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MEMS制作工艺-声表面波器件的特点： 1.声表面波具有极低的传播速度和极短的波长，它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF和UHF波段内，电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理，作为电磁器件的声学模拟声表面波器件SAW，它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此，在同一频段上，声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多，重量也随之大为减轻。 2.由于声表面波系沿固体表面传播，加上传播速度极慢，这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时，就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性，使它...

智能手机迎5G换机潮，传感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速渗透，拉动智能手机市场恢复增长：今年10月份国内5G手机出货量占比已达64%；智能手机整体出货量方面，在5G的带动下，根据IDC今年的预测，2021年智能手机出货量相比2020年将增长11.6%，2020-2024年CAGR达5.2%。另一方面，单机传感器和RFMEMS用量不断提升，以iPhone为例，2007年的iPhone2G到2020年的iPhone12，手机智能化程度不断升，功能不断丰富，指纹识别、3Dtouch、ToF、麦克风组合、深度感知（LiDAR）等功能的加入，使得传感器数量（包含非MEMS传感器）由当初的...

MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测： 光电导取样光电导取样是基于光导天线(photoconductiveantenna,PCA)发射机理的逆过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探测，首先，需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中，以便于一个光学门控脉冲(探测脉冲)对其门控。其中，这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间延迟关系，而这个关系可利用一个延迟线来加以实现，尔后，用一束探测脉冲打到光电导介质上，这时在介质中能够产生出电子-空穴对(自由载流子)，而此时同步到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场，以此来驱动那些载流子运动，从而在PC...

微针器件的干湿法刻蚀与集成传感：基于MEMS干湿法混合刻蚀工艺，公司开发出多尺度微针器件。通过光刻胶模板与各向异性刻蚀，制备前列曲率半径<100nm、高度500微米的中空微针阵列，可无创穿透表皮提取组织间液。结合微注塑工艺，在微针内部集成直径10微米的流体通道，实现5分钟内采集3μL样本，用于连续血糖监测（误差±0.2mmol/L）。在透皮给药领域，载药微针采用可降解PLGA涂层，载药率超90%，释放动力学可控至24小时线性释放。同时，微针表面通过溅射工艺沉积金纳米层，集成阻抗传感模块，可实时检测炎症因子（如CRP），检测限低至0.1pg/mL。此类器件与微流控芯片联用，可在15分钟内完成“采...

弧形柱子点阵的微纳加工技术：弧形柱子点阵结构在细胞黏附、流体动力学调控中具有重要应用，公司通过激光直写与反应离子刻蚀（RIE）技术实现该结构的精密加工。首先利用激光直写系统在光刻胶上绘制弧形轨迹，**小曲率半径可达5μm，线条宽度10-50μm；然后通过RIE刻蚀硅片或石英基板，刻蚀速率50-200nm/min，侧壁弧度偏差＜±2°。柱子高度50-500μm，间距20-100μm，阵列密度可达10?个/cm2。在细胞培养芯片中，弧形柱子表面通过RGD多肽修饰，促进成纤维细胞沿曲率方向铺展，细胞取向率提升70%，用于肌腱组织工程研究。在微流控芯片中，弧形柱子阵列可降低流体阻力30%，减少气泡滞留...

国内政策大力推动MEMS产业发展：国家政策大力支持传感器发展，国内MEMS企业拥有好的发展环境。我国高度重视MEMS和传感器技术发展，在2017年工信部出台的《智能传感器产业三年行动指南（2017-2019）》中，明确指出要着力突破硅基MEMS加工技术、MEMS与互补金属氧化物半导体（CMOS）集成、非硅模块化集成等工艺技术，推动发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术。国家政策高度支持MEMS制造企业研发创新，政策驱动下，国内MEMS制造企业获得发展良机。高压 SOI 工艺实现芯片内高压驱动与低压控制集成，耐压超 200V 并降低寄生电容 40%。中国香港MEMS微纳米加工市场 ME...

微流控芯片的自动化检测与统计分析：公司建立了基于机器视觉的微流控芯片自动化检测系统，实现尺寸测量、缺陷识别与性能统计的全流程智能化。检测设备配备6MPUSB3.0摄像头与远心光学镜头，配合步进电机平移台（精度±1μm），可对芯片流道、微孔、电极等结构进行扫描。通过自研算法自动识别特征区域，测量参数包括高度（分辨率0.1μm）、周长、面积、宽度、半径等，数据重复性误差＜±0.5%。缺陷检测模块采用深度学习模型，可识别＜5μm的毛刺、缺口、气泡等缺陷，准确率＞99%。检测系统实时生成统计报告，包含CPK、均值、标准差等质量参数，支持SPC过程控制。在PDMS芯片检测中，单芯片检测时间＜2分钟，效率...

