将射频功率放大器检测模块的电阻值与预设的配置状态电阻值作比较，可以得知此时射频功率放大器是否已完成配置。104、所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等，开启所述射频功率放大器。例如，射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值，此时射频功率放大器的电阻值与配置状态的电阻值不相同，则表示此射频功率放大器还没有开启，移动终端开启此射频功率放大器。其中，射频功率放大器的开启与关闭由处理器控制。105、所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等，所述射频功率放大器配置完成。例如，射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值，此时射频功率放大器的电阻值与配置状态的电阻值相同，则表示射频功率放大器配置完成。为了更好地实施以上方法，本申请实施例还可以提供一种移动终端射频功率放大器检测装置，该装置具体可以集成在网络设备中，该网络设备可以是移动终端等设备。例如，如图3所示，该装置可以包括预设单元301、计算单元302、比较单元303，如下：(1)预设单元301预设单元301，用于预设射频功率放大器的配置状态电阻值。例如。根据晶体管的增益斜率和放大器增益要求，确定待综合匹配网络的衰减斜 率、波纹、带宽，并导出其衰减函数。福建国产射频功率放大器

    RFMDWiFiPA产品线型号非常多，几乎可以满足所有WiFi产品的射频需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RFRFRFRF03018395RFRF0345800RF02851000RF03051450RF018120RFPA0265545RFPA0255670RFPA0335470RFPA5201E875RFPASTA-5063Z352STA-6033(Z)83165SZA-2044(Z)300SZA-3044(Z)45340SZA-5044(Z)15330SZA-6044(Z)5165SZM-2066Z583SZM-2166Z76878SZM-3066Z65730SZM-3166Z7900SZM-5066Z55800RFPA55124900MHz5850MHz33dB11ac-?23dBm11n–25dBm11ac––3%5VRFPA0RFPA55225180MHz5925MHz33dB23dBm-35dB5V285mARFPA033RFPA5542B在这些产品中，**令笔者震撼的就是RFPA5201E，其性能好到没朋友。笔者此前开发一款10W（11nHT20MCS7）超大功率放大器时，曾经选用了RFMDRFPA5201E作为驱动级。RFPA5201E测试数据与Datasheet中描述完全一致，如下图。当然，RFPA5201E的功耗也是不容小觑的，达到了可怕的1000mA，这可能也是很多厂商望而却步的原因。Richwave立积电子(RichwaveTechnologyCorp.)成立于2004年，是专业的IC设计公司。公司的主要技术在开发与设计世界前列的无线射频(RF)集成电路，公司的主要目标是在无线射频。山东超宽带射频功率放大器哪家好微波功率放大器的输出功率主要有两个指标：饱和输出功率；ldB压缩点输出功率。

    此时信号将产生非线性，其功率需要小于-10dbm才能实现线性输出，此时射频功率放大器电路的线性增益为-10db，因此，其线性输出功率范围为：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等级的交叠，这是窄带物联网技术平台的要求，这样可保证应用端配置的灵活性。比如同样功率等级下，选择耗电小的功率模式等。这样发射信号功率即输出功率覆盖了-45dbm到，总共，可满足广域的信号覆盖要求。参见图1a和图1b，在射频功率放大器电路已经加强负反馈基础上(引入负反馈电路)，调节各级晶体管的偏置电路(例如调节t2和t4漏极的偏置电流，或者调节t3和t5漏极的偏置电压)，再在输入匹配电路之前引入可控衰减电路，可以进一步降低增益。从理论来讲，可控衰减电路通过设计可以满足负增益的需求。这里，可控衰减电路需要考虑尽量降低其对放大器输入匹配电路的影响，它好可以与输入匹配电路的设计融合。另外，需要射频功率放大器电路在没有处于负增益工作模式下时，具有适当的射频传导功率容量和静电保护能力(electro-staticdischarge，esd)。本申请实施例提供一种射频功率放大器电路，如图2所示，与图1a相比，在输入端口和输入匹配电路之间插入可控衰减电路。

    Microsemi的产品包括元器件和集成电路解决方案等，可通过改善性能和可靠性、优化电池、减小尺寸和保护电路而增强客户的设计能力。Microsemi公司所服务的主要市场包括植入式医疗机构、防御/航空和卫星、笔记本电脑、监视器和液晶电视、汽车和移动通信等应用领域。Microsemi在发展过程中收购了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA产品线型号较多，也多次出现在Atheros早期的参考设计中，近期的参考设计就很少出现了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果没记错的话，LX5511+LX5530出现在AtherosAP96低功率版本参考设计中。乙类工作状态：功率放大器在信号周期内只有半个周期存在工作电流，即导 通角0为180度.

    这个范围叫做“放大区”，集电极电流近似等于基极电流的N倍。双极性晶体管是一种较为复杂的非线性器件，如果偏置电压分配不当，将使其输出信号失真，即使工作在特定范围，其电流放大倍数也受到包括温度在内的因素影响。双极性晶体管的大集电极耗散功率是器件在一定温度与散热条件下能正常工作的大功率，如果实际功率大于这一数值，晶体管的温度将超出大许可值，使器件性能下降，甚至造成物理损坏。可通过高达28伏电源供电工作，工作频率可达几个GHz。为了防止由于热击穿导致的突发性故障，晶体管的偏置电压必须要仔细设计，因为热击穿一旦被触发，整个晶体管都将被立即毁坏。因此，采用这种晶体管技术的放大器必须具有保护电路以防止这种热击穿情况发生。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）MOSFET场效应管属于单极性晶体管，它的工作方式涉及单一种类载流子的漂移作用。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET），没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermalrunaway）。为了适合大功率运行。交调失真有不同频率的两个或更多的输入信号经过功率放大器而产生的 混合分量由于功率放大器的非线性造成的。海南自动化射频功率放大器

微波功率放大器工作处于非线性状态放大过程中会产生的谐波分量，输入、输出匹配网络除起到阻抗变换作用外。福建国产射频功率放大器

    由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。其中，频段与射频功率放大器的对应情况包括两种：一个频段对应一个射频功率放大器或多个频段对应一个射频功率放大器。移动终端在进行频段切换前，移动终端的射频功率放大器的状态包括开启状态或关闭状态，移动终端在进行频段切换时，需要开启一个或多个射频功率放大器。射频功率放大器的配置状态即移动终端在进行频段切换时，此时移动终端的射频功率放大器的状态。其中，由于射频功率放大器的开启状态与关闭状态所对应的电阻值不同，预设射频功率放大器的配置状态即预设射频功率放大器的配置状态电阻值。因此，射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。其中，每个射频功率放大器配置一个匹配电阻，关闭状态的电阻值为射频功率放大器的电阻值，开启状态的电阻值为匹配电阻的电阻值。不同的射频功率放大器设置不同的匹配电阻，不同的匹配电阻的电阻值不相等，并且满足若干个并联后不相等。本申请对于射频功率放大器的个数不作限定，匹配电阻的个数与射频功率放大器的个数相同。其中，检测到射频功率放大器关闭时，其匹配电阻不生效。福建国产射频功率放大器

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