容许音频放大器和开关先加电，而主通道开关现在关闭。音频输出的共模电压将从0升高到VCC/2。一段时间（参见10ms）后，耦合电容器的两端均充电至等电位，然后开启主通道，根本并未浪涌电流。因为此时电容器的两极之间的电压差为0V。此开关十分适于通过单个USB连接器（D+/D针）与听筒和USB数据线共享的手机和MP3/MP4播放器。低的总谐波失真（THD）对于音频通道十分关键。另外，由于开关置于在交流耦合电容器之后，因此须要处置低THD时较大的反向信号摆幅。该开关的**关断电容器容许通过装置“有线”连通高速USB信号。较低的寄生电容也是Hi-Speed一致性测试的关键USB规格。随着当前市场趋向转移到单个USB充电器/数据端口，特别应用的USB开关已成为具充电器检测机能的手机设计中的常用配置。图2是此类交换机应用程序的示例?；诹礁鲋饕倒?，在此设计中需低导通电容开关。首先，由于基带处理器和高速当手机进入高速模式时，USB控制器输出在连接器侧共享相同的D+/D-引脚USB模式（例如音乐下载或闪存功用），须要减低基带/。全速控制器的输出电容。D+/D-线上的任何附加电容都会毁损Hi-Speed的眼图USB信号。其次，在高速USB模式下，须要切断D+/D-线上的剩余走线。上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供八路模拟开关板，欢迎您的来电！安徽集成电路八路模拟开关板修理

off)，如图83)On-leakagecurrent:当开关闭合时，从漏极注入或流出的电流叫作Id(on)，如图8。图8漏电流概念(2).特色漏电流随温度变化剧烈。图9漏电流随温度变动的曲线(3).影响在很多数据采集系统中，接入MUX前的传感器有或许是高阻抗的传感器。这时，漏电流的影响就会凸显出来。例如，在图10的仿真中，输入源有1MΩ的源阻抗，我们对这个电阻展开直流参数扫描，观察它从1MΩ转变至10MΩ时，对输出电压的影响，结果可以见到，漏电流通过传感器的内阻会给输出电压带来一个直流误差。所以，在为高输出阻抗的传感器选项MUX时，要尽量挑选低漏电流的芯片。图10漏电流仿真电路图11漏电流仿真结果三.模拟开关和多路复用器动态参数介绍1.导通电容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了开关在断开时的源极和漏极电容。当开关导通时，CON相等源极的电容和漏极的电容之和，如图12。图12OnCapacitance(2).影响图13MUX36S08示例当MUX在不同通道之间切换时，CD也会随着通道的切换被充电或者放电。例如，当S1闭合时，CD会被充电至V1。那么此时CD上的电荷QD1：当MUX从S1切换至S2时，CD会被充电至V2。那么此时CD上的电荷QD2：那么两次CD上的电荷差就需V2来提供，所以这时候。安徽集成电路八路模拟开关板修理上海金樽自动化控制科技有限公司为您提供八路模拟开关板。

导通电阻越发大，对于PMOS而言，S级的电压越高，导通电阻愈加小。图3导通电阻随输入信号电压变化的曲线2）导通电阻的阻值与温度有关：当VDD和VSS固定不变时，随着温度的升高，导通电阻的曲线总体向上平移。图4导通电阻随温度变动的曲线3）导通电阻的平坦度：On-resistanceflatness图5On-resistanceflatness在一定的输入电压范围内，导通电阻的最大值与最小值的差叫作导通电阻的平坦度，这个值越大，解释导通电阻的变化大幅度越大。(3).影响在这里，我们通过一个仿真实例来观察一下导通电阻及平坦度对于系统的影响，如图6。为了更容易地观察到影响，我们选取设立R1和R2为100Ω。图6MUX36S08仿真电路图7输入及输出波形从仿真的结果我们可以看出：1）输出电压并不是我们输入电压乘以放大百分比后的结果，这是因为有导通电阻的存在。2）输出电压随输入电压的并不是线性联系，这是因为Ron随着Vin在转变，会在输出端引入非线性误差。所以，Ron的平坦度越小，输出的非线性误差越小。2.漏电流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在开关断开时，从源极注入或流出的电流称做Is(off)，如图8。2)Drainoff-leakagecurrent:在开关断开时，从漏极注入或流出的电流称做Id。