物联网普及极大拓展MEMS应用场景。物联网的产业架构可以分为四层：感知层、传输层、平台层和应用层，MEMS器件是物联网感知层重要组成部分。物联网的发展带动智能终端设备普及，推动MEMS需求放量，据全球移动通信系统协会GSMA统计，全球物联网设备数量已从2010年的20亿台，增长到2019年的120亿台，未来受益于5G商用化和WiFi 6的发展，物联网市场潜力巨大，GSMA预测，到2025年全球物联网设备将达到246亿台，2019到2025年将保持12.7%的复合增长率。MEMS超表面对光电场特性的调控是怎样的？北京MEMS微纳米加工原料SU8微流控模具加工技术与精度控制：SU8作为负性光刻胶，...

三维微纳结构的跨尺度加工技术：跨尺度加工技术实现了从纳米级到毫米级结构的一体化制造，满足复杂微流控系统对多尺度功能单元的需求。公司结合电子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）与机械加工（精度10μm），在单一基板上构建跨3个数量级的微结构。例如，在类***培养芯片中，纳米级表面纹理（粗糙度Ra＜50nm）促进细胞黏附，微米级流道（宽度50μm）控制营养物质输送，毫米级进样口（直径1mm）兼容外部管路。加工过程中，通过工艺分层设计，先进行纳米结构制备（如EBL定义细胞外基质蛋白图案），再通过紫外光刻形成中层流道，***机械加工完成宏观接口，各层结构对准误差＜±2μm。该技术...

高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新：高压SOI（绝缘体上硅）工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术，公司在0.18μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层（厚度1μm）隔离高压器件与低压控制电路，耐压能力达200V以上，漏电流＜1nA，适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中，高压SOI工艺实现了128通道**驱动，每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调，幅度0-100V可控，脉冲边沿抖动＜5ns，确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比，SOI芯片的寄生电容降低40%，功耗节省30%，芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺...

MEMS制作工艺ICP深硅刻蚀： 在半导体制程中，单晶硅与多晶硅的刻蚀通常包括湿法刻蚀和干法刻蚀两种方法各有优劣，各有特点。湿法刻蚀即利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光刻胶掩膜覆盖的部分，而达到刻蚀的目的。因为湿法刻蚀是利用化学反应来进行薄膜的去除，而化学反应本身不具方向性，因此湿法刻蚀过程为等向性。 湿法刻蚀过程可分为三个步骤: 1)化学刻蚀液扩散至待刻蚀材料之表面; 2)刻蚀液与待刻蚀材料发生化学反应; 3)反应后之产物从刻蚀材料之表面扩散至溶液中，并随溶液排出。湿法刻蚀之所以在微电子制作过程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能...

MEMS微纳加工的产业化能力与技术储备：公司在MEMS微纳加工领域构建了完整的技术体系与产业化能力，涵盖从设计仿真（使用COMSOL、Lumerical等软件）到工艺开发（10+种主流加工工艺）、批量生产（万级洁净车间，月产能50,000片）的全链条服务。技术储备方面，持续投入下一代微纳加工技术，包括：①纳米压印技术实现10nm级结构复制，支持单分子测序芯片开发；②激光诱导正向转移（LIFT）技术实现金属电极的无掩膜直写，加工速度提升5倍；③可降解聚合物加工工艺，开发聚乳酸基微流控芯片，适用于体内短期植入检测。在设备端，引进了电子束曝光机（分辨率5nm）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP，刻蚀速...

超声影像芯片的全集成MEMS设计与性能突破：针对超声PZT换能器及CMUT/PMUT新型传感器的收发需求，公司开发了**SoC超声收发芯片，采用0.18mm高压SOI工艺实现发射与开关复用，大幅节省芯片面积的同时提升性能。在发射端，通过MEMS高压驱动电路设计，实现±100V峰值输出电压与1A持续输出电流，较TI同类产品提升30%，满足深部组织成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采样率可达100Msps，信噪比（SNR）达73.5dB，有效提升弱信号检测能力。芯片采用多层金属布线与硅通孔（TSV）技术，实现3D堆叠集成，封装尺寸较传统方案缩小40%。在二次谐波抑制方面，通过优化版图布局与寄...

