MEMS具有以下几个基本特点,微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生产。MEMS技术的目标是通过系统的微型化、集成化来探索具有新原理、新功能的元件和系统。 MEMS技术是一种典型的多学科交叉的前沿性研究领域,几乎涉及到自然及工程科学的所有领域,如电子技术、机械技术、物理学、化学、生物医学、材料科学、能源科学等。MEMS是一个单独的智能系统,可大批量生产,其系统尺寸在几毫米乃至更小,其内部结构一般在微米甚至纳米量级。例如,常见的MEMS产品尺寸一般都在3mm×3mm×1.5mm,甚至更小。微机电系统在国民经济和更高级别的系统方面将有着广泛的应用前景。主要民用领域是电子、医学、工业、汽车和航空航天系统。公司开发的神经电子芯片支持无线充电与通讯,可将电信号转化为脉冲用于神经调控替代。新疆MEMS微纳米加工功能
微针器件的干湿法刻蚀与集成传感:基于MEMS干湿法混合刻蚀工艺,公司开发出多尺度微针器件。通过光刻胶模板与各向异性刻蚀,制备前列曲率半径<100nm、高度500微米的中空微针阵列,可无创穿透表皮提取组织间液。结合微注塑工艺,在微针内部集成直径10微米的流体通道,实现5分钟内采集3μL样本,用于连续血糖监测(误差±0.2mmol/L)。在透皮给药领域,载药微针采用可降解PLGA涂层,载药率超90%,释放动力学可控至24小时线性释放。同时,微针表面通过溅射工艺沉积金纳米层,集成阻抗传感模块,可实时检测炎症因子(如CRP),检测限低至0.1pg/mL。此类器件与微流控芯片联用,可在15分钟内完成“采样-分析-反馈”闭环,为慢性病管理提供便携式解决方案。上海MEMS微纳米加工服务自研超声收发芯片输出电压达 ±100V、电流 1A,部分性能指标超越国际品牌 TI。
PDMS金属流道芯片的复合加工工艺:PDMS金属流道芯片通过在柔性PDMS流道内集成金属镀层,实现流体控制与电信号检测的一体化设计。加工流程包括:首先利用软光刻技术在硅模上制备50-200μm宽度的流道结构,浇筑PDMS预聚体并固化成型;然后通过氧等离子体处理流道表面,使其亲水化以促进金属前驱体吸附;采用磁控溅射技术沉积50-200nm厚度的金/铂金属层,经化学镀增厚至1-5μm,形成连续导电流道;***与PET基板通过等离子体键合密封,确保流体无泄漏。金属流道的表面粗糙度<50nm,电阻<10Ω/cm,适用于电化学检测、电渗泵驱动等场景。典型应用如微流控电化学传感器,在10μL/min流速下,对葡萄糖的检测灵敏度达50μA?mM?1?cm?2,线性范围0.1-20mM,检测下限<50μM。公司开发的自动化生产线可实现流道尺寸的精细控制(误差<±2%),并支持金属层图案化设计,如叉指电极、螺旋流道等,满足不同传感器的定制需求,为生物检测与环境监测领域提供了柔性化、集成化的解决方案。
热敏柔性电极的PI三明治结构加工技术:热敏柔性电极采用PI(聚酰亚胺)三明治结构,底层PI作为柔性基板,中间层为金属电极,上层PI实现绝缘保护,开窗漏出Pad引线位置,兼具柔韧性与电学性能。加工过程中,首先在25μm厚度的PI基板上通过溅射沉积5μm厚度的铜/金电极层,利用光刻胶作为掩膜进行湿法刻蚀,形成10-50μm宽度的电极图案,线条边缘粗糙度<1μm;然后涂覆10μm厚度的PI绝缘层,通过激光切割开设引线窗口,窗口定位精度±5μm;***经300℃高温亚胺化处理,提升层间结合力(剥离强度>10N/cm)。该电极的弯曲半径可达5mm,耐弯折次数>10万次,表面电阻<5Ω/□,适用于可穿戴体温监测、心率传感器等设备。在医疗领域,用于术后伤口热敷的柔性加热电极,可通过调节输入电压实现37-42℃精细控温,温度均匀性误差<±0.5℃,避免局部过热损伤组织。公司支持电极图案的个性化设计,可集成热电偶、NTC热敏电阻等传感器,实现“感知-驱动”一体化,推动柔性电子技术在医疗健康与智能设备中的广泛应用。以PI为特色的柔性电子在太赫兹超表面器件上的应用很广。
MEMS技术的主要分类:光学方面相关的资料与技术。光学随着信息技术、光通信技术的迅猛发展,MEMS发展的又一领域是与光学相结合,即综合微电子、微机械、光电子技术等基础技术,开发新型光器件,称为微光机电系统(MOEMS)。微光机电系统(MOEMS)能把各种MEMS结构件与微光学器件、光波导器件、半导体激光器件、光电检测器件等完整地集成在一起。形成一种全新的功能系统。MOEMS具有体积小、成本低、可批量生产、可精确驱动和控制等特点。MEMS的超材料介绍与讲解。MEMSMEMS微纳米加工的微流控芯片
可降解聚合物加工工艺储备,为体内短期植入检测芯片提供生物相容性材料解决方案。新疆MEMS微纳米加工功能
超声影像芯片的全集成MEMS设计与性能突破:针对超声PZT换能器及CMUT/PMUT新型传感器的收发需求,公司开发了**SoC超声收发芯片,采用0.18mm高压SOI工艺实现发射与开关复用,大幅节省芯片面积的同时提升性能。在发射端,通过MEMS高压驱动电路设计,实现±100V峰值输出电压与1A持续输出电流,较TI同类产品提升30%,满足深部组织成像的能量需求;接收端集成12位ADC,采样率可达100Msps,信噪比(SNR)达73.5dB,有效提升弱信号检测能力。芯片采用多层金属布线与硅通孔(TSV)技术,实现3D堆叠集成,封装尺寸较传统方案缩小40%。在二次谐波抑制方面,通过优化版图布局与寄生参数补偿,将5MHz信号的二次谐波降至-40dBc,优于行业基准-45dBc,***提升图像分辨率。目前TX芯片已完成流片,与掌上超声企业合作开发便携式超声设备,可实现腹部、心血管等部位的实时成像,探头尺寸*30mm×20mm,重量<50g,推动超声诊断设备向小型化、智能化迈进,助力基层医疗场景普及。新疆MEMS微纳米加工功能