MUX输出就会需一定的时间来平稳。对于一个N-bit的ADC：K实际上是**RC电路中，电压抵达目标误差以内时所需的时间常数的数目，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下来用一个仿真来说明这种现象：为了更明显地观察到这种现象，在Vout端加入一个电容C1，可以明白为增加了CD，也可以明白为负载电容和CD的并联。图14OnCapacitance对输出影响的仿真示例电路当C1=50pF时，整个回路的时间常数较大，需更长时间平稳，所以在开关导通20uS之后，输出电压依然并未平稳到信号源的电压。图15C1=50pF仿真结果当C1=10pF时，整个回路的时间常数较小，需较短时间安定，所以在开关导通20uS之内，输出电压平稳到了信号源的电压。图16C1=10pF仿真结果2.流入电荷ChargeInjection(1).概念流入电荷指的是从控制端EN耦合至输出端的电荷。(2).影响因为在开关导通的通道上，缺失损耗这部分电荷的通道，所以当这部分电荷注入漏极电容和输出电容上时，会在输出产生一个电压误差。图17ChargeInjection过程示意图过程如下：当在EN端有一个阶跃信号时，这个阶跃电压会通过栅极和漏极之间的寄生电容CGD，耦合至输出端，输出电压的改变取决流入电荷QINJ，CD和CL。所以，当流入的电荷越小时。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，有需要可以联系我司哦！

在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器具有十分普遍的应用，例如运放的增益调节、ADC分时收集多路传感器信号等等。虽然它的机能很简单，但是依然有很多细节，需大家在采用的过程中留意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的基本参数。在开始介绍根基的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本构造。一.MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隐含电荷泵的NFET。三种架构各有特征，详实的介绍，可以参看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培训视频和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构进行介绍和仿真，但是关乎到的定义在三种架构中都是适用的。图1MOSFET开关构造另外，需留意的是，此处的MOSFET构造，S和D是对称的，所以在功用上是可以交换的，也因此，开关是双向的，为了便于讨论，我们统一把S极作为输入。二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍1.导通电阻OnResistance(1).概念图2OnResistance概念(2).特征1）随输入信号电压而变动：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高。上海金樽自动化控制科技有限公司于提供八路模拟开关板，欢迎您的来电哦！集成电路八路模拟开关板货源

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所述防落罩的两侧均设立有l型限位块，所述l型限位块与***流通阀和第二流通阀均固定连接，所述开关电磁阀阀体内部的上方设立有静铁芯，所述静铁芯的两侧均设立有连接柱置放槽，所述连接柱放到槽的内部设置有伸缩连接柱，所述伸缩连接柱的顶端设立有拉动扣环，所述伸缩连接柱的下方设立有动铁芯，且动铁芯与伸缩连接柱固定连接，所述动铁芯的下端设立有活动连接块，所述活动连接块的两端均设立有弹簧，所述弹簧的外部设置有线圈，所述活动连接块的下端设立有伸缩管，所述伸缩管的内部设置有固定柱，且固定柱与活动连接块固定联接，所述固定柱的外部设置有***堵气块，所述***堵气块的下方设立有***密封块，所述***堵气块上方的两侧均设立有***堵气限位块，且***堵气限位块与***流通阀固定连接，所述***密封块的下方设立有第二密封块，所述第二密封块的下方设立有第二堵气块，所述第二堵气块下方的两侧均设立有第二堵气限位块，且第二堵气限位块与第二流通阀固定联接。推荐的，所述开关电磁阀阀体上方的一侧设立有接线盒，且接线盒与开关电磁阀阀体固定连结。推荐的，所述接线盒的一端设立有盒盖放到槽，所述盒盖置于槽的内部设置有接线盒盒盖。安徽集成电路八路模拟开关板修理

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