对于各个电路和具体的增益控制方法的介绍，可参见前面的实施例的描述，此处不再详述。应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号为了描述，不实施例的优劣。需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的电路中还存在另外的相同要素。以上所述，为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此。微波功率放大器的输出功率主要有两个指标：饱和输出功率；ldB压缩点输出功率。江苏4g射频功率放大器

    vgs是指栅源电压，vth是指阈值电压。开关关断的寄生电容：coff＝fom/ron。其中fom为半导体工艺商提供的开关ron与coff乘积，单位为fs(飞秒)。另，w/l较大，发生esd时有利于能提供直接的低阻抗电流泄放通道。用两个sw叠加，相对单sw，能在esd大电流下保护sw的mos管不被损坏。当可控衰减电路的sw使用了叠管设计，两个开关sw1和sw2的控制逻辑是一样的：(1)非负增益模式下，sw1和sw2同时关断；(2)负增益模式下，sw1和sw2同时打开。本申请实施例中的sw1和sw2在应用中可以采用绝缘体上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以是bulkcmos管(平面结构mos管)。下面提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构，如图5a所示，图5a中l2、c1和r2构成驱动放大级电路之前的输入匹配电路，可以将输入端口的阻抗匹配到适合射频功率放大器电路的输入阻抗位置，这是由于驱动放大级电路需要某种特定阻抗范围，输出功率才能实现所需的效率，增益等性能。可控衰减电路的并联到地支路的sw1和r1，在它们之前的电感l1用于对并联到地支路的寄生电容的匹配补偿。在高增益模式下，这种射频功率放大器电路输入的匹配结构简洁，输入端口匹配良好，因此输入端的回波损耗好。湖北品质射频功率放大器值得推荐丙类状态：在信号周期内存在工作电流的时间不到半个周期即导通角0 小于18度，丙类功放的优点是效率非常高。

    射频功率放大器电路，用于根据微控制器的控制，对射频收发器的输出信号进行放大或衰减；天线，用于发射射频功率放大器电路的输出信号。由于终端(如水电表)分布范围广，每个终端距离基站的距离各不相同，距离基站远的终端，其信道衰减量大，因此需要射频功率放大器电路的输出功率大；而距离基站近的终端，其信道衰减量小，因此需要射频功率放大器电路的输出功率小。微控制器通过控制射频功率放大器电路的输入功率和增益，从而控制其输出功率，使其输出功率满足要求。例如，基站使用预先确定的通信资源发送同步信号(synchronizationchannel，sch)和广播信号(broadcastchannel，bch)。然后，终端首先捕捉sch，从而确保与基站之间的同步。然后，终端通过读取bch而获取基站特定的参数(如频率、带宽等)。终端在获取到基站特定的参数之后，通过对基站进行连接请求，建立与基站的通信。基站根据需要对建立了通信的终端通过物理下行控制信道(physicaldownlinkcontrolchannel，pdcch)等控制信道发送控制信息。终端中的微控制器通过通信模组接收到控制信息后，控制输出功率，使其满足要求。基站在与终端的通信过程中，根据路径损耗(pathloss，pl)确定链路预算(linkbudget，lb)。

    LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波射频信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化，这种主要特性因此允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。由于以上这些特点，LDMOS特别适用于UHF和较低的频率，晶体管的源极与衬底底部相连并直接接地，消除了产生负反馈和降低增益的键合线的电感的影响，因此是一个非常稳定的放大器。LDMOS具有的高击穿电压和与其它器件相比的较低的成本使得LDMOS成为在900MHz和2GHz的高功率基站发射机中的优先。LDMOS晶体管也被应用于在80MHz到1GHz的频率范围内的许多EMC功率放大器中。在GHz输出功率超过100W的LDMOS器件已经存在，半导体制造商正在开发频率范围更高的，可工作在GHz及以上的高功率LDMOS器件。砷化镓金属半导体场效应晶体管（GaAsMESFET）砷化镓（galliumarsenide），化学式GaAs，是一种重要的半导体材料。属于Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体，具有高电子迁移率(是硅的5到6倍)，宽的禁带宽度（硅是），噪声低等特点，GaAs比同样的Si元件更适合工作在高频高功率的场合。匹配电路是放大器设计中关键一环，可以说放大设计主要是匹配设计。

    射频功率放大器的关闭状态的电阻值即射频功率放大器自身的电阻值；检测到射频功率放大器开启时，其匹配电阻生效，射频功率放大器的开启状态的电阻值即匹配电阻的电阻值。匹配电阻跟射频功率放大器可以连接，将射频功率放大器的控制端接入匹配电阻的控制端；匹配电阻跟射频功率放大器也可以不连接，直接将匹配电阻设置在射频功率放大器的内部。其中，射频功率放大器的状态对应的电阻值存储在移动终端的存储器，计算出射频功率放大器的电阻值后，可根据存储器存储的对应关系得知射频功率放大器的状态。102、计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如，预先将射频功率放大器的输出端同步连接到射频功率放大器检测模块，在移动终端进行频段切换时，通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值，从而获取此时射频功率放大器的状态。每个射频功率放大器对应连接一个射频功率放大器检测模块。其中，设置一个计算电阻r0，计算电阻r0的一端与电源电压vdd相连，计算电阻r0的另一端与射频功率放大器的一端相连，多个射频功率放大器并联，射频功率放大器的另一端与接地端相连，计算电阻r0与射频功率放大器的连接之间设置处理器。其中。微波固态功率放大器的工作状态主要由功率、效率、失真及被放大信号的性 质等要求来确定。湖北射频功率放大器应用

微波功率放大器(PA)是微波通信系统、广播电视发射、雷达、导航系统的部件之一。江苏4g射频功率放大器

    包括：功率放大单元、功率合成变压器以及匹配滤波电路，其中：所述功率放大单元，输入端输入差分信号，第二输入端输入第二差分信号，输出端输出经过放大的差分信号，第二输出端输出经过放大的第二差分信号；所述功率合成变压器，包括初级线圈以及次级线圈；所述初级线圈的输入端输入所述经过放大的差分信号，第二输入端输入所述经过放大的第二差分信号；所述次级线圈包括主次级线圈以及辅次级线圈，所述主次级线圈的端接地，第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接；所述辅次级线圈，端与所述主次级线圈的第二端耦接，第二端与输出端匹配滤波电路耦接；所述匹配滤波电路，包括输入端匹配滤波电路以及所述输出端匹配滤波电路；所述输入端匹配滤波电路，与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率合成变压器的第二输入端均耦接；所述输出端匹配滤波电路，耦接在所述辅次级线圈的第二端与地之间。可选的，所述输入端匹配滤波电路包括：子滤波电路以及第二子滤波电路，其中：所述子滤波电路，端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接，第二端接地；所述第二子滤波电路，端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接。江苏4g射频功率放大器

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