Microsemi的产品包括元器件和集成电路解决方案等，可通过改善性能和可靠性、优化电池、减小尺寸和?；さ缏范銮靠突У纳杓颇芰?。Microsemi公司所服务的主要市场包括植入式医疗机构、防御/航空和卫星、笔记本电脑、监视器和液晶电视、汽车和移动通信等应用领域。Microsemi在发展过程中收购了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA产品线型号较多，也多次出现在Atheros早期的参考设计中，近期的参考设计就很少出现了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(mA)PALNASwitchGainPout(dBM)Pout(dBM)GainNoiseIP3(dB)@3%EVM@(dB)(dB)(dBM)LX5541LL902719N/A1325NoLX5543LU822517N/AN/AN/AN/ASP3TLX5551LQ902618N/AN/AN/AN/ASPDTLX5552LU802617N/A25SPDTLX5553LU822517N/A135SP3TLX5586ALLSPDTLX5586HLLSPDTMicrosemiWiFi***/NFreqGainVinPout(dBM)Pout(dBM)Currentat(GHz)(dB)(V)@3%EVM@3%EVM(mA)LX5511LQ2620N/A170LX5514LL2820N/A145LX5535LQ32–522N/A275LX5518LQ32–526N/A390LX5530LQ528–523NA360LX5531LQ532–52523350如果没记错的话，LX5511+LX5530出现在AtherosAP96低功率版本参考设计中。发射机的前级电路中调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，必须必采用高增益大功率射频功率放大器。重庆射频功率放大器5w

   宽带性能一致性差，谐波性能也较差。采用普通结构变压器级联lc匹配实现功率合成和阻抗变换的pa，采用变压器及其输入输出匹配电容，输出级联lc匹配滤波电路。这种结构优点是谐波性能好，可以实现宽带一致的阻抗变换；缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中，高频点插损较大。在本发明实施例中，通过增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。本发明实施例提供了一种射频功率放大器，参照图1。在本发明实施例中，射频功率放大器可以包括：功率放大单元(powercell)、功率合成变压器以及匹配滤波电路。在具体实施率放大单元可以包括两个输入端以及两个输出端。安徽品质射频功率放大器制定射频功率放大器地用于多种有线和无线应用中，包括CATV，ISM，WLL，PCS，GSM，CDMA和WCDMA等各种频段。

   在本发明实施例率放大单元的输入端可以输入差分信号input_p，功率放大单元的第二输入端可以输入第二差分信号input_n。功率放大单元可以对输入的差分信号input_p以及第二差分信号input_n分别进行放大处理，功率放大单元的输出端可以输出经过放大的差分信号，功率放大单元的第二输出端可以输出经过放大的第二差分信号。差分信号input_p以及第二差分信号input_n的放大倍数可以由功率放大单元的放大系数决定，且差分信号input_p的放大倍数和对第二差分信号input_n的放大倍数相同。在具体实施中，差分信号input_p以及第二差分信号input_n可以是对输入至射频功率放大器的输入信号进行差分处理后得到的。具体的，对输入信号进行差分处理的原理及过程可以参照现有技术，本发明实施例不做赘述。在具体实施率合成变压器可以包括初级线圈11以及次级线圈。在本发明实施例中，初级线圈11的端可以与功率放大单元的输出端耦接，输入经过放大的差分信号；初级线圈11的第二端可以与功率放大单元的第二输出端耦接，输入经过放大的第二差分信号。在本发明实施例中，次级线圈可以包括主次级线圈121以及辅次级线圈122。主次级线圈121的端接地。

