电力电子器件的缓冲电路(snubbercircuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。晶闸管开通时，为了防止过大的电流上升率而烧坏器件，往往在主电路中串入一个扼流电感，以限制过大的di/dt，串联电感及其配件组成了开通缓冲电路，或称串联缓冲电路。晶闸管关断时，电源电压突加在管子上，为了抑制瞬时过电压和过大的电压上升率，以防止晶闸管内部流过过大的结电容电流而误触发，需要在晶闸管的两端并联一个RC网络，构成关断缓冲电路，或称并联缓冲电路。IGBT的缓冲电路功能更侧重于开关过程中过电压的吸收与抑制，这是由于IGBT的工作频率可以高达30~50kHz;因此很小的电路电感就可能引起颇大的LdiC/dt，从而产生过电压，危及IGBT的安全。PWM逆变器中IGBT在关断和开通中的uCE和iC波形。在iC下降过程中IGBT上出现了过电压，其值为电源电压UCC和LdiC/dt两者的叠加。IGBT缓冲电路中的二极管必须是快恢复的二极管，电容必须是高频、损耗小，频率特性好的薄膜电容。这样才能取得好的吸收效果。 MUR3020CS是什么类型的管子？浙江快恢复二极管MURB3040CT

    这一圈套起到了一定的限制效用，使电子不易抽走，而与空穴在此复合，从而延长了反向恢复时间中tb这一段，提高了迅速二极管的软度因子S。3．快速软恢复二极管模块通态特点显示，在额定电流下正向电压降不受温度影响，从而使它更适用于并联工作。在125℃时的动态损耗比标准化掺铂FRED减小50%。以上特点使得该软恢复二极管特别适宜工业应用。运用上述FRED二极管和SONIC二极管我们开发了迅速软恢复二极管模块，有绝缘型和非绝缘型二大类，绝缘型电流从40A～400A，电压达到1200V，绝缘电压大于2500V，反向回复时间很小为40ns；非绝缘型电流为200A（单管100A），电压从400V至1200V，反向回复时间根据用户要求，可从40ns至330ns。由于使用模块构造，寄生电感较小，并且预防了高频干扰电压和过电压尖峰。下面为200A绝缘型和非绝缘型迅速软恢复二极管模块外观和大小以及连接图。图6200A绝缘型快速软恢复二极管模块图7200A非绝缘型双塔结构超快速二极管模块4.迅速软恢复二极管及其模块的应用快速软恢复二极管的阻断电压范围宽，使它们能够作为开关电源(SMPS)的输出整流器，以及逆变器和焊接电源中的功率开关的保护二极管和续流二极管。湖北快恢复二极管MUR1060CAMUR3040CD是什么类型的管子？

    下降开关速度或采用缓冲电路可以减低尖峰电压。增加缓冲电路会增加电路成本并且使电路设计变繁复。这都是我们所不期望的。本文介绍了迅速软恢复二极管及其模块。该模块电压范围从400V到1200V，额定电流从60A～400A不等。设计上该模块使用外延二极管芯片，该芯片使用平面结终止结构，玻璃钝化(图1)并有硅橡胶维护。恢复特点如图2所示。图1图2快速软恢复二极管的基区和正极之间使用缓冲层构造，使得在空间电荷区扩张后的剩余基区内驻留更多的残存电荷，并且驻留时间更长，提高了二极管的软度。快回复二极管的软度由图2定义。软度因子反向峰值电压由下式确定：VR为加在二极管上的反向电压。二极管道软度因子越大，在关断过程中产生的反向峰值电压越低，使开关器件及整个电路处于较安全的状况。一般国内生产的迅速二极管其反向回复时间较长，大概在1～6μs，软度因子约为，国内有多家整流器制造公司也在研究迅速软恢复二极管，电流较大，但软度因子在～。传统的迅速整流二极管用到掺金或铂的外延片以支配载流子寿命，但这些二极管表现出了以下的技术缺陷：1．正向电压降Vf随着温度的升高而下降；2．高温下漏电流大；3．高温下迅速di/dt时开关不平稳。

    我们都知道在选择快恢复二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的快恢复二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的障碍。环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，快恢复二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对该快恢复二极管的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：快恢复二极管的导通压降与环境温度成反比。在环境温度为-45℃时虽导通压降达到峰值，却不影响快恢复二极管的稳定性，但在环境温度为75℃时，外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃，则该快恢复二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 快恢复二极管的型号有哪些？

    迅速软恢复二极管模块化技术与应用著者：海飞乐技术时间：2018-05-2320:43摘要在高频应用中为了减小电路损耗和防范过电压尖峰对器件的损坏，需迅速软恢复二极管。硬开关过程中存在二极管反向回复电流（Irm）增加了开关器件开通损耗率和过电压尖峰，并且在迅速di/dt开关时能够产生电磁干扰。本文介绍了使用特别工艺设计的迅速软恢复二极管。该二极管是为高频应用而设计的，在高频应用方面有着平稳的开关属性。本文还介绍了用该二极管制造的200A绝缘型和非绝缘型迅速软恢复二极管模块及其应用。1．快速软恢复二极管介绍大功率快速软恢复二极管主要运用在高频电力电子电路中，它与主回路中的晶闸管或IGBT等新型电力半导体开关器件相并联，开关器件反向时，流过负载中的无功电流，减少电容的充电时间，同时抑止因负载电流瞬时反向而感应的过电压尖峰。为了提高开关器件及电力电子线路的可靠性和稳定性，须要采用迅速软恢复二极管。快速软恢复二极管可以减小高频电路的损耗。在硬开关过程中存在的主要疑问是：二极管反向回复电流（Irm）增加了开关器件开通损耗率，并且在迅速di/dt开关时能够产生电磁干扰。如果反向回复电流迅速返回零点，就会产生尖峰电压和电磁干扰。MURF2020CT是什么类型的管子？四川快恢复二极管MUR3060CTR

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    GPP和OJ芯片工艺的区别就在P-N结的保护上。OJ结构的产品，采用涂胶保护结，然后在200度左右温度进行固化。保护P-N结获得电压。GPP结构的产品，芯片的P-N结是在钝化玻璃的保护之下，玻璃是将玻璃粉采用800度左右的烧结熔化，冷却后形成玻璃层。这玻璃层和芯片熔为一体，无法用机械的方法分开。而OJ的保护胶，是覆盖在P-N结的表面。3．特性比较1）由于结构的不同，当有外界应力产生（比如进行弯角处理），器件进行冷热冲击，如果塑料封装体有漏气，等等情况下。OJ的产品，其保护胶和硅片结合的不牢固，就会出现保护不好的情况，使器件出现一定比率的失效。GPP产品则不会出现类似的情况。2）GPP二极管的可靠性高。首先，GPP常温下，漏电比OJ的就要小。尤其重要的是HTRB（高温反向偏置，是衡量产品可靠性的重要标志参数）GPP要好很多，OJ的产品能承受100度左右的HTRB。而GPP在温度达到150度时，仍然表现非常出色。4．说明：以前OJ的产品限于DO系列的轴向封装，所以很多客户都使用片式封装（SMD）产品。因为片式产品，当时只能使用GPP芯片进行封装。但是，现在也出现了片式封装OJ产品。所以在选用上一定要注意分清。 浙江快恢复二极管MURB3040CT