板等外部设备上,占用了电脑板上有限的空间,造成制造成本偏高,且有一定的故障率,一旦整流桥堆失效,整块电脑板都将报废。虽然目前市场上出现了内嵌整流桥堆的进水电磁阀,但有些由于绕组塑封的结构不合理,金属件之间的爬电距离设置过小,导致产品的电气性能较差,安全性较差,在一些严酷条件下使用很容易损坏塑封,引起产品失效,严重的会烧毁家用电器;有些由于工艺过于复杂,桥堆跟线圈在同一侧,导致桥堆在线圈发热时损伤。技术实现要素:本实用新型为了克服现有...
金属引线的一端设置在与管脚连接的导电部件上),能实现电连接即可,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥可基于不同类型的器件选择不同的基岛实现,不限于本实施例,任意可实现整流桥连接关系的设置方式均可,在此不一一赘述。如图1所示,在本实施例中,所述功率开关管及所述逻辑电路集成于控制芯片12内。具体地,所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d,源极连接所述逻辑电路的采样端口,栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号);所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口连接所述功率开关管的漏极,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的...
一插片、第二插片之间通过线圈架隔开,可以明显增大爬电距离,从而提高了电气性能和可靠性,提升了产品质量;而且整流桥堆放置在线圈架绕线的不同侧,减少了线圈发热引起整流桥堆损伤或整个绕组的二次损伤。附图说明图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型的图。图3为本实用新型线圈架的结构示意图。图4为本实用新型整流桥堆的构示意图。具体实施方式为了使本技术领域的人员更好的理解本实用新型方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。如图1-4所示,一种电磁阀的带整流桥绕组塑封机构,包线圈架1、绕组、插片组件及塑封壳,其中所述线圈架1为一塑料架,该线圈架1包括...
并且两个为对称设置,在所述一限位凸部101上设有凹陷部11,所述一插片21嵌入到所述凹陷部11当中。具体的,所述第二插片22为金属铜片,在所述一限位凸部101上设有插接槽100,所述第二插片22的一端插入到所述插接槽100当中;并且在所述插接槽100的内壁上设有开口104,所述第二插片22上设有卡扣凸部220,所述卡扣220可卡入到所述开口104当中;在所述第二插片22的侧壁上设有电连凸部221,所述电连凸部221与所述第二插片22一体成型;所述整流桥堆3一侧设凸出部31,所述凸出部31为两个,一个凸出部31对应一个电连凸部221;所述凸出部31与所述电连凸部221通过焊锡连接在一起;在所述整...
所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上,接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd,漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain,采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs,高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构,将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内,由此降低封装成本。如图6所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:本实施例的合封整流...
所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地,所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是,本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开,通过外置电感实现emi滤波,减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式,以及各种器件的组合可根据需要进行设置,不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外,由于应用的多样性...
所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv,负极连接所述漏极管脚drain。如图2所示,所述一采样电阻rcs1的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于高压线性(3w~12w)。实施例二如图3所示,本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与实施例一的不同之处在于,所述合封整流桥的封装结构还包括高压续流二极管df,且功率开关管121及逻辑电路122分立设置。如图3所示,在本实施例中,所述高压续流二极管df采用n型二极管,所述高压续流二极管df的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13...
目录1整流桥模块的原理2整流桥模块的结构特点3整流桥模块的优点4整流桥模块的分类展开1整流桥模块的原理其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。在整流桥的每个工作周期内,同一时间只有两个二极管进行工作,通过二极管的单向导通功能,把交流电转换成单向的直流脉动电压。对一般常用的小功率整流桥(如:RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M)进行解剖会发现,其内部的结构如图2所示,该全波整流桥采用塑料封装结构(大多数的小功率整流桥都是采用该封装形式)。桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。在直流输出引脚铜板间有两块...
因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温,这样不在测量上易于实现,还不会给终的计算带来不可容忍的误差。折叠仿真分析整流桥在强迫风冷时的仿真分析前面本文从不同情形下的传热途径着手,用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程,在此本文通过仿真软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。图5、仿真计算模型如上图是仿真计算的模型外型图。在该模型中,通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行仿真分析模型的建立。其仿真分析结果如下所示:图6、整流桥散热器基板温度分布有上图可以看出,整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的,约70℃左右。...