MEMS制作工艺柔性电子的常用材料-PI： 柔性PI膜是一种由聚酰亚胺（PI）构成的薄膜材料，它是通过将均苯四甲酸二酐（PMDA）与二胺基二苯醚（ODA）在强极性溶剂中进行缩聚反应，然后流延成膜，然后经过亚胺化处理得到的高分子绝缘材料。柔性PI膜拥有许多独特的优点，如高绝缘性、良好的粘结性、强的耐辐射性和耐高温性能，使其成为一种综合性能很好的有机高分子材料。 柔性PI膜的应用非常广，尤其在电子、液晶显示、机械、航空航天、计算机、光伏电池等领域有着重要的用途。特别是在液晶显示行业中，柔性PI膜因其优越的性能而被用作新型材料，用于制造折叠屏手机的基板、盖板和触控材料。由于OLED显...

超声影像芯片的全集成MEMS设计与性能突破：针对超声PZT换能器及CMUT/PMUT新型传感器的收发需求，公司开发了**SoC超声收发芯片，采用0.18mm高压SOI工艺实现发射与开关复用，大幅节省芯片面积的同时提升性能。在发射端，通过MEMS高压驱动电路设计，实现±100V峰值输出电压与1A持续输出电流，较TI同类产品提升30%，满足深部组织成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采样率可达100Msps，信噪比（SNR）达73.5dB，有效提升弱信号检测能力。芯片采用多层金属布线与硅通孔（TSV）技术，实现3D堆叠集成，封装尺寸较传统方案缩小40%。在二次谐波抑制方面，通过优化版图布局与寄...

微机电系统是指集微型传感器、执行器以及信号处理和控制电路、接口电路、通信和电源于一体的微型机电系统，是一个智能系统。主要由传感器、作动器和微能源三大部分组成。微机电系统具有以下几个基本特点，微型化、智能化、多功能、高集成度。微机电系统。它是通过系统的微型化、集成化来探索具有新原理、新功能的元件和系统微机电系统。微机电系统涉及航空航天、信息通信、生物化学、医疗、自动控制、消费电子以及兵器等应用领域。微机电系统的制造工艺主要有集成电路工艺、微米/纳米制造工艺、小机械工艺和其他特种加工工种。微机电系统技术基础主要包括设计与仿真技术、材料与加工技术、封装与装配技术、测量与测试技术、集成与系统技术等。1...

MEMS制作工艺压电器件的常用材料： 氧化锌是一种众所周知的宽带隙半导体材料（室温下3.4eV，晶体），它有很多应用，如透明导体，压敏电阻，表面声波，气体传感器，压电传感器和UV检测器。并因为可能应用于薄膜晶体管方面正受到相当的关注。同时氧化锌还具有相当良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介绍了基于氧化锌的新型薄膜晶体管所带来的主要优势，这些薄膜晶体管在下一代柔性电子器件中非常有前途。除此之外，还有众多的二维材料被应用于柔性电子领域，包括石墨烯、半导体氧化物，纳米金等。2014年发表在chemicalreview和naturenanotechnology上的两篇经典...

物联网普及极大拓展MEMS应用场景。物联网的产业架构可以分为四层：感知层、传输层、平台层和应用层，MEMS器件是物联网感知层重要组成部分。物联网的发展带动智能终端设备普及，推动MEMS需求放量，据全球移动通信系统协会GSMA统计，全球物联网设备数量已从2010年的20亿台，增长到2019年的120亿台，未来受益于5G商用化和WiFi 6的发展，物联网市场潜力巨大，GSMA预测，到2025年全球物联网设备将达到246亿台，2019到2025年将保持12.7%的复合增长率。自动化检测系统基于机器视觉，实现微流控芯片尺寸测量、缺陷识别与统计分析一体化。中国香港MEMS微纳米加工哪里有 MEMS制作...

