不会在整流段引起波形的变形，没有关断角的削波现象，并且用大电容滤波，因此谐波数小对电网的干扰小。可控硅电源较高频的优势：随着我国工业化进程的飞速发展,感应加热领域也再快速发展.由于环保要求以及煤炭涨价,用焦煤加热不仅不符合环保要求,而且在价格和经济上也非常的不合算.另一方面,目前工业加热还大量使用着KGBS以可控硅为主器件的中频加热设备.功率因数低耗费着大量的电能.随着金融危机的曼延,节能降耗,缩减成本已经成为中小企业非常迫切的问题.于是我们利用近20年的感应加热经验,成功研制出JZ(IGBT)系列节能型中频。中频感应加热电源特点：1.生产操作简单、进出料灵活、自动化程度高，可实现在线式生产；2.工件加热速度快、氧化脱碳少，效率高，锻件质量好；3.工件加热长度、速度、温度等可精确控制；4.工件加热均匀、芯表温差小，控制精度高；可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用。浦东新区进口可控硅电源

由图可见，双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。***象限的曲线说明当加到主电极上的电压使Tc对T1的极性为正时，我们称为正向电压，并用符号U21表示。当这个电压逐渐增加到等于转折电压UBO时，图3(b)左边的可控硅就触发导通，这时的通态电流为I21，方向是从T2流向Tl。从图中可以看到，触发电流越大，转折电压就越低，这种情形和普通可控硅的触发导通规律是一致的， 当加到主电极上的电压使Tl对T2的极性为正时，叫做反向电压，并用符号U12表示。当这个电压达到转折电压值时，图3（b）触发导通，这时的电流为I12，其方向是从T1到T2。这时双向可控硅的特性曲线，如图4中第三象限所示。四种触发方式浦东新区进口可控硅电源BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。

也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2（P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2（以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管**初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

电流⒈ 额定通态电流（IT）即比较大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。

阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。。而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1。安徽进口可控硅电源

反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。浦东新区进口可控硅电源

中频感应加热电源特点：1.生产操作简单、进出料灵活、自动化程度高，可实现在线式生产；2.工件加热速度快、氧化脱碳少，效率高，锻件质量好；3.工件加热长度、速度、温度等可精确控制；4.工件加热均匀、芯表温差小，控制精度高；5.感应器可按客户要求精心制作。6.***节能优化设计，能耗低、效率高，比烧煤生产成本低；7.符合环保要求，污染小，同时还减少了工人的劳动强度。缩减成本已经成为中小企业非常迫切的问题.于是我们利用近20年的感应加热经验,成功研制出JZ(IGBT)系列节能型中频。浦东新区进口可控硅电源

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