整流桥模块的作用是什么:整流桥模块的功能,是将由交流配电单元提供的交流电,变换成48V或者24V直流电输出到直流配电单元。采用谐振电压型双环控制的谐振开关电源技术,具有稳压精度高、动态响应快的特点。整流模块内置MCU,全智能控制,可实现单机或多机并联运行。模块可以带电热插拔,日常维护方便快捷。采用多级吸收,具有过压、欠压、短路、过流、过热等自动保护及自动恢复运行功能。散热条件的好坏,直接影响模块的可靠和安全。不同型号模块在其额定电流工作状态下,环境温度为40℃时所需散热器尺寸、风机的规格各不相同。桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。上海整流桥模块价格多少...
b)整流桥自带散热器。1、整流桥不带散热器对于整流桥不带散热器而采用强迫风冷这种情况,其分析的过程同自然冷却一样,只不过在计算整流桥外壳向环境间散热的热阻和PCB板与环境间的传热热阻时,对其换热系数的选择应该按照强迫风冷情形来进行,其数值通常为20~30W/m2C。也即是:于是可以得到整流桥壳体表面的传热热阻和通过引脚的传热热阻为:于是整流桥的结-环境的总热阻为:由上述整流桥不带散热器的强迫对流冷却分析中可以看出,通过整流桥壳体表面的散热途径与通过引脚进行散热的热阻是相当的,一方面我们可以通过增加其冷却风速的大小来改变整流桥的换热状况,另一方面我们也可以采用增大PCB板上铜的覆盖率来改善PCB...
1)、整流桥壳体表面散热热阻a)整流桥正面壳体的散热热阻:同不带散热器的强迫风冷一样:b)整流桥背面壳体的散热热阻:假设忽约整流桥与壳体的接触热阻,则:;选择散热器与环境间热阻的典型值为:于是:则整流桥通过壳体表面散热的总热阻为:2)、流桥通过引脚散热的热阻:此时的热阻同整流桥不带散热器进行强迫风冷时的情形一样,于是有:于是我们可以得到,在整流桥带散热器进行强迫风冷时的散热总热阻为上述两个传热途径的并联热阻:仔细分析上述的计算过程和各个传热途径的热阻数值,我们可以得出在整流桥带散热器进行强迫风冷时的如下结论:①在上述的三个传热途径中(整流桥正面传热、整流桥背面通过散热器的传热和整流桥通过引脚的...
所述火线管脚l、所述零线管脚n、所述高压供电管脚hv及所述漏极管脚drain与临近管脚之间的间距一般设置为大于2mm,不能低于,包括但不限于~2mm,2mm~3mm,进而满足高压的安全间距要求。作为本实施例的一种实现方式,所述信号地管脚gnd的宽度大于,进一步设置为~1mm,以加强散热,达到封装热阻的作用。在本实施例中,如图1所示,所述火线管脚l、所述高压供电管脚hv及所述漏极管脚drain位于所述塑封体11的一侧,所述零线管脚n、所述信号地管脚gnd及所述采样管脚cs位于所述塑封体11的另一侧。需要说明的是,各管脚的排布位置及间距可根据实际需要进行设定,不以本实施例为限。如图1所示,所述整流...
包括但不限于高压供电基岛13或漏极基岛15)或不同基岛(包括但不限于高压供电基岛13及漏极基岛15),在此不一一赘述。作为本实施例的一种实现方式,如图5所示,所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地,所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现,其中,第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管,所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上,正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上,正极通过金属引线连接所述信号地...
使模块具有有效值为2.5kV以上的绝缘耐压。3、电力半导体芯片:超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护,并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶,并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂,这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线,而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点,FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极),并利用DBC基板的刻蚀图形,使焊接简化。同时,所有主电极的引...
这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4(其导热系数小于.℃),因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时,这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时,对测温热电偶位置的放置不同,得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明,在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4,所以其内部的温度分布极不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时,应着重注意该现象,力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。折叠结论通过前面对整流桥三种不同形式散热的分析并结合对一整流桥详细的仿真模型的分析...