新材料或将成为国产MEMS发展的新机会。截止到目前，硅基MEMS发展已经有40多年的发展历程，如何提高产品性能、降低成本是全球企业都在思考的问题，而基于新材料的MEMS器件则成为摆在眼前的大奶酪，PZT、氮化铝、氧化钒、锗等新材料MEMS器件的研究正在进行中，抢先一步投入应用，将是国产MEMS弯道超车的好时机。另外，将多种单一功能传感器组合成多功能合一的传感器模组，再进行集成一体化，也是MEMS产业新机会。提高自主创新意识，加强创新能力，也不是那么的遥远。台阶仪与 SEM 测量技术确保微纳结构尺寸精度，支撑深硅刻蚀、薄膜沉积等工艺质量管控。山东MEMS微纳米加工出厂价格加速度传感器是很早广泛应...

MEMS多重转印工艺与硬质塑料芯片快速成型：针对硬质塑料芯片的快速开发需求，公司**MEMS多重转印工艺。通过紫外光固化胶将硅母模上的微结构（精度±1μm）转印至PMMA、COC等工程塑料，10个工作日内即可完成从设计到成品的全流程交付。以器官芯片为例，该工艺制造的多层PMMA芯片集成血管网络与组织隔室，可模拟肺部的气体交换功能，用于药物毒性测试时，数据重复性较传统方法提升80%。此外，COP材质芯片凭借**蛋白吸附性（<3ng/cm2），成为抗体筛选与蛋白质结晶的**载体。该技术还支持复杂三维结构加工，例如仿生肝小叶芯片中的正弦状微流道，可精细调控细胞剪切力，提升原代肝细胞活性至95%以上。...

热敏柔性电极的PI三明治结构加工技术：热敏柔性电极采用PI（聚酰亚胺）三明治结构，底层PI作为柔性基板，中间层为金属电极，上层PI实现绝缘保护，开窗漏出Pad引线位置，兼具柔韧性与电学性能。加工过程中，首先在25μm厚度的PI基板上通过溅射沉积5μm厚度的铜/金电极层，利用光刻胶作为掩膜进行湿法刻蚀，形成10-50μm宽度的电极图案，线条边缘粗糙度＜1μm；然后涂覆10μm厚度的PI绝缘层，通过激光切割开设引线窗口，窗口定位精度±5μm；***经300℃高温亚胺化处理，提升层间结合力（剥离强度＞10N/cm）。该电极的弯曲半径可达5mm，耐弯折次数＞10万次，表面电阻＜5Ω/□，适用于可穿戴体...

MEMS制作工艺柔性电子的常用材料： 碳纳米管（CNT）由于其高的本征载流子迁移率，导电性和机械灵活性而成为用于柔性电子学的有前途的材料，既作为场效应晶体管（FET）中的沟道材料又作为透明电极。管状碳基纳米结构可以被设想成石墨烯卷成一个无缝的圆柱体，它们独特的性质使其成为理想的候选材料。因为它们具有高的固有载流子迁移率和电导率，机械灵活性以及低成本生产的潜力。另一方面，薄膜基碳纳米管设备为实现商业化提供了一条实用途径。 微纳加工产业化能力覆盖设计、工艺、量产全链条，月产能达 50,000 片并持续技术创新。广东MEMS微纳米加工产业化PDMS金属流道芯片的复合加工工艺：PDMS金属流...

国内政策大力推动MEMS产业发展：国家政策大力支持传感器发展，国内MEMS企业拥有好的发展环境。我国高度重视MEMS和传感器技术发展，在2017年工信部出台的《智能传感器产业三年行动指南（2017-2019）》中，明确指出要着力突破硅基MEMS加工技术、MEMS与互补金属氧化物半导体（CMOS）集成、非硅模块化集成等工艺技术，推动发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术。国家政策高度支持MEMS制造企业研发创新，政策驱动下，国内MEMS制造企业获得发展良机。MEMS的超透镜是什么？北京MEMS微纳米加工设计规范MEA柔性电极的MEMS制造工艺：公司开发的脑机接口用MEA（微电极阵列）柔性...

MEMS制作工艺-太赫兹超导混频阵列的MEMS体硅集成天线与封装技术： 太赫兹波是天文探测领域的重要波段，太赫兹波探测对提升人类认知宇宙的能力有重要意义。太赫兹超导混频接收机是具有代表性的高灵敏天文探测设备。天线及混频芯片封装是太赫兹接收前端系统的关键组件。当前，太赫兹超导接收机多采用单独的金属喇叭天线和金属封装，很难进行高集成度阵列扩展。大规模太赫兹阵列接收机发展很大程度受到天线及芯片封装技术的制约。课题拟研究基于MEMS体硅工艺技术的适合大规模太赫兹超导接收阵列应用的0.4THz以上频段高性能集成波纹喇叭天线，及该天线与超导混频芯片一体化封装。通过电磁场理论分析、电磁场数值建模与...

