单片机开发中模拟开关在特别应用中的优势2020-05-25随着对机能丰沛的手机的需要逐渐增长,单片机开发中兼具特别应用性能的模拟开关继续受到***设计的青睐。这不仅会下降材质成本(BOM),而且有助于提高设计性能并满足上市时间要求。本文将指导单片机开发系统设计人员完成几个具体使用案例,以减小爆音,检测充电器。对于单片机开发设计人员而言,由涌入电流引起的冲击噪音依然是繁重的挑战,特别是当***用户启动音乐和通话功用之间的切换时。只要***用户开启音乐机能,这种烦人的声响就会给人不愉快的体验。如图1所示,当音频放大器工作时,通过交流耦合电容器的开/关浪涌电流是冲击噪声的本源,音频共模电压将急遽升高。当今市场上有多种解决方案可用。其中之一是添加一个额外的放大器,以使音频输出具备“0V”偏移,从而很大程度地减少了紧接听筒之前的交流耦合电容器的大小。因为大多数听筒放大器都集成在基带处理器或电源管理单元(PMU)中,所以添加此放大器不仅会增加材质成本,而且会增加功耗。图1显示了另一种方式,该方式将**自主的充电路径添加到音频信号路径,以容许AC耦合电容器在切换到听筒或主路径之前被充满电。这可以由基带处理器的通用I/O控制。上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供八路模拟开关板,期待您的光临!南京双电源八路模拟开关板系列
并将该参考电压vmax提供至开关管mp1的衬底。因此在电源电压掉电时开关管mp1的源极与衬底之间或者漏极与衬底之间的电压小于寄生二极管的正向导通电压,开关管mp1的寄生二极管保持在截止状态,有效的解决了电源电压掉电时开关管mp1中寄生二极管正向导通造成的信号泄露的问题。作为一种非限制性的例子,掉电保护电路302包括晶体管m1至m3,晶体管m1的漏极与信号输入端a连接,晶体管m2的漏极与信号输出端y连接,晶体管m3的漏极用于接收电源电压vcc,晶体管m1至m3的源极与开关管mp1的衬底连接。在本实施例中,晶体管m1至m3采用完全相同的晶体管,例如晶体管m1至m3分别采用nmos管。并且晶体管m1至m3的栅极、漏极和衬底彼此连接,分别连接成二极管结构,所以本实施例的参考电压vmax的电压值为:vmax=max(va,vy,vcc)-vtn其中,va表示信号输入端a的电压,vy表示信号输出端y的电压,vcc为电路的电源端的电源电压,max(va,vy,vcc)表示信号输入端a、信号输出端y、以及电源端中的电位更高者的电压,vtn表示晶体管m1至m3的导通阈值。在推荐的实施例中,晶体管m1至m3分别采用低阈值电压的nmos管。举例说明,以当电源端掉电时。浙江八路模拟开关板耐老化上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供八路模拟开关板,期待为您服务!
本发明涉及半导体集成电路技术领域,更具体地涉及一种模拟开关电路。背景技术:现今,各种模拟电路都需要用到模拟传输开关,以用作对模拟输入信号进行传输和选择,例如各种音视频电路都需要模拟传输开关进行音视频信号的选择导通,模拟控制电路需要模拟传输开关进行控制信号的选择控制。随着技术的发展,各种高清的视频、音频信号的传输对模拟传输开关的性能提出了越来越高的要求。传统的模拟开关电路为了传输接近电源(vcc)的电压,通常会采用pmos管和nmos管并联的传输门作为模拟传输开关。pmos管的衬底接电源电压,nmos管的衬底接地。在pmos管的栅极接电源电压,nmos管的栅极接地时,传输门关断;在pmos管的栅极接地,nmos管的栅极接电源时,传输门导通。传统的模拟开关电路具有一定的缺陷,当电源掉电时,因为pmos管的栅极电位等于地,此时如果输入信号为正电平且该输入信号大于pmos管的阈值电压,会导致pmos开关管导通且寄生二极管处于正向导通状态,发生信号泄露,而且将有很大的漏电流通过寄生二极管流到电源,可能导致芯片损坏。如图1示出传统的模拟开关电路的电路示意图,图1中的模拟开关电路100例如为单刀双掷开关,包括模拟开关101和模拟开关102。
晶体管m6和晶体管m7根据参考电压vmax将开关管mp1的栅极电压保持在参考电压vmax,此时开关管mp1的栅源电压为:vgs=vmax-vy=由上式可以看出,掉电保护电路302可在电源电压掉电时将开关管mp1的栅源电压vgs保持在,小于开关管mp1的导通阈值vtp(本实施例的pmos管的导通阈值vtp为),因此当电源电压掉电时开关管mp1可以一直处于截止状态,进一步解决了电源电压掉电时开关管mp1的误导通造成的信号泄露问题。在上述实施例中以单通道的模拟开关电路对本发明的掉电保护电路进行了说明。需要说明的是,本发明实施例的掉电保护电路也适用于其他通道数量的模拟开关电路,本领域技术人员可以根据具体情况进行适应性修改。如图4示出根据本发明实施例的另一种模拟开关电路的电路示意图,图4中的模拟开关电路400例如为单刀双掷开关,包括模拟开关401、掉电保护电路402、驱动电路403、模拟开关404、以及驱动电路405。模拟开关401包括开关管mp1和开关管mn1,开关管mp1为pmos管,开关管mn1为nmos管。开关管mp1和开关管mn1并联连接,二者的漏极彼此连接且都连接至信号输入端a,二者的源极彼此连接且都连接至信号输出端y,开关管mp1的衬底与掉电保护电路402连接,开关管mn1的衬底接地。上海金樽自动化控制科技有限公司致力于提供八路模拟开关板,欢迎您的来电哦!
导通电阻越发大,对于PMOS而言,S级的电压越高,导通电阻愈加小。图3导通电阻随输入信号电压变化的曲线2)导通电阻的阻值与温度有关:当VDD和VSS固定不变时,随着温度的升高,导通电阻的曲线总体向上平移。图4导通电阻随温度变动的曲线3)导通电阻的平坦度:On-resistanceflatness图5On-resistanceflatness在一定的输入电压范围内,导通电阻的最大值与最小值的差叫作导通电阻的平坦度,这个值越大,解释导通电阻的变化大幅度越大。(3).影响在这里,我们通过一个仿真实例来观察一下导通电阻及平坦度对于系统的影响,如图6。为了更容易地观察到影响,我们选取设立R1和R2为100Ω。图6MUX36S08仿真电路图7输入及输出波形从仿真的结果我们可以看出:1)输出电压并不是我们输入电压乘以放大百分比后的结果,这是因为有导通电阻的存在。2)输出电压随输入电压的并不是线性联系,这是因为Ron随着Vin在转变,会在输出端引入非线性误差。所以,Ron的平坦度越小,输出的非线性误差越小。2.漏电流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在开关断开时,从源极注入或流出的电流称做Is(off),如图8。2)Drainoff-leakagecurrent:在开关断开时,从漏极注入或流出的电流称做Id。上海金樽自动化控制科技有限公司致力于提供八路模拟开关板,有需求可以来电咨询!江苏单片机八路模拟开关板价格咨询
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