MEMS制作工艺-太赫兹传感器：

超材料(Metamaterial)是一种由周期性亚波长金属谐振的单元阵列组成的人工复合型电磁材料,通过合理的设计单元结构可实现特殊的电磁特性,主要包括隐身、完美吸和负折射等特性。目前,随着太赫兹技术的快速发展,太赫兹超材料器件已成为当前科研的研究热点,在滤波器、吸收器、偏振器、太赫兹成像、光谱和生物传感器等领域有着广阔的应用前景。

这项研究提出了一种全光学、端到端的衍射传感器，用于快速探测隐藏结构。这种衍射太赫兹传感器具有独特的架构，由一对编码器和解码器构成的衍射网络组成，每个网络都承担着结构化照明和空间光谱编码的独特职责，这种设计较为新颖。基于这种独特的架构，研究人员展示了概念验证的隐藏缺陷探测传感器。实验结果和分析成功证实了该单像素衍射太赫兹传感器的可行性，该传感器使用脉冲照明来识别测试样品内各种未知形状和位置的隐藏缺陷，具有误报率极低、无需图像形成和采集以及数字处理步骤等特点。 MEMS微流控芯片是什么？广西MEMS微纳米加工技术规范

金属流道PDMS芯片与PET基板的键合工艺：金属流道PDMS芯片通过与带有金属结构的PET基板键合，实现柔性微流控芯片与刚性电路的集成，兼具流体处理与电信号控制功能。键合前，PDMS流道采用氧等离子体活化处理（功率100W，时间30秒），使表面羟基化；PET基板通过电晕处理提升表面能，溅射1μm厚度的铜层并蚀刻形成电极图案。键合过程在真空环境下进行，施加0.5MPa压力并保持30分钟，形成化学共价键，剥离强度＞5N/cm。金属流道内的电解液与外部电路通过键合区的Pad连接，接触电阻＜100mΩ，确保信号稳定传输。该技术应用于微流控电化学检测芯片时，可在10μL的反应体系内实现多参数同步检测，如pH、离子浓度与氧化还原电位，检测精度均优于±1%。公司优化了键合设备的温度与压力控制算法，将键合缺陷率（如气泡、边缘溢胶）降至0.5%以下，支持大规模量产。此外，PET基板的可裁剪性与低成本特性，使得该芯片适用于一次性检测试剂盒，单芯片成本较玻璃/硅基方案降低60%，为POCT设备厂商提供了高性价比的集成方案。云南MEMS微纳米加工参考价热敏柔性电极采用 PI 三明治结构，底层基板、中间电极、上层绝缘层设计确保柔韧性与导电性。

MEMS制作工艺-声表面波器件的特点：

1.由于声表面波器件是在单晶材料上用半导体平面工艺制作的，所以它具有很好的一致性和重复性，易于大量生产，而且当使用某些单晶材料或复合材料时，声表面波器件具有极高的温度稳定性。

2.声表面波器件的抗辐射能力强，动态范围很大，可达100dB。这是因为它利用的是晶体表面的弹性波而不涉及电子的迁移过程此外，在很多情况下，声表面波器件的性能还远远超过了很好的电磁波器件所能达到的水平。比如用声表面波可以作成时间-带宽乘积大于五千的脉冲压缩滤波器，在UHF频段内可以作成Q值超过五万的谐振腔，以及可以作成带外抑制达70dB、频率达1低Hz的带通滤波器

MEMS制作工艺-声表面波器件的原理：声表面波器件是在压电基片上制作两个声一电换能器一叉指换能器。所谓叉指换能器就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案，它的作用是实现声一电换能。声表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的换能器(输入换能器)通过逆压电效应将愉入的电信号转变成声信号，此声信号沿基片表面传播，然后由基片右边的换能器(输出换能器)将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理，并利用声一电换能器的特性来完成的。MEMS的超材料介绍与讲解。

MEMS制作工艺压电器件的常用材料：

氧化锌是一种众所周知的宽带隙半导体材料（室温下3.4eV，晶体），它有很多应用，如透明导体，压敏电阻，表面声波，气体传感器，压电传感器和UV检测器。并因为可能应用于薄膜晶体管方面正受到相当的关注。同时氧化锌还具有相当良好的生物相容性，可降解性。E.Fortunato教授介绍了基于氧化锌的新型薄膜晶体管所带来的主要优势，这些薄膜晶体管在下一代柔性电子器件中非常有前途。除此之外，还有众多的二维材料被应用于柔性电子领域，包括石墨烯、半导体氧化物，纳米金等。2014年发表在chemicalreview和naturenanotechnology上的两篇经典综述详尽阐述了二维材料在柔性电子的应用。 PVD磁控溅射、PECVD气相沉积、IBE刻蚀、ICP-RIE深刻蚀是构成MEMS技术的必备工艺。北京MEMS微纳米加工的传感器

MEMS的继电器与开关是什么？广西MEMS微纳米加工技术规范

微纳结构的台阶仪与SEM测量技术：台阶仪与扫描电子显微镜（SEM）是微纳加工中关键的计量手段，确保结构尺寸与表面形貌符合设计要求。台阶仪采用触针式或光学式测量，可精确获取0.1nm-500μm高度范围内的轮廓信息，分辨率达0.1nm，适用于薄膜厚度、刻蚀深度、台阶高度的测量。例如，在深硅刻蚀工艺中，通过台阶仪监测刻蚀深度（精度±1%），确保流道深度均匀性＜2%。SEM则用于纳米级结构观测，配备二次电子探测器，可实现5nm分辨率的表面形貌成像，用于微流道侧壁粗糙度（Ra＜50nm）、微孔孔径（误差＜±5nm）的检测。在PDMS模具复制过程中，SEM检测模具结构的完整性，避免因缺陷导致的芯片流道堵塞。公司建立了标准化测量流程，针对不同材料与结构选择合适的测量方法，如柔性PDMS芯片采用光学台阶仪非接触测量，硬质芯片结合SEM与台阶仪进行三维尺寸分析。通过大数据统计过程控制（SPC），将关键尺寸的CPK值提升至1.67以上，确保加工精度满足需求，为客户提供可追溯的质量保障。广西MEMS微纳米加工技术规范