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快恢复二极管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢复二极管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800...

快恢复二极管可用于交流或直流电源的整流回路，主要用于大电流、大功率的应用。其在电源中的主要优势在于快速恢复速度和减小反向恢复时间，从而降低开关损耗和提高系统效率。此外，快恢复二极管还具有反向漏电流小、热稳定性好等特点。在太阳能光伏逆变器中，快恢复二极管用于直流输入端的整流桥回路。由于其快速反向恢复速度，可以有效减小电池片输出的温度影响，提高光伏系统的效率。在变频器的输入端口以及输出端口中，快恢复二极管可以替代普通的整流二极管，降低开关噪声和损耗。此外，快恢复二极管具有快速反向恢复、反向漏电流小、抗干扰能力强等特点，适用于高频、高压、高温环境下的应用。 综上所述，快恢复二极管在电源、光伏、变频器...

快恢复二极管-ITO-220ACUF801F~UF810FVRM;100-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ACSF1505F~SF1560FVRM;50-600V,IF;15A快恢复二极管-ITO-220ACSF1005CT~SF1060CTVRM;50-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR1001FCT~MUR1010FCTVRM;100-600V,IF;10A快恢复二极管-ITO-220ACMUR805~MUR8100VRM;50-1000V,IF;8A快恢复二极管-ITO-220ABUF1000FCT-UF1008FCTVRM;50-800...

快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高。采用TO–220或TO–3P封装的大功率快恢复二极管，有单管和双管之分。双管的管脚引出方式又分为共阳和共阴。MUR1620CT二极管的主要参数。TO263封装的快恢复二极管...

电解用整流器的输出功率极大，每个整流臂往往由十几个乃至数十个整流元件并联组成，均流问题十分突出。关于电流不平衡的产生原因和解决措施，可参看本站有关电力电子快恢复二极管串、并联技术的文章，此处提示结构设计中的一些注意点。1)当并联快恢复二极管数很多，在结构上形成分支并联回路时，可以将快恢复二极管按正向压降接近程度分级分组，在可能流过较大电流的支路里，装配正向压降稍大的元件组。2)在快恢复二极管开通前后阳极-阴极间电压较高、开通后电流上升率较大时，常选用开通时间尽量一致的快恢复二极管。但由于快恢复二极管参数可选择的自由度太小，为了经济和维修更换方便，常和电路补偿方法结合使用。采用补偿后能使元件开通...

进行全部快恢复二极管一般地说用以较高频率的整流和续流。至于电源模块的输入部份，仿佛频率不高，无需用快恢复二极管，用一般而言二极管即可，但你要用它在电源电路中整流也是可以的。快恢复二极管分单管（一般而言两脚的）和对管（3脚的），对管内部涵盖两只快回复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。用它做全桥时，你得打算两只对管，一只共阴对管，一只共阳对管，而且电流要等于，所以你得测量一下拆下的管子究竟是共阴还是共阳，查查它们的相关参数如反向耐压、额定电流等。一般功放都是要求电源电流比起大的，所以你一定要查查原平常二极管的额定电流，看看变换的快恢复二极管是不是适于。至于它与一般...

确保模块的出力。2)DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它有着优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材质较相近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和下降热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以当作主电路端子和支配端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块有着有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3)电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂...

其型号为MFST)，由于这种模块与使用3～5平常整流二极管相比之下具反向回复时间(trr)短，反向回复峰值电流(IRM)小和反向回复电荷(Qrr)低的FRED，因而使变频的噪声减低，从而使变频器的EMI滤波电路内的电感和电容大小减少，价位下滑，使变频器更易合乎国内外抗电磁干扰(EMI)规范。1模块的构造及特征FRED整流桥开关模块是由六个超快恢复二极管芯片和一个大功率高压晶闸管芯片按一定电路连成后联合封装在一个PPS(加有40％玻璃纤维)外壳内制成，模块内部的电联接方法如图1所示。图中VD1～VD6为六个FRED芯片，互相联成三相整流桥、晶闸管T串接在电桥的正输出端上。图2示出了模块外形...

FRED的其主要反向关断属性参数为：反向回复时trr=ta+tb(ta一少数载流子在存储时间，tb一少数载流子复合时间)；反向回复峰值电流IRM；反向回复电荷Qrr=l／2trr×IRM以及表示器件反向回复曲线软度的软度因子S=tb／ta。而FRED的正向导通主要参数有：正向平均电流IF(AV)；正向峰值电压UFM；正向均方根电流IF(RMS)以及正向(不反复)浪涌电流IFSM。FRED的反向阴断属性参数为：反向反复峰值电压URRM和反向反复峰值电流IRRM。须要指出：反向回复时间trr随着结温Tj的升高，所加反向电压URRM的增高以及流过的正向电流IF(AV)的增大而增长，而主要用来测...

