导通电阻越发大，对于PMOS而言，S级的电压越高，导通电阻愈加小。图3导通电阻随输入信号电压变化的曲线2）导通电阻的阻值与温度有关：当VDD和VSS固定不变时，随着温度的升高，导通电阻的曲线总体向上平移。图4导通电阻随温度变动的曲线3）导通电阻的平坦度：On-resistanceflatness图5On-resistanceflatness在一定的输入电压范围内，导通电阻的最大值与最小值的差叫作导通电阻的平坦度，这个值越大，解释导通电阻的变化大幅度越大。(3).影响在这里，我们通过一个仿真实例来观察一下导通电阻及平坦度对于系统的影响，如图6。为了更容易地观察到影响，我们选取设立R1和R2为100Ω。图6MUX36S08仿真电路图7输入及输出波形从仿真的结果我们可以看出：1）输出电压并不是我们输入电压乘以放大百分比后的结果，这是因为有导通电阻的存在。2）输出电压随输入电压的并不是线性联系，这是因为Ron随着Vin在转变，会在输出端引入非线性误差。所以，Ron的平坦度越小，输出的非线性误差越小。2.漏电流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在开关断开时，从源极注入或流出的电流称做Is(off)，如图8。2)Drainoff-leakagecurrent:在开关断开时，从漏极注入或流出的电流称做Id。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，用户的信赖之选，有想法的不要错过哦！北京集成电路八路模拟开关板成本价

用于在电源电压掉电时根据所述至少一个信号输入端、所述信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压，并将所述参考电压提供至所述至少一个驱动电路的供电端和所述p型开关管的衬底，其中，所述掉电保护电路包括多个***晶体管，所述多个***晶体管的漏极分别与所述至少一个信号输入端、所述信号输出端以及所述电源端连接，所述多个***晶体管的源极彼此连接以输出所述参考电压。推荐地，所述掉电保护电路还包括电压上拉模块，用于在所述电源电压正常时将所述参考电压上拉至电源电压。推荐地，所述***晶体管的栅极、漏极和衬底彼此连接，以构成二极管结构。推荐地，所述参考电压等于所述至少一个信号输入端、所述信号输出端以及所述电源端中电位更高者与所述***晶体管的导通阈值的电压差。推荐地，所述电压上拉模块包括：连接于所述多个***晶体管的源极和地之间的第二晶体管和电阻，所述第二晶体管的栅极用于接收所述电源电压；以及第三晶体管，源极用于接收所述电源电压，栅极与所述第二晶体管和所述电阻的中间节点连接，漏极和衬底与所述p型开关管的衬底以及所述驱动电路的供电端连接。推荐地，每个所述驱动电路都包括第四晶体管和第五晶体管。安徽单片机八路模拟开关板市场价格八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！

off)，如图83)On-leakagecurrent:当开关闭合时，从漏极注入或流出的电流叫作Id(on)，如图8。图8漏电流概念(2).特色漏电流随温度变化剧烈。图9漏电流随温度变动的曲线(3).影响在很多数据采集系统中，接入MUX前的传感器有或许是高阻抗的传感器。这时，漏电流的影响就会凸显出来。例如，在图10的仿真中，输入源有1MΩ的源阻抗，我们对这个电阻展开直流参数扫描，观察它从1MΩ转变至10MΩ时，对输出电压的影响，结果可以见到，漏电流通过传感器的内阻会给输出电压带来一个直流误差。所以，在为高输出阻抗的传感器选项MUX时，要尽量挑选低漏电流的芯片。图10漏电流仿真电路图11漏电流仿真结果三.模拟开关和多路复用器动态参数介绍1.导通电容OnCapacitance(1).概念CS和CD**了开关在断开时的源极和漏极电容。当开关导通时，CON相等源极的电容和漏极的电容之和，如图12。图12OnCapacitance(2).影响图13MUX36S08示例当MUX在不同通道之间切换时，CD也会随着通道的切换被充电或者放电。例如，当S1闭合时，CD会被充电至V1。那么此时CD上的电荷QD1：当MUX从S1切换至S2时，CD会被充电至V2。那么此时CD上的电荷QD2：那么两次CD上的电荷差就需V2来提供，所以这时候。

