自适应动态偏置电路的输入端通过匹配网络连接射频输入端;自适应动态偏置电路的输出端连接功率放大器源放大器的栅极和共栅放大器的栅极。可选的,在自适应动态偏置电路中,nmos管的栅极为自适应动态偏置电路的输入端,nmos管的漏极连接pmos管的源极,nmos管的源极接地;第二nmos管的漏极与第二pmos管的漏极连接,第二nmos管的源极接地,第二pmos管的源极接电源电压,第二nmos管的栅极与第二pmos管的栅极连接后与nmos管的漏极连接;第三nmos管的漏极与第三pmos管的漏极连接,第三nmos管的源极接地,第三pmos管的源极接电源电压,第三nmos管的栅极与漏极连接,第三pmos管的栅极和漏极连接;第二nmos管的漏极与第二pmos管的漏极的公共端记为连接点,第三nmos管的漏极与第三pmos管的漏极的公共端记为第二连接点,连接点与第二连接点连接,第二连接点通过电阻接自适应动态偏置电路的输出端,输出端用于为功率放大器源放大器的栅极提供偏置电压;第四nmos管的漏极与第四pmos管的漏极连接后与pmos管的栅极连接,第四nmos管的源极接地,第四pmos管的源极接电源电压,第四nmos管的栅极和第四pmos管的栅极连接后与nmos管的漏极连接。由于进行大功率放大设计,电路必然产生许多谐波,匹配电路还需要有滤 波功能。河北射频功率放大器标准
本申请实施例涉及但不限于射频前端电路,尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术:射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求发射功率可调,当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节,但是反馈电路只能增加或减少增益,而不能实现负增益,无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素:有鉴于此,本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的:本申请实施例提供一种射频功率放大器电路,应用于终端,包括:依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路、功率放大电路和输出匹配电路,与所述驱动放大电路跨接的反馈电路;所述可控衰减电路,用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路。安徽V段射频功率放大器报价功率放大器在无线通信系统中是一个不可缺少的重要组成部分通信体制的发展功率放大器进入了快速发展的阶段。
以对输入至功率合成变压器的信号进行对应的匹配滤波处理。在具体实施中,子滤波电路可以包括电容c1,电容c1的端可以与功率合成变压器的输入端以及功率放大单元的输入端耦接,第二端可以接地。在本发明实施例中,为提高谐波滤波性能,子滤波电路还可以包括电感l1,电感l1可以设置电容c1的第二端与地之间。参照图2,给出了本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图。图2中,子滤波电路包括电感l1以及电容c1,电感l1串联在电容c1的第二端与地之间。在具体实施中,第二子滤波电路可以包括第二电容c2,第二电容c2的端可以与功率合成变压器的第二输入端以及功率放大单元的第二输入端耦接,第二端可以接地。在本发明实施例中,为提高谐波滤波性能,第二子滤波电路还可以包括第二电感l2,第二电感l2可以设置第二电容c2的第二端与地之间。继续参照图2,第二子滤波电路包括第二电感l2以及第二电容c2,第二电感l2串联在第二电容c2的第二端与地之间。在具体实施中,串联电感的到地电容和该电感的谐振频率可以在功率放大单元的二次谐波频率附近。也就是说,当子滤波电路包括电容c1以及电感l1时,电容c1与电感l1的谐振频率在功率放大单元的二次谐波频率附近。相应地。
宽带pa通常采用cllc、lccl、两级或多级lc匹配。cllc结构,采用串联电容到地电感级联串联电感到地电容;lccl采用串联电感到地电容级联串联电容到地电感。这两种结构优点是结构较简单,插损较小;缺点是宽带性能一致性不好,在不同的频率性能不一致,而且谐波性能差。两级或多级lc结构,采用两级或多级串联电感到地电容级联在一起。这种结构优点是谐波性能好,可以实现宽带一致的阻抗变换;缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中,高频点插损较大。采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa,只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单,缺点是难以实现宽带功率放大器,宽带性能一致性差,谐波性能也较差。采用普通结构变压器级联lc匹配实现功率合成和阻抗变换的pa,采用变压器及其输入输出匹配电容,输出级联lc匹配滤波电路。这种结构优点是谐波性能好,可以实现宽带一致的阻抗变换;缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中,高频点插损较大。技术实现要素:本发明实施例解决的是如何实现射频功率放大器在较宽的频率范围内实现一致性的同时,具有较好的谐波性能和工作效率。为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种射频功率放大器。为减小 AM—AM失真,应降低工作点,常称为增益回退。
将导致更复杂的天线调谐器和多路复用器。RF系统级封装(SiP)市场可分为一级和二级SiP封装:各种RF器件的一级封装,如芯片/晶圆级滤波器、开关和放大器(包括RDL、RSV和/或凸点步骤);在表面贴装(SMT)阶段进行的二级SiP封装,其中各种器件与无源器件一起组装在SiP基板上。2018年,射频前端模组SiP市场(包括一级和二级封装)总规模为33亿美元,预计2018~2023年期间的复合年均增长率(CAGR)将达到,市场规模到2023年将增长至53亿美元。预测2023年,PAMiDSiP组装预计将占RFSiP市场总营收的39%。2018年,晶圆级封装大约占RFSiP组装市场总量的9%。移动领域各种射频前端模组的SiP市场,包括:PAMiD(带集成双工器的功率放大器模块)、PAM(功率放大器模块)、RxDM(接收分集模块)、ASM(开关复用器、天线开关模块)、天线耦合器(多路复用器)、LMM(低噪声放大器-多路复用器模块)、MMMBPa(多模、多频带功率放大器)和毫米波前端模组。MEMS预测,到2023年,用于蜂窝和连接的射频前端SiP市场将分别占SiP市场总量的82%和18%。按蜂窝通信标准,支持5G(sub-6GHz和毫米波)的前端模组将占到2023年RFSiP市场总量的28%。智能手机将贡献射频前端模组SiP组装市场的43%。功率放大器有GAN,LDMOS初期主要面向移动电话基站、雷达,应用于 无线电广播传输器以及微波雷达与导航系统。湖南线性射频功率放大器要多少钱
功率放大器按照工作状态分为线性放大和非线性放大两种非线性放大器 效率比较高而线性放大器的效率比较低。河北射频功率放大器标准
射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。根据移动终端所切换的频段,预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态,由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。(2)计算单元302计算单元302,用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如,移动终端进行频段切换时,射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值,从而获取此时射频功率放大器的状态。其中,计算单元还包括计算电阻和处理器,计算电阻一端与射频功率放大器检测模块连接,计算电阻另一端与电源电压连接;处理器的引脚与计算电阻和射频功率放大器检测模块连接。(3)比较单元303比较单元303,用于比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。例如,将射频功率放大器检测模块的电阻值与预设的配置状态电阻值作比较,可以得知此时射频功率放大器是否已完成配置。射频功率放大器检测模块的电阻值即移动终端频段切换时的射频功率放大器的电阻值。其中,射频功率放大器检测模块与配置状态的电阻值不相同,则表示射频功率放大器还没有开启,移动终端开启此射频功率放大器。河北射频功率放大器标准