第三代试管婴儿的技术也称胚胎植入前遗传学诊断/筛查 [1]（PGD/PGS） [1]，指在IVF-ET的胚胎移植前，取胚胎的遗传物质进行分析，诊断是否有异常，筛选健康胚胎移植，防止遗传病传递的方法。检测物质取4～8个细胞期胚胎的1个细胞或受精前后的卵***二极体。取样不影响胚胎发育。检测用单细胞DNA分析法，一是聚合酶链反应（PCR），检测男女性别和单基因遗传病;另一种是荧光原位杂交（FISH），检测性别和染色体病。第三代试管婴儿技术可以进行性别选择，但只有当子代性染色体有可能发生异常并带来严重后果时，才允许进行性别选择。本质上，第三代试管婴儿技术选择的是疾病，而不是性别。软件提供图像和影像缩略图，方便回放。欧洲连续多脉冲激光破膜热效应环

DFB-LD图9 激光二极管F-P(法布里-珀罗）腔LD已成为常规产品，向高可靠低价化方向发展。DFB-LD的激射波长主要由器件内部制备的微小折射光栅周期决定，依赖沿整个有源层等间隔分布反射的皱褶波纹状结构光栅进行工作。DFB-LD两边为不同材料或不同组分的半导体晶层，一般制作在量子阱QW有源层附近的光波导区。这种波纹状结构使光波导区的折射率呈周期性分布，其作用就像一个谐振控，波长选择机构是光栅。利用QW材料尺寸效应和DFB光栅的选模作用，所激射出的光的谱线很宽，在高速率调制下可动态单纵模输出。内置调制器的DFB-LD满足光发射机小型、低功耗的要求。广州DTS激光破膜PGD采用非接触式的激光切割方式，免除了传统机械操作可能带来的损伤，对细胞伤害小。

二、激光打孔技术在薄膜材料中的应用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一种常见的应用场景。利用激光打孔技术，可以在薄膜材料上形成微米级的孔洞，满足各种不同的应用需求。例如，在太阳能电池板的生产中，利用激光打孔技术可以在硅片表面形成微孔，提高太阳能的吸收效率。在滤膜的制备中，通过激光打孔技术可以制备出具有微孔结构的滤膜，实现对气体的过滤和分离。2.纳米级加工随着科技的发展，纳米级加工成为了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技术作为一种先进的加工手段，在纳米级加工中具有广泛的应用前景。通过精确控制激光束的能量和运动轨迹，可以在薄膜材料上形成纳米级的孔洞，实现纳米级结构的制备。这种加工方式可以显著提高薄膜材料的性能，例如提高其力学性能、光学性能和电学性能等。3.特殊形状孔洞的加工除了常规的圆形孔洞外，利用激光打孔技术还可以加工出各种特殊形状的孔洞。例如，在柔性电子器件的制造中，需要将电路图案转移到柔性基底上。利用激光打孔技术可以在柔性基底上加工出具有特殊形状的孔洞，从而实现电路图案的转移。这种加工方式可以显著提高柔性电子器件的性能和稳定性。

PGS适用人群播报编辑高龄孕妇(年龄≥35岁)反复自然流产史的孕妇（自然流产≥3次）反复胚胎种植失败的孕妇（失败≥3次）生育过染色体异常疾病患儿的夫妇染色体数目及结构异常的夫妇注意事项播报编辑选择了PGS，常规产前检查仍不可忽视。因为全世界各种遗传性疾病有4000余种，而PGS只能检查胚胎23对染色体结构和数目的异常，无法覆盖所有疾病。因为PGS取材有限，只是取一定数量的卵裂球或者囊胚期细胞，虽然不会影响胚胎的正常发育，但取材细胞和留下继续发育的细胞团遗传构成并非完全相同，故对于某些染色体嵌合型疾病可能出现筛查结果不符。另外染色体疾病的发病原因至今不明，也没有预防的办法。虽然挑选了健康的胚胎，但是胚胎移植后，生命发育任何一个阶段胎儿由于母体原因、环境等因素，染色体都有可能出现异常变化。所以选择PGS成功受孕后，孕妇仍然需要进行常规的产前检查。PGS不可替代产前筛查。若常规产前检查发现胎儿异常，或孕妇本人具有进行产前筛查的指征，强烈建议孕妇选择羊水穿刺等产前筛查方式进行确认。激光能量可以在短时间内精确作用于细胞膜，形成的小孔通常能够在短时间内自行修复。

激光的产生图1在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，一是处于高能态的粒子自发向低能态跃迁，称之为自发辐射；二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。图2 激光二极管示意图自发辐射，即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子，它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中，发生的辐射就是受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数（这样情况称为粒子数反转），才能发出激光。能够实现精确的激光位移，对微小的胚胎或细胞进行精确操作，误差小。美国二极管激光激光破膜胚胎干细胞

实时同步成像，可以获取图像和影像，通过拍摄的图像可以进行胚胎量测、分析和评价。欧洲连续多脉冲激光破膜热效应环

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素组成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段内，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研发日趋成熟，国际上*少数几家厂商可提供商用产品。优化器件结构，有源区为应变超晶格QW。有源区周边一般为双沟掩埋或脊型波导结构。有源区附近的光波导区为DFB光栅，采用一些特殊的设计，如：波纹坡度可调分布耦合、复耦合、吸收耦合、增益耦合、复合非连续相移等结构，提高器件性能。生产技术中，金属有机化学汽相淀积MOCVD和光栅的刻蚀是其关键工艺。MOCVD可精确控制外延生长层的组分、掺杂浓度、薄到几个原子层的厚度，生长效率高，适合大批量制作，反应离子束刻蚀能保证光栅几何图形的均匀性，电子束产生相位掩膜刻蚀可一步完成阵列光栅的制作。1550nmDFB-LD开始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光传输系统设备，对波长的选择使DFB-LD在大容量、长距离光纤通信中成为主要光源。同一芯片上集成多波长DFB-LD与外腔电吸收调制器的单芯片光源也在发展中。研制成功的电吸收调制器集成光源，采用有源层与调制器吸收层共用多QW结构。调制器的作用如同一个高速开关，把LD输出变换成二进制的0和1。欧洲连续多脉冲激光破膜热效应环