在测试测量相关应用中，模拟开关和多路复用器具有十分普遍的应用，例如运放的增益调节、ADC分时收集多路传感器信号等等。虽然它的机能很简单，但是依然有很多细节，需大家在采用的过程中留意。所以，在这里为大家介绍一下模拟开关和多路复用器的基本参数。在开始介绍根基的参数之前，我们有必要介绍一下模拟开关和多路复用器的基本单元MOSFET开关的基本构造。一.MOSFET开关的架构MOSFET开关常见的架构有3种，如图1所示。1）NFET。2）NFET和PFET。3）隐含电荷泵的NFET。三种架构各有特征，详实的介绍，可以参看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培训视频和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》应用文档。本文主要基于NFET和PFET架构进行介绍和仿真，但是关乎到的定义在三种架构中都是适用的。图1MOSFET开关构造另外，需留意的是，此处的MOSFET构造，S和D是对称的，所以在功用上是可以交换的，也因此，开关是双向的，为了便于讨论，我们统一把S极作为输入。二.模拟开关和多路复用器直流参数介绍1.导通电阻OnResistance(1).概念图2OnResistance概念(2).特征1）随输入信号电压而变动：当芯片的供电电压固定时，对于NMOS而言，S级的电压越高。上海金樽自动化控制科技有限公司是一家专业提供 八路模拟开关板的公司，欢迎新老客户来电！

所述第四晶体管的源极用于接收所述参考电压，漏极与所述第五晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的源极接地，所述第四晶体管和所述第五晶体管的栅极接收***控制信号，所述第四晶体管和所述第五晶体管的中间节点与对应的模拟开关的所述p型开关管的栅极连接。推荐地，每个所述模拟开关还包括连接于所述信号输入端和所述信号输出端之间的n型开关管，所述n型开关管和所述p型开关管并联连接，所述n型开关管的栅极接收第二控制信号，所述n型开关管的衬底接地，其中，所述***控制信号和所述第二控制信号为同相信号。推荐地，所述多个***晶体管分别选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第二晶体管和所述第三晶体管分别选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管。推荐地，所述第四晶体管选自p型的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第五晶体管选自n型的金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明实施例的模拟开关电路具有以下有益效果。模拟开关电路还包括掉电保护电路，掉电保护电路用于在电源电压掉电时根据模拟开关电路的至少一个信号输入端、信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压，然后将该参考电压提供给模拟开关的p型开关管的衬底。八路模拟开关板，就选上海金樽自动化控制科技有限公司，用户的信赖之选，有需要可以联系我司哦！苏州双电源八路模拟开关板价格咨询

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晶体管m1至m3以及晶体管m8的源极与开关管mp1和mp2的衬底以及晶体管m6和晶体管m9的源极连接。此外，掉电保护电路402还包括电压上拉模块421，电压上拉模块421用于在电源电压正常工作时将参考电压vmax上拉至电源电压，使得模拟开关电路400可以正常工作。其中，本实施例的电压上拉模块421的结构和功能与图3中的电压上拉模块321的结构和功能完全相同，在此不再赘述。综上所述，本发明的模拟开关电路还包括掉电保护电路，掉电保护电路用于在电源电压掉电时根据模拟开关电路的至少一个信号输入端、信号输出端以及电源端中电位更高者得到一参考电压，然后将该参考电压提供给模拟开关的p型开关管的衬底，控制p型开关管的衬底电位，使得电源电压掉电时p型开关管的寄生二极管不会导通。掉电保护电路还用于在电源电压掉电时将该参考电压提供至模拟开关电路的驱动电路的供电端，控制p型开关管的栅极电位，保证电源电压掉电时p型开关管不会误导通，有效解决了电源电压掉电时的信号泄露问题，电路结构简单实用，工作性能稳定可靠，适用范围***。进一步的，本发明实施例的掉电保护电路还包括电压上拉模块，电压上拉模块可在电源电压正常时将所述参考电压上拉至电源电压。北京集成电路八路模拟开关板成本价