按封装形式：

IGBT 单管：将单个 IGBT 芯片与 FRD（快速恢复二极管）芯片以分立式晶体管的形式封装在铜框架上，封装规模小，电流较小，适用于消费和工业家电等对功率要求不高的场景。

IGBT 模块：将多个 IGBT 芯片与 FRD 芯片通过特定电路桥接而成的模块化产品，具有更高的集成度和散热稳定性，常用于对功率要求较高的场合，如工业变频器、新能源汽车等。

按内部结构：

穿通 IGBT（PT - IGBT）：发射极接触处具有 N + 区，包括 N + 缓冲层，也叫非对称 IGBT，具有不对称的电压阻断能力，其特点是导通压降较低，但关断速度相对较慢，适用于对导通损耗要求较高的应用，如低频、大功率的变流器。

非穿通 IGBT（NPT - IGBT）：没有额外的 N + 区域，结构对称性提供了对称的击穿电压特性，关断速度快，开关损耗小，但导通压降相对较高，常用于高频、开关速度要求高的场合，如开关电源、高频逆变器等。 IGBT模块在家用电器中作为开关元件，控制电源通断。深圳4-pack四单元igbt模块

IGBT模块主要由IGBT芯片、覆铜陶瓷基板（DBC基板）、键合线、散热基板、二极管芯片、外壳、焊料层等部分构成：IGBT芯片：是IGBT模块的重要部件，位于模块内部的中心位置，起到变频、逆变、变压、功率放大、功率控制等关键作用，决定了IGBT模块的基本性能和功能。其通常由不同掺杂的P型或N型半导体组合而成的四层半导体器件构成，栅极和发射极在芯片上方（正面），集电极在下方（背面），芯片厚度较薄，一般为200μm左右。为保证IGBT芯片之间的均流效果，在每个芯片的栅极内部还会集成一个电阻。广东4-pack四单元igbt模块IGBT模块在充电桩领域的应用推动了市场规模的增长。

结合MOSFET和BJT优点：IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（双极功率晶体管）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

电压型控制：输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大。

电能传输与分配：在高压直流输电（HVDC）系统中，IGBT 模块组成的换流器可实现将交流电转换为直流电进行远距离传输，然后在受电端再将直流电转换为交流电接入当地电网。这样可以减少电能在传输过程中的损耗，提高输电效率和可靠性。此外，在智能电网的分布式发电、储能系统以及微电网中，IGBT 模块也起着关键的电能分配和管理作用，确保电能能够在不同的电源和负载之间灵活、高效地传输。

功率放大：在一些需要高功率输出的设备中，如音频放大器、射频放大器等，IGBT 模块可以将输入的小功率信号放大为具有足够功率的输出信号，以驱动负载工作。例如在专业音响系统中，IGBT 模块组成的功率放大器能够将音频信号放大到足够的功率，推动扬声器发出响亮、清晰的声音。 罐封技术保证IGBT模块在恶劣环境下的运行可靠性。

高效电能转换：IGBT 模块能够实现直流到交流（逆变）、交流到直流（整流）以及交直流电压变换等功能，且在转换过程中具有较高的效率。例如在新能源汽车的充电桩中，它可将电网的交流电转换为适合给汽车电池充电的直流电，同时在车载逆变器中，又能将电池的直流电转换为交流电，为车内的空调、音响等交流设备供电。

精确电力控制：IGBT 模块可以通过控制其栅极电压来精确地控制其导通和关断，从而实现对电路中电流、电压的精确控制。在电机驱动系统中，通过调节 IGBT 模块的导通时间和频率，可以精确控制电机的转速和扭矩，使电机能够根据实际需求高效运行，广泛应用于工业自动化中的电机调速、机器人控制等领域。 IGBT模块封装过程中焊接技术影响运行时的传热性。深圳4-pack四单元igbt模块

IGBT模块外壳实现绝缘性能，要求耐高温、不易变形。深圳4-pack四单元igbt模块

散热基板：一般由铜制成，因为铜具有良好的导热性，不过也有其他材料制成的基板，例如铝碳化硅（AlSiC）等。铜基板的厚度通常在3 - 8mm。它是IGBT模块的散热功能结构与通道，主要负责将IGBT芯片工作过程中产生的热量快速传递出去，以保证模块的正常工作温度，同时还发挥机械支撑与结构保护的作用。二极管芯片：通常与IGBT芯片配合使用，其电流方向与IGBT的电流方向相反。二极管芯片可以在IGBT关断时提供续流通道，防止电流突变产生过高的电压尖峰，保护IGBT芯片免受损坏。深圳4-pack四单元igbt模块