其型号为MFST)，由于这种模块与使用3～5平常整流二极管相比之下具反向回复时间(trr)短，反向回复峰值电流(IRM)小和反向回复电荷(Qrr)低的FRED，因而使变频的噪声减低，从而使变频器的EMI滤波电路内的电感和电容大小减少，价位下滑，使变频器更易合乎国内外抗电磁干扰(EMI)规范。1模块的构造及特征FRED整流桥开关模块是由六个超快恢复二极管芯片和一个大功率高压晶闸管芯片按一定电路连成后联合封装在一个PPS(加有40％玻璃纤维)外壳内制成，模块内部的电联接方法如图1所示。图中VD1～VD6为六个FRED芯片，互相联成三相整流桥、晶闸管T串接在电桥的正输出端上。图2示出了模块外形...

快恢复二极管可用于交流或直流电源的整流回路，主要用于大电流、大功率的应用。其在电源中的主要优势在于快速恢复速度和减小反向恢复时间，从而降低开关损耗和提高系统效率。此外，快恢复二极管还具有反向漏电流小、热稳定性好等特点。在太阳能光伏逆变器中，快恢复二极管用于直流输入端的整流桥回路。由于其快速反向恢复速度，可以有效减小电池片输出的温度影响，提高光伏系统的效率。在变频器的输入端口以及输出端口中，快恢复二极管可以替代普通的整流二极管，降低开关噪声和损耗。此外，快恢复二极管具有快速反向恢复、反向漏电流小、抗干扰能力强等特点，适用于高频、高压、高温环境下的应用。 综上所述，快恢复二极管在电源、光伏、变频器...

在实际应用时，用到30V时，则trr约为35ns，而用到350V时，trr》35ns，trr还随着结湿上升而增加，Tj=125℃时的trr,约为25℃时的2倍左右。同时，trr还随着流过正向峰值电流IFM的増加而增加。IRM和Qrr主要是用来计算FRED的功耗和RC电路，但他们亦随结温的升高而増大。125℃结温时的Qrr是25℃时的约、而125℃结温时的Qrr是25℃时的近3倍以上。因此，在选用FRED时必须充分虑这些参数的测试条件、以便作必要的调整。因此，trr短，IRM小和S大的FRED模块是逆变电路中的二极管，而trr短和Qrr小的FRED，使逆变电路中的开关器件和二极管的损耗减少...

所述容纳腔的内部也填入有冰晶混合物。所述散热杆至少设有四根。所述金属材质为贴片或者铜片中的一种，所述封装外壳的表面涂覆有绝缘涂层。所述绝缘涂层包括电隔离层和粘合层，所述粘合层涂覆在封装外壳的外表面，所述电隔离层涂覆在所述粘合层的外表面，所述电隔离层为pfa塑料制成的电隔离层，所述电隔离层为单层膜结构、双层膜结构或多层膜结构。（三）有益于效用本实用新型提供了一种高压快回复二极管芯片，具有有以下有益于效用：本实用设立了芯片本体，芯片本体裹在热熔胶内，使其不收损害，热熔胶封装在封装外壳内，多个散热杆呈辐射状固定在所述芯片本体上，封装外壳的壳壁设有容纳腔，容纳腔与散热杆的内部连接，芯片工作产生热...

2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有...

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前，行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种：玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）。二极管的GPP工艺结构，其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构，其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）特性对比玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工艺由于结构的不同，当有外力产生时，冷热冲击，OJ工艺结构的二极管，由于保护胶和硅...

继电器线圈可以储存能量的（线圈会阻止电流的突变，即电流只能慢慢增大和减少），如果一下使线圈断电，它两端就会产生很大的电压，这样就可能使线圈损坏、相连接的元器件击穿。这时，我们只要在线圈两端接上快恢复二极管，便可以使它产生一个回路（断电时相当于在线圈两端接根短路线），使线圈储存的能量放完。这个快恢复二极管在这里起到续流的作用，我们通常称它为续流快恢复二极管。电感在电路中常用“L”加数字表示，电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交...

快恢复二极管是极有发展前景的电力、电子半导体器件。性能特点1）反向恢复时间反向恢复时间trr的概念是：电流通过零点由正向变换到规定低值的时间间距。它是衡量高频续流及整流器件性能的主要技术指标。IF为正向电流，IRM为反向回复电流。Irr为反向回复电流，当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压忽然变为反向电压，因此正向电流很快下降，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR日渐增大；在t=t2日子达到反向回复电流IRM值。此后受正向电压的效用，反向电流日趋减少，并在t=t3日子达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相像之...

电力电子器件的缓冲电路(snubbercircuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。IGBT的缓冲电...

确保模块的出力。2)DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它有着优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材质较相近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和下降热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以当作主电路端子和支配端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块有着有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3)电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂有...

管质量的好坏取决于芯片工艺。目前，行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种：玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）。二极管的GPP工艺结构，其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构，其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）特性对比玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工艺由于结构的不同，当有外力产生时，冷热冲击，OJ工艺结构的二极管，由于保护胶和硅片不...