所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管d及所述第五电容c5连接所述第二线圈的另一端。如图6所示,所述二极管d的正极连接所述变压器的第二线圈,负极连接所述第五电容c5。如图6所示,所述负载连接于所述第五电容c5的两端。具体地,在本实施例中,所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述二极管d的负极,负极连接所述第五电容c5与所述变压器的连接节点。如图6所示,所述第三采样电阻rcs3的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于两绕组flyback(3w~25w)。实施例四本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与...
因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温,这样不在测量上易于实现,还不会给终的计算带来不可容忍的误差。折叠仿真分析整流桥在强迫风冷时的仿真分析前面本文从不同情形下的传热途径着手,用理论的方法分析了整流桥在三种不同冷却方式下的传热过程,在此本文通过仿真软件详细的整流桥模型来对带有散热器、强迫风冷下的整流桥散热问题进行进一步的阐述。图5、仿真计算模型如上图是仿真计算的模型外型图。在该模型中,通过解剖一整流桥后得到的相关尺寸参数来进行仿真分析模型的建立。其仿真分析结果如下所示:图6、整流桥散热器基板温度分布有上图可以看出,整流桥散热器的基板温度分布相对而言还是比较均匀的,约70℃左右。...
整流桥(D25XB60)内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。在整流桥的每个工作周期内,同一时间只有两个二极管进行工作,通过二极管的单向导通功能,把交流电转换成单向的直流脉动电压。对一般常用的小功率整流桥(如:RECTRONSEMICONDUCTOR的RS2501M)进行解剖会发现,其内部的结构如图2所示,该全波整流桥采用塑料封装结构(大多数的小功率整流桥都是采用该封装形式)。桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。在直流输出引脚铜板间有两块连接铜板,他们分别与输入引**流输入导线)相连,形成我们在外观上看见的有四个对外...
③由于此时整流桥的散热状况与散热器的热阻密切相关,因此散热器热阻的大小将直接影响到整流桥上温度的高低。由此可以看出,在生产厂家所提供的整流桥参数表中关于整流桥带散热器的热阻时,只可能是整流桥背面的结--壳(Rjc)或整流桥壳体上的总的结--壳热阻(正面和背面热阻的并联);此时的结--环境的热阻已经没有参考价值,因为它是随着散热器的热阻而明显地发生变化的。折叠壳温确定整流桥在强迫风冷冷却时壳温的确定由以上两种情况三种不同散热冷却形式的分析与计算,我们可以得出:在整流桥自然冷却时,我们可以直接采用生产厂家所提供的结--环境热阻(Rja),来计算整流桥的结温,从而可以方便地检验我们的设计是否达到功率...
所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地,所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是,本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开,通过外置电感实现emi滤波,减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式,以及各种器件的组合可根据需要进行设置,不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外,由于应用的多样性...
整流桥在电路中也是非常常见的一种器件,特别是220V供电的设备中,由于220V是交流电,我们一般使用的电子器件是弱电,所以需要降压整流,***和大家谈谈,整流桥在电路中起什么作用?步骤阅读方法/步骤1首先看下整流桥的工作原理,它是由四个二极管组成,对交流电进行整流为直流电。步骤阅读2进过整流桥直接整流过的电压还不够稳定,还需要滤波电路对整流过的电压进行过滤已达到稳定的电压。步骤阅读3为了减少的电压的波动,一般还需要LDO的配合来达到更加精细和稳定的电压,比如7805就是常见的LDO。步骤阅读4上面三点再加上变压器,变压器对220V或者更高的交流电压进行***次降压,这就是我们平常**常见的电源...
n型二极管的下层为n型掺杂区,上层为p型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝;第三整流二极管dz3及第四整流二极管dz4为p型二极管,p型二极管的下层为p型掺杂区,上层为n型掺杂区,下层底面镀银,上层顶面镀铝。所述一整流二极管dz1的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚n。所述第二整流二极管dz2的负极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于所述高压供电基岛13上,正极(金属铝层)通过金属引线连接所述火线管脚l。所述第三整流二极管dz3的正极(金属银层)通过导电胶或锡膏粘接于信号地基岛14上,负极(金属铝层)通过金属引线连接所述零线管脚...