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物理性质氧化铪（HfO2）是白色晶体粉末。纯氧化铪以三种形式存在，一种是无定型状态，另外两种为晶体。在＜400℃煅烧氢氧化铪、氧氯化铪等不稳定的化合物时，可以得到无定型氧化铪。将其氧化铪继续加热至450~480℃，开始转化为单斜晶体，继续加热至1000~1650℃发生晶格常数逐步增加的趋势，并转化为4个氧化铪分子的单体。当1700~1865℃Chemicalbook时开始转化为四方晶系。向氧化铪中添加少量氧化镁、氧化钙、氧化锰等氧化铪，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶体。如向氧化铪中加8%~20%氧化钙，则晶格常数α相应从0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量达到形成Ca...

氧化铪是一种化学物质，分子式是HfO?。中文名氧化铪，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文别名氧化铪(IV)，CAS:12055-23-1，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888，毒理学数据主要的刺激性影响在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜在眼睛上面：刺激的影响致敏作用：没有已知的敏化现象。性质与稳定性常温常压下稳定避免的物料酸。合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用途用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料。氧化铪的生态学资料？广东氧化铪的安全风险产品特点：白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和...

应用领域金属锆及其化合物的原料用于制金属锆和锆化合物、制耐火砖和坩锅、高频陶瓷、研磨材料、陶瓷颜料和锆酸盐等主要用于压电陶瓷制品、日用陶瓷、耐火材料及贵重金属熔炼用的锆砖、锆管、坩埚等。也用于生产钢及有色金属、光学玻璃和二氧化锆纤维。还用于陶瓷颜料、静电涂料及烤漆。用于环氧树脂中可增加耐热盐水的腐蚀。耐火材料氧化锆纤维是一种多晶质耐火纤维材料。由于ZrO2物质本身的高熔点、不氧化和其他高温优良特性，使得ZrO2纤维具有比氧化铝纤维、莫来石纤维、硅酸铝纤维等其他耐火纤维品种更高的使用温度。氧化锆纤维在1500℃以上超高温氧化气氛下长期使用，最高使用温度高达2200℃，甚至到2500℃仍可保持完整...

应用领域氧化铪（HfO2）为锆铪分离的产物，目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr，并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少，价格昂贵。作为铪的主要化学产品，通常用作光学镀膜材料，很少量开始试用于高效集成电路，氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大Chemicalbook，捕获中子的能力强，化学性质特别稳定，因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来，光学镀膜得到了很快的发展，HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求，所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***，特...

氧化铪又称氧化铪(IV)，它是一种无机化工产品，其分子式为HfO2，分子量为210.4888。存储方法常温密闭，阴凉通风干燥。合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。主要用途用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料。系统编号CAS号：12055-23-1MDL号：MFCD00003565EINECS号：235-013-2PubChem号：24873674，毒理学数据主要的刺激性影响：在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜在眼睛上面：刺激的影响致敏作用：没有已知的敏化现象氧化铪的安全操作的注意事项？品质好的氧化铪环境危害中文名氧化铪(IV)英文名Hafnium(IV)o...

氧化铪性质熔点2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形态powder颜色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS数据库12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化学物质信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化铪（HfO2）是白色晶体粉末。纯氧化铪以三种形式存在，一种是无定型状态，另外两种为晶体。在＜400℃煅烧氢氧化铪、氧氯化铪等不稳定的...

产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄，但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶...

性质氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪[ChemicalbookHf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。应用领域氧化铪的化学式是多少？吉林氧化铪理化性质应用领域氧化铪（HfO2）为锆铪分离的...

应用领域氧化铪（HfO2）为锆铪分离的产物，目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr，并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少，价格昂贵。作为铪的主要化学产品，通常用作光学镀膜材料，很少量开始试用于高效集成电路，氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大Chemicalbook，捕获中子的能力强，化学性质特别稳定，因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来，光学镀膜得到了很快的发展，HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求，所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***，特...

CAS号:12055-23-1英文名称:HAFNIUMOXIDE英文同义词:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪;氧化铪粉;氧化铪毡;纳米氧化铪;纳米二氧化铪;氧化铪25G;氧化铪布,缎纹;氧化铪纤维散棉;氧化铪(IV);氧化铪(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧...

氧化铪物理化学性质密度9.68熔点2812oC分子式HfO2分子量210.48900精确质量211.93600PSA34.14000外观性状粉末折射率2.13(1700nm)储存条件常温密闭，阴凉通风干燥稳定性常温常压下稳定避免的物料酸计算化学1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：23、可旋转化学键数量：04、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.15、重原子数量：36、表面电荷：07、复杂度：18.38、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中心数量：013、共价键单元数量：1。氧化铪的用途与合成方...

氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪Chemicalbook[Hf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。氧化铪是什么材料呢？辽宁氧化铪理化性质应用领域金属锆及其化合物的原料用于制金属锆和锆化合物...

二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。基本信息中文名二氧化铪英文名Hafnium(IV)oxide别称氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料，应用二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧...

氧化铪又称氧化铪(IV)，它是一种无机化工产品，其分子式为HfO2，分子量为210.4888。产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄，但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升...