确保模块的出力。2)DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它有着优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材质较相近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和下降热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以当作主电路端子和支配端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块有着有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3)电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂...

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前，行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种：玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）。二极管的GPP工艺结构，其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构，其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）特性对比玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工艺由于结构的不同，当有外力产生时，冷热冲击，OJ工艺结构的二极管，由于保护胶和硅...

由于环境的影响，特别是在湿度大或带粉尘的环境下，往往会使触头毁损，另外接触器接通和断开时产生电弧，导致接触器寿命缩短而毁坏，从而严重影响变频器的安定精确工作。为了化解上述存在的疑问，用FRED替代平常整流二极管，使用晶闸管替代机器接触器，制成的“三相FRED整流桥开关模块”，这种模块用以变频器后，能使变频器性能提高、体积缩小、重量减轻、工作安定确实。“三相整流二极管整流桥开关模块”(型号为MDST)是由六个平常整流二极管和一个晶闸管构成，它已普遍用以VVVT、SMPS、UPS、逆变焊机以及伺服电机驱动放大器等具直流环节的变频设备，并已获取很大成效。用超快恢复二极管(FRED)替代一般而言整流管...

快恢复二极管的总功率损耗与正向通态压降VF，通态电流IF，反向电压VR,反向漏电流IR，正向过冲电压Vfp，反向恢复漏电流峰值Irp。以及反向电流下降时间tb等有关。尽管如此，对于给定的快恢复二极管应用，通态电流和反向电压通常应用电路决定的，只要不超过额定使用条件即可。然而在给定的IF和VR条件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二极管的特性却是由所使用的快恢复二极管本身的性能决定的。我们能通过算式5清楚地看到，上述任何一个参数的升高都将导致功率损耗的増加。相反地，如果我们能够降低其中的某些参数值，则可以降低功率损耗，在所有的功率损耗中，通态损耗所占比例，因此降低通态损耗是降低总功率损...

二极管质量的好坏取决于芯片工艺。目前，行业内使用的二极管芯片工艺主要有两种：玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）。二极管的GPP工艺结构，其芯片P-N结是在钝化玻璃的保护之下。玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而二极管的OJ工艺结构，其芯片P-N结是在涂胶的保护之下。采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化，保护P-N结获得电压。OJ的保护胶是覆盖在P-N结的表面。玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）特性对比玻璃钝化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工艺由于结构的不同，当有外力产生时，冷热冲击，OJ工艺结构的二极管，由于保护胶和硅...

这种铜底板尚存在一定弧度的焊成品，当模块压装在散热器上时，能保证它们之间的充分接触，有利于热传导，从而使模块的接触热阻降低，有利于模块的出力和可靠性。(3)由于FRED模块工作于高频(20kHZ以上)，因此，必须在结构设计要充分考虑消除寄生电感等问题，为此，在电磁等原理基础上，充分考虑三个主电极形状、布局和走向，同时对键合铝丝长短和走向也作了合适安排。以减少模块内部的分布电感，确保二单元的分布电感一致，从而解决模块的噪音和发热问题，提高装置效率。3.主要技术参数图3是FRED模块导通和关断期间的电流和电压波形图，它显示了FRED器件从正向导通到反向恢复的全过程。其主要关断特性参数为：反向...

选择快恢复二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。快恢复二极管的反向恢复时间为电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定低值的时间间隔，实际上是释放快恢复二极管在正向导通期间向PN结的扩散电容中储存的电荷。反向恢复时间决定了快恢复二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用，如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短，则快恢复二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复时间...

确保模块的出力。2)DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它有着优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材质较相近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和下降热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以当作主电路端子和支配端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块有着有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3)电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂...

快恢复二极管的总功率损耗与正向通态压降VF，通态电流IF，反向电压VR,反向漏电流IR，正向过冲电压Vfp，反向恢复漏电流峰值Irp。以及反向电流下降时间tb等有关。尽管如此，对于给定的快恢复二极管应用，通态电流和反向电压通常应用电路决定的，只要不超过额定使用条件即可。然而在给定的IF和VR条件下的VF，IR，Vrp，Irp和tb等二极管的特性却是由所使用的快恢复二极管本身的性能决定的。我们能通过算式5清楚地看到，上述任何一个参数的升高都将导致功率损耗的増加。相反地，如果我们能够降低其中的某些参数值，则可以降低功率损耗，在所有的功率损耗中，通态损耗所占比例，因此降低通态损耗是降低总功率损...

确保模块的出力。2)DBC基板：它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成，它有着优良的导热性、绝缘性和易焊性，并有与硅材质较相近的热线性膨胀系数(硅为4．2×10-6／℃，DBC为5．6×10-6／℃)，因而可以与硅芯片直接焊接，从而简化模块焊接工艺和下降热阻。同时，DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形，以当作主电路端子和支配端子的焊接支架，并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘，使模块有着有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3)电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂有...