第三子滤波电路的端可以与辅次级线圈122的第二端耦接，第三子滤波电路的第二端可以接地。在本发明实施例中，第三子滤波电路可以包括第三电容c3；第三电容c3的端可以与辅次级线圈122的第二端耦接，第三电容c3的第二端可以接地。在具体实施中，第三子滤波电路还可以包括第三电感l3，第三电感l3可以串联在第三电容c3的第二端与地之间。参照图3，给出了本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。与图2相比较而言，图3中提供的射频功率放大器增加了第三电感l3。通过增加第三电感l3，可以进一步提高射频功率放大器的谐波滤波性能。在具体实施中，输出端匹配滤波电路还可以包括第四子滤波电路。在本发明实施例中，第四子滤波电路的端可以与主次级线圈121的第二端耦接，第四子滤波电路的第二端可以与射频功率放大器的输出端output耦接。第四子滤波电路可以为lc匹配滤波电路，lc匹配滤波电路可以为两阶匹配滤波电路，也可以为多阶匹配滤波电路。当lc匹配滤波电路为两阶匹配滤波电路时，其可以包括一个串联电感以及一个到地电容；当lc匹配滤波电路为多阶匹配滤波电路时，其可以包括两个串联电感或更多串联电感和一个到地电容或更多个到地电容。输出匹配电路确定后功率放大器的输出功率及效率也基本确定了但它 的增益平坦度并不一定满足技术指标的要求。云南线性射频功率放大器定制

    本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器及通信设备。背景技术：在无线通信中，用户设备需要支持的工作频段很多。尤其是第四代蜂窝移动通信(lte)中，用户设备需要支持40多个工作频带(band)。而宽带功率放大器(poweramplifier，pa)的性能会随着工作频率变化，难以实现很宽的功率频率范围。lte工作频率一般分为低频段(lb，663mhz～915mhz)，中频段(mb，1710mhz～2025mhz)，高频段(hb，2300mhz～2696mhz)。lte射频前端也包含lb、mb、hb三个pa，每个功率放大器支持一个频段，需要三个宽带pa。尤其是lb的相对频率带宽，pa很难在整个频段内实现高线性和高效率，在设计的过程中会存在线性度和效率和折中处理，同时频段内的不同频点的性能也不同。无线通信对发射频谱的杂散有严格的要求。当pa后连接的滤波器对谐波抑制较少因此要求pa的输出谐波也较低。pa的匹配路同时要具有滤波性能。部分高集成的射频前端芯片(如2g前端模组，nbiot前端模组)，要求pa的匹配滤波电路同时具有很高的谐波抑制性能，因此不需要再在pa后增加滤波器。设计一种宽带功率放大器，在功率频率范围内实现一致且良好的性能，成为宽带pa的设计的重点和难点。山东U段射频功率放大器电话多少在所有微波发射系统中，都需要功率放大器将信号放大到足够的功 率电平，以实现信号的发射。

    本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：增加辅次级线圈可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的宽带阻抗变换和滤波性能。附图说明图1是本发明实施例中的一种射频功率放大器的电路结构图；图2是本发明实施例中的另一种射频功率放大器的电路结构图；图3是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图；图4是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图；图5是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图；图6是本发明实施例中的再一种射频功率放大器的电路结构图；图7是本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。具体实施方式如上所述，现有技术中，采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa，只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单，缺点是难以实现宽带功率放大器。

其次是低端智能手机（35%）和奢华智能手机（13%）。25G基站，PA数倍增长，GaN大有可为5G基站，射频PA需求大幅增长5G基站PA数量有望增长16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三个扇区，对应的PA需求量为12个，5G基站，预计64T64R将成为主流方案，对应的PA需求量高达192个，PA数量将大幅增长。5G基站射频PA有望量价齐升。目前基站用功率放大器主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS技术，不过LDMOS技术适用于低频段，在高频应用领域存在局限性。对于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的运行频率，RF功率在，预计5G基站GaN射频PA将逐渐成为主导技术，而GaN价格高于LDMOS和GaAs。GaN具有优异的高功率密度和高频特性。提高功率放大器RF功率的简单的方式就是增加电压，这让氮化镓晶体管技术极具吸引力。如果我们对比不同半导体工艺技术，就会发现功率通常会如何随着高工作电压IC技术而提高。硅锗(SiGe)技术采用相对较低的工作电压（2V至3V），但其集成优势非常有吸引力。GaAs拥有微波频率和5V至7V的工作电压，多年来一直应用于功率放大器。硅基LDMOS技术的工作电压为28V，已经在电信领域使用了许多年，但其主要在4GHz以下频率发挥作用。输出匹配电路主要应具备损耗低，谐波抑制度高，改善驻波比，提高输出功 率及改善非线性等功能。

    本申请实施例涉及但不限于射频前端电路，尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术：射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求发射功率可调，当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时，就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中，对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出，其动态范围要达到35～40db，并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节，但是反馈电路只能增加或减少增益，而不能实现负增益，无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素：有鉴于此，本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的：本申请实施例提供一种射频功率放大器电路，应用于终端，包括：依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路、功率放大电路和输出匹配电路，与所述驱动放大电路跨接的反馈电路；所述可控衰减电路，用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号，实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换；所述输入匹配电路。微波功率放大器(PA)是微波通信系统、广播电视发射、雷达、导航系统的部件之一。四川射频功率放大器空载

射频功率放大器是无线通信系统中非常重要的组件。云南线性射频功率放大器定制

    在本发明实施例率放大单元的输入端可以输入差分信号input_p，功率放大单元的第二输入端可以输入第二差分信号input_n。功率放大单元可以对输入的差分信号input_p以及第二差分信号input_n分别进行放大处理，功率放大单元的输出端可以输出经过放大的差分信号，功率放大单元的第二输出端可以输出经过放大的第二差分信号。差分信号input_p以及第二差分信号input_n的放大倍数可以由功率放大单元的放大系数决定，且差分信号input_p的放大倍数和对第二差分信号input_n的放大倍数相同。在具体实施中，差分信号input_p以及第二差分信号input_n可以是对输入至射频功率放大器的输入信号进行差分处理后得到的。具体的，对输入信号进行差分处理的原理及过程可以参照现有技术，本发明实施例不做赘述。在具体实施率合成变压器可以包括初级线圈11以及次级线圈。在本发明实施例中，初级线圈11的端可以与功率放大单元的输出端耦接，输入经过放大的差分信号；初级线圈11的第二端可以与功率放大单元的第二输出端耦接，输入经过放大的第二差分信号。在本发明实施例中，次级线圈可以包括主次级线圈121以及辅次级线圈122。主次级线圈121的端接地。云南线性射频功率放大器定制

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