在脑科学与精细医疗领域，公司开发的MEA柔性电极采用超薄MEMS工艺，兼具物相容性与高导电性，可定制化设计“触凸”电极阵列，***降低植入式脑机接口的手术创伤，同时提升神经信号采集的信噪比。针对药物递送与检测需求，通过干湿结合刻蚀技术制备的微针器件，既可实现组织间液的无痛提取，又能集成电化学传感功能，为糖尿病动态监测、透皮给药系统提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重转印工艺，可将光刻硅片模板快速转化为PMMA、COC等硬质塑料芯片，支持10个工作日内完成从设计图纸到塑料芯片成型的全流程，极大加速微流控产品的研发验证周期。微纳加工产业化能力覆盖设计、工艺、量产全链条，月产能达 50,000 片并持续技术创新。采用微纳米加工的MEMS微纳米加工按需定制

高压SOI工艺在MEMS芯片中的应用创新：高压SOI（绝缘体上硅）工艺是制备高耐压、低功耗MEMS芯片的**技术，公司在0.18μm节点实现了发射与开关电路的集成创新。通过SOI衬底的埋氧层（厚度1μm）隔离高压器件与低压控制电路，耐压能力达200V以上，漏电流＜1nA，适用于神经电刺激、超声驱动等高压场景。在神经电子芯片中，高压SOI工艺实现了128通道**驱动，每通道输出脉冲宽度1-1000μs可调，幅度0-100V可控，脉冲边沿抖动＜5ns，确保精细的神经信号调制。与传统体硅工艺相比，SOI芯片的寄生电容降低40%，功耗节省30%，芯片面积缩小50%。公司优化了SOI晶圆的键合与减薄工艺，将衬底厚度控制在100μm以下，支持芯片的柔性化封装。该技术突破了高压器件与低压电路的集成瓶颈，推动MEMS芯片向高集成度、高可靠性方向发展，在植入式医疗设备、工业控制传感器等领域具有广阔应用前景。重庆MEMS微纳米加工原料超薄石英玻璃双面套刻加工技术，在 100μm 以上基板实现微流道与金属电极的高精度集成。

在MEMS微纳加工领域，公司通过“材料创新+工艺突破”双轮驱动，为医疗健康、生物传感等场景提供高精度、定制化的微纳器件解决方案。公司依托逾700平米的6英寸MEMS产线，可加工玻璃、硅片、PDMS、硬质塑料等多种基材的微纳结构，覆盖从纳米级（0.5-5μm）到百微米级（10-100μm）的尺度需求。其**技术包括深硅刻蚀、亲疏水改性、多重转印工艺等，能够实现复杂三维微流道、高深宽比微孔阵列及柔性电极的精密成型，满足脑机接口、类***电生理研究、微针给药等前沿医疗应用的严苛要求。

MEMS特点：

1.微型化：MEMS器件体积小、重量轻、耗能低、惯性小、谐振频率高、响应时间短。

2.以硅为主要材料，机械电器性能优良：硅的强度、硬度和杨氏模量与铁相当，密度类似铝，热传导率接近钼和钨。

3.批量生产：用硅微加工工艺在一片硅片上可同时制造成百上千个微型机电装置或完整的MEMS。批量生产可降低生产成本。

4.集成化：可以把不同功能、不同敏感方向或致动方向的多个传感器或执行器集成于一体，或形成微传感器阵列、微执行器阵列，甚至把多种功能的器件集成在一起，形成复杂的微系统。微传感器、微执行器和微电子器件的集成可制造出可靠性、稳定性很高的MEMS。

5.多学科交叉：MEMS涉及电子、机械、材料、制造、信息与自动控制、物理、化学和生物等多种学科，并集约了当今科学技术发展的许多成果。 台阶仪与 SEM 测量技术确保微纳结构尺寸精度，支撑深硅刻蚀、薄膜沉积等工艺质量管控。

硅基金属电极加工工艺与生物相容性优化：在硅片、LN（铌酸锂）、LT（钽酸锂）、蓝宝石、石英等基板上加工金属电极，需兼顾电学性能与生物相容性。公司采用溅射沉积与剥离工艺，首先在基板表面沉积50-200nm的钛/金种子层，增强金属与基板的附着力；然后旋涂光刻胶并曝光显影，形成电极图案；再溅射1-5μm厚度的金/铂金属层，***通过**剥离得到完整电极结构。电极线条宽度可控制在10-500μm，边缘粗糙度＜5μm，接触电阻＜1Ω?cm2。针对植入式医疗器件，表面采用聚乙二醇（PEG）涂层处理，通过硅烷偶联剂共价键合，涂层厚度5-10nm，可将蛋白吸附量降低90%以上，炎症反应发生率下降60%。该技术应用于神经电极时，16通道电极阵列的信号噪声比＞20dB，可稳定记录单个神经元放电信号达3个月以上。在传感器领域，硅基金电极对葡萄糖的检测灵敏度达100μA?mM?1?cm?2，线性范围0.01-10mM，适用于血糖监测芯片。公司支持多种金属材料（如钛、铂、铱）与基板的组合加工，满足不同应用场景对电极导电性、耐腐蚀性的需求。MEMS的继电器与开关是什么？中国澳门MEMS微纳米加工货源充足

MEMS微流控芯片是什么？采用微纳米加工的MEMS微纳米加工按需定制

超声影像芯片的全集成MEMS设计与性能突破：针对超声PZT换能器及CMUT/PMUT新型传感器的收发需求，公司开发了**SoC超声收发芯片，采用0.18mm高压SOI工艺实现发射与开关复用，大幅节省芯片面积的同时提升性能。在发射端，通过MEMS高压驱动电路设计，实现±100V峰值输出电压与1A持续输出电流，较TI同类产品提升30%，满足深部组织成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采样率可达100Msps，信噪比（SNR）达73.5dB，有效提升弱信号检测能力。芯片采用多层金属布线与硅通孔（TSV）技术，实现3D堆叠集成，封装尺寸较传统方案缩小40%。在二次谐波抑制方面，通过优化版图布局与寄生参数补偿，将5MHz信号的二次谐波降至-40dBc，优于行业基准-45dBc，***提升图像分辨率。目前TX芯片已完成流片，与掌上超声企业合作开发便携式超声设备，可实现腹部、心血管等部位的实时成像，探头尺寸*30mm×20mm，重量＜50g，推动超声诊断设备向小型化、智能化迈进，助力基层医疗场景普及。采用微纳米加工的MEMS微纳米加工按需定制