本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器及通信设备。背景技术：在无线通信中，用户设备需要支持的工作频段很多。尤其是第四代蜂窝移动通信(lte)中，用户设备需要支持40多个工作频带(band)。而宽带功率放大器(poweramplifier，pa)的性能会随着工作频率变化，难以实现很宽的功率频率范围。lte工作频率一般分为低频段(lb，663mhz～915mhz)，中频段(mb，1710mhz～2025mhz)，高频段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射频前端也包含lb、mb、hb三个pa，每个功率放大器支持一个频段，需要三个宽带pa。尤其是lb的相对频率带宽，pa很难在整个频段内实现高线性和高效率，在设计的过程中会存在线性度和效率和折中处理，同时频段内的不同频点的性能也不同。无线通信对发射频谱的杂散有严格的要求。当pa后连接的滤波器对谐波抑制较少因此要求pa的输出谐波也较低。pa的匹配路同时要具有滤波性能。部分高集成的射频前端芯片(如2g前端模组，nbiot前端模组)，要求pa的匹配滤波电路同时具有很高的谐波抑制性能，因此不需要再在pa后增加滤波器。设计一种宽带功率放大器，在功率频率范围内实现一致且良好的性能，成为宽带pa的设计的重点和难点。效率：功率放大器的效率除了取决于晶体管的工作状态、电路结构、负载 等因素外，还与输出匹配电路密切相关。福建超宽带射频功率放大器技术

    对于各个电路和具体的增益控制方法的介绍，可参见前面的实施例的描述，此处不再详述。应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号为了描述，不实施例的优劣。需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的电路中还存在另外的相同要素。以上所述，为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此。广西大功率射频功率放大器技术根据晶体管的增益斜率和放大器增益要求，确定待综合匹配网络的衰减斜 率、波纹、带宽，并导出其衰减函数。

    本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。附图说明图1是本发明实施例中的一种射频功率放大器的电路结构图；图2是本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图；图3是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图；图4是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图；图5是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图；图6是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图；图7是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。具体实施方式如上所述，现有技术中，采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa，只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单，缺点是难以实现宽带功率放大器。

    单位为分贝)，再根据链路预算lb确定终端的发射功率(transmittingpower，pt)(单位为分贝瓦或者分贝毫瓦)。终端在与基站通信后，确定天线的发射功率pt，根据天线的发射功率pt和天线的增益确定射频功率放大器电路的输出功率，根据射频功率放大器电路的输出功率确定射频功率放大器电路的输入功率和增益，通过微控制器对射频功率放大器电路的输入功率进行调节，并根据增益确定射频功率放大器电路中的模式控制信号，使其终的输出功率满足要求。其中，路径损耗pl的计算参见公式(1)：pl＝20log10(f)+20log10(d)–c(1)；其中，f为信号频率，单位为mhz；d为基站和终端之间的距离；c为经验值，一般取28。在一些实施例中，如欲计算出户外空旷环境中距离为d＝1200米，频率为f＝915mhz和f＝，则可根据公式(1)推导出f＝915mhz时的pl为：20log10(915)+20log10(1200)–28＝，还可推导出f＝：20log10(2400)+20log10(1200)–28＝。如果发送器与目标接收机之间的路径损耗pl大于链路预算lb，那么就会发生数据丢失，无法实现通信，因此，链路预算lb需要大于等于路径损耗pl，据此可以得到链路预算值。终端的发射功率pt由式(2)计算得到：lb＝pt+gt+gr-rs(2)；其中，gt为终端的天线增益，单位为分贝。射频功率放大器器件放大管基本上由氮化镓，砷化镓，LDMOS管电路运用。

其次是低端智能手机（35%）和奢华智能手机（13%）。25G基站，PA数倍增长，GaN大有可为5G基站，射频PA需求大幅增长5G基站PA数量有望增长16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三个扇区，对应的PA需求量为12个，5G基站，预计64T64R将成为主流方案，对应的PA需求量高达192个，PA数量将大幅增长。5G基站射频PA有望量价齐升。目前基站用功率放大器主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS技术，不过LDMOS技术适用于低频段，在高频应用领域存在局限性。对于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的运行频率，RF功率在，预计5G基站GaN射频PA将逐渐成为主导技术，而GaN价格高于LDMOS和GaAs。GaN具有优异的高功率密度和高频特性。提高功率放大器RF功率的简单的方式就是增加电压，这让氮化镓晶体管技术极具吸引力。如果我们对比不同半导体工艺技术，就会发现功率通常会如何随着高工作电压IC技术而提高。硅锗(SiGe)技术采用相对较低的工作电压（2V至3V），但其集成优势非常有吸引力。GaAs拥有微波频率和5V至7V的工作电压，多年来一直应用于功率放大器。硅基LDMOS技术的工作电压为28V，已经在电信领域使用了许多年，但其主要在4GHz以下频率发挥作用。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs，GAN和LDMOS工艺。L波段射频功率放大器供应商

微波功率放大器工作处于非线性状态放大过程中会产生的谐波分量，输入、输出匹配网络除起到阻抗变换作用外。福建超宽带射频功率放大器技术

    70年代末研制出了具有垂直沟道的绝缘栅型场效应管，即VMOS管，其全称为V型槽MOS场效应管，它是继MOSFET之后新发展起来的高效功率器件，具有耐压高，工作电流大，输出功率高等优良特性。垂直MOS场效应晶体管（VMOSFET）的沟道长度是由外延层的厚度来控制的，因此适合于MOS器件的短沟道化，从而提高器件的高频性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF频段，也就是30MHz到3GHz。封装好的VMOS器件能够在UHF频段提供高达1kW的功率，在VHF频段提供几百瓦的功率，可由12V,28V或50V电源供电，有些VMOS器件可以100V以上的供电电压工作。横向扩散MOS（LDMOS）横向双扩散MOS晶体管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：这是为了减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS，在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。与晶体管相比，LDMOS在关键的器件特性方面，如增益、线性度、散热性能等方面优势很明显，由于更容易与CMOS工艺兼容而被采用。LDMOS能经受住高于双极型晶体管的驻波比，能在较高的反射功率下运行而不被破坏；它较能承受输入信号的过激励，具有较高的瞬时峰值功率。福建超宽带射频功率放大器技术

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