以便能保证它工作在一个线性工作区，要具有足够的电压范围以便随着整个输入信号幅度的变化在不被剪裁或压缩的情况下复制它。A类放大器的优点：A类设计相比其他类设计要简单，输出部分可以有一个器件。当器件通过偏置设置工作在其传输特性的线性部分时，放大器可以非常精确地以更多功率再现输入信号，在输入信号功率增加1dB时，输出功率也增加1dB，因此是线性放大器。当工作在线性区时，产生的其他频率分量的能量很小，也就是谐波很小。因为器件通过偏置电压设置一直处于工作状态，不会被关闭，所以没有“开启”时间?？梢灾沂档卦傧至ê吐龀迨降牧ㄐ藕?。A类放大器的缺点：因为静态工作电流大约是大输出电流的一半，所以效率比较低。理论上大效率是50%，但实际效率会受到输出端的损耗影响而降低，比如滤波器，合路器，耦合器，隔离器，电源的转换效率等，这些可能会将实际效率降低10%左右。如果需要通过A类功放实现更高的输出功率，则浪费的功率和伴随着的发热量将增加。对于每一瓦传递到负载的功率，放大器可以消耗多达9瓦的热量。对于大功率A类功放，这就意味着要具有非常大和昂贵的供电电源以及散热装置。对于散热能力不足的A类功放。微波固态功率放大器的工作频率高或微带电 路对器件结构元器件装配电路板布线腔体螺钉位置等都 有严格要求。辽宁超宽带射频功率放大器
LX5535+LX5530出现在AtherosAP96高功率版本参考设计中，FEM多次出现在无线网卡参考设计中。LX5518则是近年应用较多的一款高功率PA，与后文即将出现的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸张地讲，MicrosemiLX5518与SkyworksSE2576占据了。LX5518的强悍性能如下图所示。RFaxisRFaxis是一家相对较新的射频半导体公司，成立于2008年1月，总部设于美国加州，专业从事射频半导体的设计和开发。凭借其独有的技术，RFaxis公司专为数十亿美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和无线音频/视频市场设计的下一代无线解决方案。利用纯CMOS并结合其自身的创新方法和技术，RFaxis开发出全球射频前端集成电路(RFeIC)。相信读者一定了解，CMOSPA的巨大优势就是成本低，在如今WiFi设备价格如此敏感的环境下，这是RFaxis开拓市场的利器。从RFaxis的官方上可以看到已经有多款WiFiPA，但缺少汇总数据，用户很难快速选型。本文*给出RFaxis主推的RFX240的性能。RFICRFIC的全称是RFIntegratedCorp.，中文名称是朗弗科技股份有限公司，这家公司显得十分低调，在其官网上甚至找不到任何有关公司的介绍，笔者也是醉了。广东大功率射频功率放大器乙类工作状态：功率放大器在信号周期内只有半个周期存在工作电流，即导 通角0为180度.
本申请实施例涉及但不限于射频前端电路，尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术：射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求发射功率可调，当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时，就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中，对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出，其动态范围要达到35～40db，并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节，但是反馈电路只能增加或减少增益，而不能实现负增益，无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素：有鉴于此，本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种射频功率放大器电路，应用于终端，包括：依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路、功率放大电路和输出匹配电路，与所述驱动放大电路跨接的反馈电路；所述可控衰减电路，用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号，实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换；所述输入匹配电路。
vgs是指栅源电压，vth是指阈值电压?？毓囟系募纳缛荩篶off＝fom/ron。其中fom为半导体工艺商提供的开关ron与coff乘积，单位为fs(飞秒)。另，w/l较大，发生esd时有利于能提供直接的低阻抗电流泄放通道。用两个sw叠加，相对单sw，能在esd大电流下?；w的mos管不被损坏。当可控衰减电路的sw使用了叠管设计，两个开关sw1和sw2的控制逻辑是一样的：(1)非负增益模式下，sw1和sw2同时关断；(2)负增益模式下，sw1和sw2同时打开。本申请实施例中的sw1和sw2在应用中可以采用绝缘体上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，也可以是bulkcmos管(平面结构mos管)。下面提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构，如图5a所示，图5a中l2、c1和r2构成驱动放大级电路之前的输入匹配电路，可以将输入端口的阻抗匹配到适合射频功率放大器电路的输入阻抗位置，这是由于驱动放大级电路需要某种特定阻抗范围，输出功率才能实现所需的效率，增益等性能?？煽厮ゼ醯缏返牟⒘降刂返膕w1和r1，在它们之前的电感l1用于对并联到地支路的寄生电容的匹配补偿。在高增益模式下，这种射频功率放大器电路输入的匹配结构简洁，输入端口匹配良好，因此输入端的回波损耗好。在所有微波发射系统中，都需要功率放大器将信号放大到足够的功 率电平，以实现信号的发射。
第六电容的第二端连接第二开关的端，第二开关的第二端连接第五电阻的端，第五电阻的第二端连接第五电容的端，第五电容的第二端和第三电容的第二端连接第二电感的第二端；其中，第二开关，用于响应微处理器发出的第七控制信号使自身处于关断状态，以降低反馈深度，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应第八控制信号使自身处于导通状态，以增加反馈深度，实现射频功率放大器电路处于负增益模式。需要说明的是，假设射频功率放大器电路在未加入反馈电路时的放大系数为a，反馈电路的反馈系数为f，则加入反馈电路后射频功率放大器电路100的放大系数af＝a/(1+af)，随着反馈电路中等效电阻阻值的降低，反馈系数f变大，反馈深度增加，放大系数af变小，有利于射频功率放大器电路实现负增益模式。其中，第四电阻的阻值大于第五电阻的阻值。第二开关响应微处理器发出的第七控制信号使自身处于关断状态，以降低反馈深度，从而使射频功率放大器电路实现非负增益模式；第二开关响应微处理器发出的第八控制信号使自身处于导通状态，以增加反馈深度，从而使射频功率放大器电路实现负增益模式。在一些实施例中，反馈电路还可如图6所示。由于功率放大器的源和负载都是50欧姆，输入匹配电路和输出匹配 电路主要是对一端是50欧姆。甘肃射频功率放大器种类
随着无线通信/雷达通信系统的发展对固态功率放大器提出了新 的要求：大功率输出、高效率、高线性度、高频率.辽宁超宽带射频功率放大器
70年代末研制出了具有垂直沟道的绝缘栅型场效应管，即VMOS管，其全称为V型槽MOS场效应管，它是继MOSFET之后新发展起来的高效功率器件，具有耐压高，工作电流大，输出功率高等优良特性。垂直MOS场效应晶体管（VMOSFET）的沟道长度是由外延层的厚度来控制的，因此适合于MOS器件的短沟道化，从而提高器件的高频性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF频段，也就是30MHz到3GHz。封装好的VMOS器件能够在UHF频段提供高达1kW的功率，在VHF频段提供几百瓦的功率，可由12V,28V或50V电源供电，有些VMOS器件可以100V以上的供电电压工作。横向扩散MOS（LDMOS）横向双扩散MOS晶体管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：这是为了减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS，在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。与晶体管相比，LDMOS在关键的器件特性方面，如增益、线性度、散热性能等方面优势很明显，由于更容易与CMOS工艺兼容而被采用。LDMOS能经受住高于双极型晶体管的驻波比，能在较高的反射功率下运行而不被破坏；它较能承受输入信号的过激励，具有较高的瞬时峰值功率。辽宁超宽带射频功率放大器
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