玻璃与硅片微流道精密加工:深圳市勃望初芯半导体科技有限公司依托深硅反应离子刻蚀(DRIE)技术,实现玻璃与硅片基材的高精度微流道加工。针对玻璃芯片,通过光刻掩膜与氢氟酸湿法刻蚀工艺,可制备深宽比达10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道网络,适用于高通量单细胞操控与生化反应腔构建。硅片加工则采用干法刻蚀结合等离子体表面改性技术,形成亲疏水交替的微流道结构,提升毛细力驱动效率。例如,在核酸检测芯片中,硅基微流道通过自驱动流体设计,无需外接泵阀即可完成样本裂解、扩增与检测全流程,检测时间缩短至1小时以内,灵敏度达1拷贝/μL。此类芯片还可集成微加热元件,实现PCR温控精度±0.1℃,为分子诊断提供高效硬件平台。MEMS是一种现代化的制造技术。贵州MEMS微纳米加工之PI柔性器件
MEMS制作工艺-声表面波器件的特点:
1.声表面波具有极低的传播速度和极短的波长,它们各自比相应的电磁波的传播速度的波长小十万倍。在VHF和UHF波段内,电磁波器件的尺寸是与波长相比拟的。同理,作为电磁器件的声学模拟声表面波器件SAW,它的尺寸也是和信号的声波波长相比拟的。因此,在同一频段上,声表面波器件的尺寸比相应电磁波器件的尺寸减小了很多,重量也随之大为减轻。
2.由于声表面波系沿固体表面传播,加上传播速度极慢,这使得时变信号在给定瞬时可以完全呈现在晶体基片表面上。于是当信号在器件的输入和输出端之间行进时,就容易对信号进行取样和变换。这就给声表面波器件以极大的灵活性,使它能以非常简单的方式去。完成其它技术难以完成或完成起来过于繁重的各种功能。
3.采用MEMS工艺,以铌酸锂LNO和钽酸锂LTO为例子的衬底,通过光刻(含EBL光刻)、镀膜等微纳米加工技术,实现的SAW器件,在声表面器件的滤波、波束整形等方面提供了极大的工艺和性能支撑。 发展MEMS微纳米加工常见问题柔性电极表面改性技术通过 PEG 复合涂层,降低蛋白吸附 90% 并提升体内植入生物相容性。
MEMS制作工艺-太赫兹特性:
1.相干性由于它是由相千电流驱动的电偶极子振荡产生,或又相千的激光脉冲通过非线性光学频率差频产生,因此有很好的相干性。THz的相干测量技术能够直接测量电场振幅和相位,从而方便提取检测样品的折射率,吸收系数等。
2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量级,远小于X射线的10^3量级,不易破坏被检测的物质,适合于生物大分子与活性物质结构的研究。
3.穿透性:THz辐射对于很多非极性物质,如塑料,纸箱,布料等包装材料有很强的穿透能力,在环境控制与安全方面能有效发挥作用
4.吸收性:大多数极性分子对THz有强烈的吸收作用,可以用来进行医疗诊断与产品质量监控
5.瞬态性:相比于传统电磁波与光波,THz典型脉宽在皮秒量级,通过光电取样测量技术,能够有效抑制背景辐射噪声的干扰,在小于3THz时信噪比达10人4:1。
6.宽带性:THz脉冲光源通常包含诺千个周期的电磁振荡,!单个脉冲频宽可以覆盖从GHz至几+THz的范围,便于在大的范围内分析物质的光谱信息。
微针器件与生物传感集成:公司采用干湿法混合刻蚀工艺制备的微针阵列,兼具纳米级前列锐度(曲率半径<100 nm)与微米级结构强度(抗弯刚度≥1 GPa),可穿透角质层无创提取组织间液或实现透皮给药。在药物递送领域,载药微针通过可降解高分子涂层(如PLGA)实现药物的缓释控制。例如,胰岛素微针贴片可在30分钟内完成药物释放,生物利用度较皮下注射提升40%。此外,微针表面可修饰金纳米颗粒或导电聚合物,集成阻抗/伏安传感???,实时检测炎症因子(如IL-6)或病原体抗原,检测限低至1 pg/mL。在电化学检测场景中,微针阵列与微流控芯片联用,可同步完成样本提取、预处理与信号分析,将皮肤间质液检测的全程时间缩短至15分钟,为POCT设备的小型化奠定基础。汽车上的MEMS传感器有哪些?
MEMS制作工艺-太赫兹超导混频阵列的MEMS体硅集成天线与封装技术:
太赫兹波是天文探测领域的重要波段,太赫兹波探测对提升人类认知宇宙的能力有重要意义。太赫兹超导混频接收机是具有代表性的高灵敏天文探测设备。天线及混频芯片封装是太赫兹接收前端系统的关键组件。当前,太赫兹超导接收机多采用单独的金属喇叭天线和金属封装,很难进行高集成度阵列扩展。大规模太赫兹阵列接收机发展很大程度受到天线及芯片封装技术的制约。课题拟研究基于MEMS体硅工艺技术的适合大规模太赫兹超导接收阵列应用的0.4THz以上频段高性能集成波纹喇叭天线,及该天线与超导混频芯片一体化封装。通过电磁场理论分析、电磁场数值建模与仿真、低温超导实验验证等手段, MEMS 微纳米加工的成本效益随着技术的成熟逐渐提高,为其大规模商业化应用奠定了基础。甘肃MEMS微纳米加工哪里买
金属流道 PDMS 芯片与 PET 基板键合,实现柔性微流控芯片与刚性电路的高效集成。贵州MEMS微纳米加工之PI柔性器件
微纳结构的多图拼接测量技术:针对大尺寸微纳结构的完整表征,公司开发了多图拼接测量技术,结合SEM与图像算法实现亚微米级精度的全景成像。首先通过自动平移台对样品进行网格扫描,获取多幅局部SEM图像(分辨率5nm,视野范围10-100μm);然后利用特征点匹配算法(如SIFT/SURF)进行图像配准,误差<±2nm/100μm;通过融合算法生成完整的拼接图像,可覆盖10mm×10mm区域。该技术应用于微流控芯片的流道检测时,可快速识别全长10cm流道内的微小缺陷(如5μm以下的毛刺或堵塞),检测效率较单图测量提升10倍。在纳米压印模具检测中,多图拼接可精确分析100μm×100μm范围内的结构一致性,特征尺寸偏差<±1%。公司自主开发的拼接软件支持实时预览与缺陷标记,输出包含尺寸标注、粗糙度分析的检测报告,为微纳加工的质量控制提供了高效工具,尤其适用于复杂三维结构与大面积阵列的计量需求。贵州MEMS微纳米加工之PI柔性器件