   当第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2时，第二电容c2与第二电感l2的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。因此，在具体应用中，可以根据功率放大单元的二次谐波频率，选择相应电容值的电容c1以及相应电感值的电感l1，以实现谐振频率的匹配；和/或，选择相应电容值的第二电容c2以及相应电感值的第二电感l2，以实现谐振频率的匹配。在具体实施中，电容c1可以是片上可调节的可调电容，通过调节电容c1的电容值，能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。相应地，第二电容c2也可以是片上可调节的可调电容，通过调节第二电容c2的电容值，能够进一步改善射频功率放大器的宽带性能。在图1与图2中，子滤波电路的结构与第二子滤波电路的结构相同。可以理解的是，子滤波电路的结构也可以与第二子滤波电路的结构不同。例如，子滤波电路包括电容c1，第二子滤波电路包括第二电容c2以及第二电感l2。又如，子滤波电路包括电容c1以及电感l1，第二子滤波电路包括第二电容c2。在具体实施中，输入端匹配滤波电路还可以包括寄生电容，寄生电容可以耦接在功率放大单元的输出端与功率放大单元的第二输出端之间。在具体实施中，输出端匹配滤波电路可以包括第三子滤波电路。效率：功率放大器的效率除了取决于晶体管的工作状态、电路结构、负载等因素外，还与输出匹配电路密切相关。

PA）用量翻倍增长：PA是一部手机关键的器件之一，它直接决定了手机无线通信的距离、信号质量，甚至待机时间，是整个射频系统中除基带外重要的部分。手机里面PA的数量随着2G、3G、4G、5G逐渐增加。以PA模组为例，4G多模多频手机所需的PA芯片为5-7颗，预测5G手机内的PA芯片将达到16颗之多。5G手机功率放大器（PA）单机价值量有望达到：同时，PA的单价也有提高，2G手机用PA平均单价为，3G手机用PA上升到，而全模4G手机PA的消耗则高达，预计5G手机PA价值量达到。载波聚合与MassivieMIMO对PA的要求大幅增加。一般情况下，2G只需非常简单的发射模块，3G需要有3G的功率放大器，4G要求更多滤波器和双工器载波器，载波聚合则需要有与前端配合的多工器，上行载波器的功率放大器又必须重新设计来满足线性化的要求。5G无线通信前端将用到几十甚至上百个通道，要求网络设备或者器件供应商能够提供全集成化的解决方案，这增加了产品设计的复杂度，无论对器件解决方案还是设备解决方案提供商都提出了很大技术挑战。GaAs射频器件仍将主导手机市场5G时代，GaAs材料适用于移动终端。GaAs材料的电子迁移率是Si的6倍，具有直接带隙，故其器件相对Si器件具有高频、高速的性能。宽带放大器是指上限工作频率与下限工作频率之比甚大于1的放大电路。广西应用射频功率放大器服务电话

输出匹配电路确定后功率放大器的输出功率及效率也基本确定了但它的增益平坦度并不一定满足技术指标的要求。重庆射频功率放大器5w

   第七电感l7与第五电容c5组成谐振电路。在具体实施中，射频功率放大器还可以包括驱动电路。驱动电路的输入端可以接收输入信号，驱动电路的输出端可以输出差分信号input_p，驱动电路的第二输出端可以输出第二差分信号input_n。驱动电路可以起到将输入信号进行差分的操作，并对输入信号进行驱动，提高输入信号的驱动能力。参照图7，给出了本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。在图7中，增加了驱动电路。可以理解的是，在图1～图6中，也可以通过驱动电路来对输入信号进行差分处理，得到差分信号input_p以及第二差分信号input_n。在具体实施中，匹配滤波电路还可以包括功率合成变压器对应的寄生电容，功率合成变压器对应的寄生电容包括初级线圈与次级线圈之间的寄生电容，该寄生电容可以参与功率合成和阻抗转换?？泶溲蛊鞯淖杩贡浠恢饕茉咽?、耦合系数k值和寄生电感电容的影响，具有宽带工作的特点，相对于lc网络的阻抗变换网络更容易实现宽带的阻抗变换，因此适用于宽带功率放大器。应用于高集成度射频功率放大器的宽带变压器，因为受实现工艺的影响，往往k值比较小(k值较小会影响能量耦合，即信号转换效率变低)，寄生电感电容影响比较大。重庆射频功率放大器5w

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