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上海肖特基二极管MBRF20150CT

来源: 发布时间:2024-07-08

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   肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管的作用肖特基二极管的作用如下:肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。明显的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用,是在双极型晶体管BJT的开关电路里面,通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位,使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态,从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS,74ALS,74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下,它的正向压降要小许多。TO220F封装的肖特基二极管MBR40100PT常州市国润电子有限公司为您提供肖特基二极管 ,期待为您服务!

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巨资对碳化硅材料和器件进行研究。美国部从20世纪90年代就开始支持碳化硅功率器件的研究,在1992年就成功研究出了阻断电压为400V的肖特基二极管。碳化硅肖特基势垒二极管于21世纪初成为首例市场化的碳化硅电力电子器件。美国Semisouth公司研制的SiCSBD(100A、600V、300℃下工作)已经用在美国空军多电飞机。由碳化硅SBD构成的功率模块可在高温、高压、强辐射等恶劣条件下使用。目前反向阻断电压高达1200V的系列产品,其额定电流可达到20A。碳化硅SBD的研发已经达到高压器件的水平,其阻断电压超过10000V,大电流器件通态电流达130A的水平。[1]SiCPiN的击穿电压很高,开关速度很快,重量很轻,并且体积很小,它在3KV以上的整流器应用领域更加具有优势。2000年Cree公司研制出KV的台面PiN二极管,同一时期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的台面PiN二极管。2005年Cree公司报道了10KV、V、50A的SiCPiN二极管,其10KV/20APiN二极管系列的合格率已经达到40%。SiCMOSFET的比导通电阻很低,工作频率很高。肖特基二极管 ,就选常州市国润电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎新老客户来电!

肖特基二极管的特性和应用是一个非常而且复杂的话题,这里总结了一些关键的特性和应用方面。除了上述提到的优点和应用外,肖特基二极管还在一些特殊的应用领域有着独特的作用,例如:1.太阳能电池:肖特基二极管被应用于太阳能电池中,用于防止夜间或云层遮挡导致的逆向电流损耗,从而提高太阳能电池组件的效率和稳定性。2.混频器和检波器:在收音机、雷达等射频电路中,肖特基二极管被应用于混频器和检波器电路中,用于调制解调和信号处理。肖特基二极管 ,就选常州市国润电子有限公司,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!广东肖特基二极管MBRF3045CT

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肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管",是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大,变容肖特基二极管的电容量一般较小,其值为几十皮法到几百皮法,区容与电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。当外加顺向偏压时,有大量电流产生,PN(正负极)结的耗尽区变窄,电容变大,产生扩散电容效应;当外加反向偏压时,则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生,所以在应用上均供给反向偏压。肖特基二极管应用SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频,在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD,像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流,在高速计算机中被采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外,用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗,一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。上海肖特基二极管MBRF20150CT

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