计算化学数据1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：23、可旋转化学键数量：04、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.15、重原子数量：36、表面电荷：07、复杂度：18.38、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中心数量：013、共价键单元数量：1。生态学数据通常对水是不危害的，若无**许可，勿将材料排入周围环境。性质与稳定性常温常压下稳定避免的物料酸。氧化铪的生态学资料？海南氧化铪身体防护氧化铪又称氧化铪(IV)，它是一种无机化工产品，其分子式为HfO2，分子量为210.4888。产品特性与用途...

产品特点：白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。氧化铪 性质熔点 2810 °C密度 9.68 g/mL at 25 °C(lit.)折射率 2.13 (1700 nm)热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用：二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它可能替代目前硅基集成电路的*...

性质白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和10.43g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。 应用二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?...

产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄，但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升高，所以急需一种更可行的物质来取代二氧化硅作为栅介质。二氧化铪是一种具有宽带隙和高介电常数的陶...

氧化铪MSDS1.1产品标识符:Hafnium(IV)oxide化学品俗名或商品名1.2鉴别的其他方法无数据资料1.3有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途*供科研用途，不作为药物、家庭备用药或其它用途。模块2.危险性概述2.1GHS分类根据全球协调系统(GHS)的规定，不是危险物质或混合物。2.3其它危害物-无模块3.成分/组成信息3.1物质:HfO2分子式:210.49g/mol分子量成分浓度Hafniumdioxide-化学文摘编号(CASNo.)12055-23-1EC-编号235-013-2模块4.急救措施4.1必要的急救措施描述如果吸入如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。...

化学性质氧化铪的化学性质与氧化锆相似，其活性与煅烧温度有关，煅烧温度越高，化学活性性越低。无定型氧化铪容易溶解于酸中，但是结晶型氧化铪即使是在热盐酸或者是硝酸中也不发生反应，而*溶于热浓的氢氟酸和硫酸中。结晶型氧化铪与碱和盐酸溶后，则容易稀酸中。在1100℃下，氧化铪与铪酸锂。在高Chemicalbook于1500℃氧化铪与碱土金属氧化铪与二氧化硅等作用，生成铪酸盐和硅酸铪。在1800℃以上与氧化硅组成一系列的固溶体。铪盐水解可以得到两性的氢氧化铪，氢氧化铪在100℃下干燥能够达到HfO(OH)2，再升高温度即转换为氧化铪。在碳化过程中可有Hf2O3与HfO形成，但是对此研究较少。性质氧化铪为...

二氧化铪(HfO2)是铪元素的一种氧化物，常温常压下为白色固体。基本信息中文名二氧化铪英文名Hafnium(IV)oxide别称氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料，应用二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。氧...

用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。生产方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通Chemicalbook过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。安全信息安全说明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海关编码28259085应用领域氧化铪（HfO2）为锆铪分离的产物，目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr，并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少，价格昂贵。作为铪的主要化学产品，通常用作光学镀膜材料，很少量开始试用于高效集成电路，氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HfO2的熔点比较高、同...

氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪Chemicalbook[Hf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高温灼烧制取。氧化铪是什么形状的？品质好的氧化铪近期价格氧化铪更多1.性状：白色粉末。2.密度（g/mL...

文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化铪(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化铪,99.95%,(METALS...

中文名二氧化铪外文名Hafnium(IV)oxide别名氧化铪(IV)化学式HfO2分子量210.49CAS登录号12055-23-1EINECS登录号235-013-2熔点2758℃沸点5400℃水溶性难溶于水密度9.68g/cm3外观白色固体应用远红外波段材料 性质白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和10.43g/cm3。熔点2780～2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。...

产品特点：白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用：二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si...

CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2相关类别:稀有金属;通用试剂;催化和无机化学;粉体;铪;氧化物;无机物;化工原料;Inorganics;Hafnium;MChemicalbooketalandCeramicScience;Oxides;metaloxide;construction;material;常规氧化物粉体-氧化铪;氧化物-氧化铪;无机粉体;金属粉末Mol文件:12055-23-1.mol氧化铪性质熔点2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形态powder颜色Off-wh...

氧化铪又称氧化铪(IV)，它是一种无机化工产品，其分子式为HfO2，分子量为210.4888。产品特性与用途二氧化铪(HfO2)是一种具有较高介电常数的氧化物。作为一种介电材料，因其较高的介电常数值(~20)，较大的禁带宽度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的稳定性，HfO2被认为是替代场效应晶体管中传统SiO2介电层的理想材料。如果互补金属氧化物半导体器件尺寸低于1μm，以二氧化硅为传统栅介质的技术会带来芯片的发热量增加、多晶硅损耗等一系列问题，随着晶体管的尺寸缩小，二氧化硅介质要求必须越来Chemicalbook越薄，但是漏电流的数值会因为量子效应的影响随着二氧化硅介质厚度的较小而急剧升...

CAS号:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS号:235-013-2相关类别:稀有金属;通用试剂;催化和无机化学;粉体;铪;氧化物;无机物;化工原料;Inorganics;Hafnium;MChemicalbooketalandCeramicScience;Oxides;metaloxide;construction;material;常规氧化物粉体-氧化铪;氧化物-氧化铪;无机粉体;金属粉末Mol文件:12055-23-1.mol氧化铪性质熔点2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形态powder颜色Off-wh...

用途为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。生产方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。性质氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪[ChemicalbookHf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。制备氧化铪可由铪的碳化...