肖特基二极管和快恢复二极管两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，将导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(SchottkyBarrierDiode)，具有正向压降低()、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。这两种管子通常用于开关电源。肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~!前者的优点还有低功耗，大电流。 MBR60200PT是什么种类的管子？四川肖特基二极管MBR30150PT

    反向漏电流的组成主要由两部分：一是来自肖特基势垒的注入；二是耗尽层产生电流和扩散电流。[2]二次击穿产生二次击穿的原因主要是半导体材料的晶格缺陷和管内结面不均匀等引起的。二次击穿的产生过程是：半导体结面上一些薄弱点电流密度的增加，导致这些薄弱点上的温度增加引起这些薄弱点上的电流密度越来越大，温度也越来越高，如此恶性循环引起过热点半导体材料的晶体熔化。此时在两电极之间形成较低阻的电流通道，电流密度骤增，导致肖特基二极管还未达到击穿电压值就已经损坏。因此二次击穿是不可逆的，是破坏性的。流经二极管的平均电流并未达到二次击穿的击穿电压值，但是功率二极管还是会产生二次击穿。[2]参考资料1.孙子茭．4H_SiC肖特基二极管的研究：电子科技大学，20132.苗志坤．4H_SiC结势垒肖特基二极管静态特性研究：哈尔滨工程大学，2013词条标签：科学百科数理科学分类。浙江肖特基二极管MBR1045CTMBR2045CT是什么种类的管子？

    在高温下能够稳定的工作，它在功率器件领域很有应用前景。目前国际上报道的几种结构：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET，以及SIAFET等。2008年报道的双RESURF结构LDMOS，具有1550V阻断电压.[1]碳化硅肖特基二极管2碳化硅肖特基二极管SBD在导通过程中没有额外载流子的注入和储存，因而反向恢复电流小，关断过程很快，开关损耗小。传统的硅肖特基二极管，由于所有金属与硅的功函数差都不很大，硅的肖特基势垒较低，硅SBD的反向漏电流偏大，阻断电压较低，只能用于一二百伏的低电压场合且不适合在150℃以上工作。然而，碳化硅SBD弥补了硅SBD的不足，许多金属，例如镍、金、钯、钛、钴等，都可以与碳化硅形成肖特基势垒高度1eV以上的肖特基接触。据报道，Au/4H-SiC接触的势垒高度可达到eV，Ti/4H-SiC接触的势垒比较低，但也可以达到eV。6H-SiC与各种金属接触之间的肖特基势垒高度变化比较宽，低至eV，高可达eV。于是，SBD成为人们开发碳化硅电力电子器件首先关注的对象。它是高压快速与低功率损耗、耐高温相结合的理想器件。目前国际上相继研制成功水平较高的多种类的碳化硅器件。[1]SiC肖特基势垒二极管在1985年问世，是Yoshida制作在3C-SiC上的。

    6、肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容肖特基二极管的电容量一般较小，其值为几十皮法到几百皮法，区容与电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。肖特基二极管应用SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对指定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。MBR10100CT是什么类型的管子？

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LOWVF沟槽系列肖特基二极管具有极其低的正向压降和极低的反向漏电流，使用在电源供应器的高温环境，有效的避免热跑脱困扰。LOWVF沟槽系列肖特二极管很好地改善了热和效率的问题，也改善了质量的问题，符合终端客户的能源之星规范。采用GPP工艺芯片，采用高纯度的无氧铜框架，令产品的导电性能非常用良好，而塑封用的环保黑胶，气密性良好，导热性优良，令产品工作时的散热效果非常好，以上优势使产品长久稳定的工作。低压降肖特基二极管应用：广泛应用于开关电源，变频器，驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用。四川肖特基二极管MBR30150PT

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