加速度传感器是很早广泛应用的MEMS之一。MEMS，作为一个机械结构为主的技术，可以通过设计使一个部件(图中橙色部件)相对底座substrate产生位移（这也是绝大部分MEMS的工作原理），这个部件称为质量块（proofmass）。质量块通过锚anchor，铰链hinge，或弹簧spring与底座连接。铰链或悬臂梁部分固定在底座。当感应到加速度时，质量块相对底座产生位移。通过一些换能技术可以将位移转换为电能，如果采用电容式传感结构（电容的大小受到两极板重叠面积或间距影响），电容大小的变化可以产生电流信号供其信号处理单元采样。通过梳齿结构可以极大地扩大传感面积，提高测量精度，降低信号处理难度。加...

MEMS制作工艺-声表面波器件的特点： 1.声表面波具有极低的传播速度和极短的波长，它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF和UHF波段内，电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理，作为电磁器件的声学模拟声表面波器件SAW，它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此，在同一频段上，声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多，重量也随之大为减轻。 2.由于声表面波系沿固体表面传播，加上传播速度极慢，这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时，就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性，使它...

MEMS微纳加工的产业化能力与技术储备：公司在MEMS微纳加工领域构建了完整的技术体系与产业化能力，涵盖从设计仿真（使用COMSOL、Lumerical等软件）到工艺开发（10+种主流加工工艺）、批量生产（万级洁净车间，月产能50,000片）的全链条服务。技术储备方面，持续投入下一代微纳加工技术，包括：①纳米压印技术实现10nm级结构复制，支持单分子测序芯片开发；②激光诱导正向转移（LIFT）技术实现金属电极的无掩膜直写，加工速度提升5倍；③可降解聚合物加工工艺，开发聚乳酸基微流控芯片，适用于体内短期植入检测。在设备端，引进了电子束曝光机（分辨率5nm）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP，刻蚀速...

MEMS制作工艺-声表面波器件的特点： 1.由于声表面波器件是在单晶材料上用半导体平面工艺制作的，所以它具有很好的一致性和重复性，易于大量生产，而且当使用某些单晶材料或复合材料时，声表面波器件具有极高的温度稳定性。 2.声表面波器件的抗辐射能力强，动态范围很大，可达100dB。这是因为它利用的是晶体表面的弹性波而不涉及电子的迁移过程此外，在很多情况下，声表面波器件的性能还远远超过了很好的电磁波器件所能达到的水平。比如用声表面波可以作成时间-带宽乘积大于五千的脉冲压缩滤波器，在UHF频段内可以作成Q值超过五万的谐振腔，以及可以作成带外抑制达70dB、频率达1低Hz的带通滤波器 M...

三维微纳结构的跨尺度加工技术：跨尺度加工技术实现了从纳米级到毫米级结构的一体化制造，满足复杂微流控系统对多尺度功能单元的需求。公司结合电子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）与机械加工（精度10μm），在单一基板上构建跨3个数量级的微结构。例如，在类***培养芯片中，纳米级表面纹理（粗糙度Ra＜50nm）促进细胞黏附，微米级流道（宽度50μm）控制营养物质输送，毫米级进样口（直径1mm）兼容外部管路。加工过程中，通过工艺分层设计，先进行纳米结构制备（如EBL定义细胞外基质蛋白图案），再通过紫外光刻形成中层流道，***机械加工完成宏观接口，各层结构对准误差＜±2μm。该技术...

神经电子芯片的MEMS微纳加工技术与临床应用：神经电子芯片作为植入式医疗设备的**组件，对微型化、生物相容性及功能集成度提出了极高要求。公司依托0.35/0.18μm高压工艺，成功开发多通道神经电刺激SoC芯片，可实现无线充电与通讯功能，将控制信号转化为精细电刺激脉冲，用于神经感知、调控及阻断。以128像素视网膜假体芯片为例，通过MEMS薄膜沉积技术在硅基基板上制备高密度电极阵列，单个电极尺寸*50μm×50μm，间距100μm，确保对视网膜神经细胞的靶向刺激。芯片表面采用聚酰亚胺（PI）与氮化硅复合涂层，经120℃高温固化处理后，涂层厚度控制在5-8μm，有效抑制蛋白吸附与炎症反应，植入体寿...