20年前，我国育龄人群中的不孕不育率*为3%，处于全世界较低水平。2009中国不孕不育高峰论坛公布的《中国不孕不育现状调研报告》显示，全国不孕不育患者人数已超过5000万，以25岁至30岁人数**多，呈年轻化趋势。平均每8对育龄夫妇中就有1对面临生育方面的困难，不孕不育率攀升到12.5%~15%，接近发达国家15%~20%的比率。**为严峻的是，这一发生比例还在不断攀升，卫生组织**预估中国的不孕不育率将会在近几年攀升到20%以上。卫生组织**认为，精神和环境的双重压力让付出沉重的“生命代价”不孕不育已成为严重的社会问题。如何有效帮助不孕不育患者解决生育难题，对于社会，医院及大夫都提出了更高的要求。胚胎异常是体外受精**终失败的主要原因之一。英国研究人员开发出一种可筛查胚胎质量的新技术，有望提高试管婴儿的成功率。 [2]在这种背景下，试管婴儿技术应运而生。试管婴儿技术是将卵子与精子分别取出后，置于试管内使其受精，受精卵发育为胚胎，后移植回母体子宫发育成胎儿的技术。试管婴儿技术作为有效的辅助生殖手段成为大多数不孕不育夫妇的重要选择，平均成功率为20-30%。能够实现精确的激光位移，对微小的胚胎或细胞进行精确操作，误差小。美国自动打孔激光破膜RED-i

试管婴儿技术给不孕夫妇带来了希望，越来越多无法自然受孕的夫妇选择试管婴儿技术成功迎来自己的宝宝。科学研究表明，健康的胚胎是成功怀孕的关键。然而，通过试管婴儿获得的胚胎中有40-60%存在染色体异常，胚胎染色体异常的风险随着孕妇年龄的增长而增加。染色体异常是妊娠失败和自然流产的主要原因。

健康的胚胎是试管婴儿成功的第一步。因此，植入前遗传学筛查越来越受到重视，PGD/PGS应运而生。那么，染色体异常会导致哪些遗传病，基因检测是如何进行的呢？染色体问题有多严重？首先需要注意的是，能够顺利出生的健康宝宝，其实只是冰山一角。大部分染色体异常的胚胎无法植入、流产或停止，导致自然淘汰。99%的流产是由胎儿引起的，而不是母亲。在卵子受精阶段，染色体异常的百分比为45%。成功植入胚胎的染色体异常率为25%。在妊娠早期，染色体异常率为15%。研究表明，40岁以上染色体异常的百分比为60%，43岁以上则高达85%。这就证明了即使43岁以上的卵子发育成囊胚，染色体异常的比例其实很高，这是不可避免的，这也是高龄产妇流产率高的原因。 欧洲激光破膜PGD在试管婴儿技术中，对于一些透明带变硬或厚度异常的胚胎，通过激光破膜仪进行辅助孵化。

有哪些疾病与染色体有关？染色体/基因异常导致的常见疾病:1.染色体数目丢失(非整倍体):定义:一个健康人有23对染色体，每对都是二倍体，也就是两对。如果有1，3或更多的染色体，这是染色体数目错误的迹象。遗传性疾病:由异常数字引起的遗传病有上百种，如21三体即先天性愚型(或唐氏综合征)、18三体(爱德华氏病)、13三体(佩吉特病)、5p综合征(猫叫综合征)、特纳综合征、克氏综合征、两性畸形等。2.异常染色体结构:定义:每条染色体上有许多基因片段。如果一条染色体上的基因片段出现易位、倒位、重叠等问题。，这是结构异常，平衡易位**常见。如果发现患者是易位携带者，流产或IVF周期失败的风险更大。遗传病:如罗氏易位、慢性粒细胞白血病(22、14号染色体易位)、9号染色体倒位等。3.基因遗传病:定义:遗传病是指由于一对或多对等位基因的缺失或畸变而引起的遗传病。遗传病:单基因遗传病有上千种，如色盲、早衰、血友病、白化病、视网膜母细胞瘤等。多基因疾病罕见但危害大，如癫痫、精神分裂症、抑郁症、唇腭裂等。

?激光破膜仪?主要用于辅助胚胎孵出和人工皱缩，具体应用场景包括：?辅助孵出?：在胚胎发育过程中，透明带会逐渐变薄并破裂溶解，释放胚胎使其成功着床于宫腔内。然而，当透明带过硬或过厚时，胚胎无法自行孵出，从而影响着床和妊娠成功率。此时，激光破膜仪可以对透明带进行人工打孔或削薄，帮助胚胎顺利孵出?12。?人工皱缩?：在囊胚期，胚胎内部可能形成一个巨大的含水囊腔，这个囊腔对高渗液体置换细胞内的水构成很大阻碍，影响胚胎的冷冻操作。激光破膜仪能够精细地打破这个囊腔，放出水分，使高渗液体能够顺利进入细胞内，从而完成对囊胚的冷冻操作?12。激光破膜仪的工作原理激光破膜仪通过发射激光，利用其穿透作用破坏胚胎的某些结构。具体来说，激光能量作用于透明带或囊胚内的囊腔，通过打孔或削薄透明带或打破囊腔，实现辅助孵出和人工皱缩的功能?安装维护简单，软件界面友好，易于操作。

半导体激光二极管的基本结构：垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子，其公式如下：λ = hc/Eg ⑴式中：h—普朗克常数； c—光速； Eg—半导体的禁带宽度。上述由于电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，则会形成和热平衡状态相反的载流子分布，即粒子数反转。当有源层内的载流子在大量反转情况下，少量自发辐射产生的光子由于谐振腔两端面往复反射而产生感应辐射，造成选频谐振正反馈，或者说对某一频率具有增益。当增益大于吸收损耗时，就可从PN结发出具有良好谱线的相干光——激光，这就是激光二极管的原理。胚胎活组织检查时，可利用激光精确获取胚胎部分组织用于遗传学分析，且不影响胚胎后续发育。北京DTS激光破膜热效应环

还可用于精子制动，便于进行ICSI，以及在胚胎植入前遗传学诊断 / 筛查过程中，对胚胎进行活检取样等操作。美国自动打孔激光破膜RED-i

工作原理播报编辑图6 激光二极管晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 [2]美国自动打孔激光破膜RED-i