本申请实施例涉及但不限于射频前端电路,尤其涉及一种射频功率放大器电路及增益控制方法。背景技术:射频前端系统中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求发射功率可调,当pa之前射频收发器的输出动态范围有限时,就要求功率放大器增益高低可调节。在广域低功耗通信的应用场景中,对射频功率放大器电路的增益可调要求变得更突出,其动态范围要达到35~40db,并出现负增益的需求模式。相关技术中通常通过反馈电路提供的负反馈来对增益进行调节,但是反馈电路只能增加或减少增益,而不能实现负增益,无法满足射频功率放大器电路的负增益需求。技术实现要素:有鉴于此,本申请实施例提供一种射频功率放大器电路及增益控制方法。本申请实施例的技术方案是这样实现的:本申请实施例提供一种射频功率放大器电路,应用于终端,包括:依次连接的可控衰减电路、输入匹配电路、驱动放大电路、级间匹配电路、功率放大电路和输出匹配电路,与所述驱动放大电路跨接的反馈电路;所述可控衰减电路,用于根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路。乙类工作状态:功率放大器在信号周期内只有半个周期存在工作电流,即导 通角0为180度.对于AM。重庆品质射频功率放大器系列
射频功率放大器的关闭状态的电阻值即射频功率放大器自身的电阻值;检测到射频功率放大器开启时,其匹配电阻生效,射频功率放大器的开启状态的电阻值即匹配电阻的电阻值。匹配电阻跟射频功率放大器可以连接,将射频功率放大器的控制端接入匹配电阻的控制端;匹配电阻跟射频功率放大器也可以不连接,直接将匹配电阻设置在射频功率放大器的内部。其中,射频功率放大器的状态对应的电阻值存储在移动终端的存储器,计算出射频功率放大器的电阻值后,可根据存储器存储的对应关系得知射频功率放大器的状态。102、计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如,预先将射频功率放大器的输出端同步连接到射频功率放大器检测模块,在移动终端进行频段切换时,通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值,从而获取此时射频功率放大器的状态。每个射频功率放大器对应连接一个射频功率放大器检测模块。其中,设置一个计算电阻r0,计算电阻r0的一端与电源电压vdd相连,计算电阻r0的另一端与射频功率放大器的一端相连,多个射频功率放大器并联,射频功率放大器的另一端与接地端相连,计算电阻r0与射频功率放大器的连接之间设置处理器。其中。广西L波段射频功率放大器联系电话射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率如何提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的。
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种射频功率放大器及通信设备。背景技术:在无线通信中,用户设备需要支持的工作频段很多。尤其是第四代蜂窝移动通信(lte)中,用户设备需要支持40多个工作频带(band)。而宽带功率放大器(poweramplifier,pa)的性能会随着工作频率变化,难以实现很宽的功率频率范围。lte工作频率一般分为低频段(lb,663mhz~915mhz),中频段(mb,1710mhz~2025mhz),高频段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射频前端也包含lb、mb、hb三个pa,每个功率放大器支持一个频段,需要三个宽带pa。尤其是lb的相对频率带宽,pa很难在整个频段内实现高线性和高效率,在设计的过程中会存在线性度和效率和折中处理,同时频段内的不同频点的性能也不同。无线通信对发射频谱的杂散有严格的要求。当pa后连接的滤波器对谐波抑制较少因此要求pa的输出谐波也较低。pa的匹配路同时要具有滤波性能。部分高集成的射频前端芯片(如2g前端模组,nbiot前端模组),要求pa的匹配滤波电路同时具有很高的谐波抑制性能,因此不需要再在pa后增加滤波器。设计一种宽带功率放大器,在功率频率范围内实现一致且良好的性能,成为宽带pa的设计的重点和难点。
被公认为是很合适的通信用半导体材料。在手机无线通信应用中,目前射频功率放大器绝大部分采用GaAs材料。在GSM通信中,国内的紫光展锐和汉天下等芯片设计企业曾凭借RFCMOS制程的高集成度和低成本的优势,打破了采用国际厂商采用传统的GaAs制程完全主导射频功放的格局。但是到了4G时代,由于Si材料存在高频损耗、噪声大和低输出功率密度等缺点,RFCMOS已经不能满足要求,手机射频功放重新回到GaAs制程完全主导的时代。与射频功放器件依赖于GaAs材料不同,90%的射频开关已经从传统的GaAs工艺转向了SOI(Silicononinsulator)工艺,射频收发机大多数也已采用RFCMOS制程,从而满足不断提高的集成度需求。5G时代,GaN材料适用于基站端。在宏基站应用中,GaN材料凭借高频、高输出功率的优势,正在逐渐取代SiLDMOS;在微基站中,未来一段时间内仍然以GaAsPA件为主,因其目前具备经市场验证的可靠性和高性价比的优势,但随着器件成本的降低和技术的提高,GaNPA有望在微基站应用在分得一杯羹;在移动终端中,因高成本和高供电电压,GaNPA短期内也无法撼动GaAsPA的统治地位。全球GaAs射频器件被国际巨头垄断。全球GaAs射频器件市场以IDM模式为主。射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率,提高输出功率和效率,是射频功率放大器设计目标的中心。
第三变压器t02、第四变压器t04和电容c16构成一个匹配网络。第三变压器t02的原边连接有电容c07,第四变压器t04的原边连接有电容c14。第三变压器t02的副边连接射频输出端rfout,第四变压器t04的副边接地。每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器。如图3所示,主体电路的激励放大器中,nmos管mn01和nmos管mn03构成一个共源共栅放大器,nmos管mn02和nmos管mn04构成一个共源共栅放大器;第二主体电路的激励放大器中,nmos管mn09和nmos管mn11构成一个共源共栅放大器,nmos管mn10和nmos管mn12构成一个共源共栅放大器。在主体电路中,激励放大器源放大器的栅极与变压器的副边连接,激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。如图3所示,nmos管mn01的栅极和nmos管mn02的栅极分别与变压器t01的副边连接,nmos管mn03的漏极连接电容c04,nmos管mn04的漏极连接电容c05。nmos管mn03的漏极和nmos管mn04的漏极为主体电路中激励放大器的输出端。在第二主体电路中,激励放大器中源放大器的栅极与第二变压器的副边连接,激励放大器栅放大器的漏极通过电容与功率放大器的输入端连接。如图3所示,nmos管mn09的栅极和nmos管mn10的栅极分别与变压器t01的副边连接。甲类工作状态:功放大器在信号周期内始终存在工作电流,即导通角0为360度。江苏品质射频功率放大器制定
射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分。重庆品质射频功率放大器系列
用于使所述可控衰减电路和所述驱动放大电路之间阻抗匹配;所述驱动放大电路,用于放大所述输入匹配电路输出的信号;所述反馈电路,用于调节所述射频功率放大器电路的增益;所述级间匹配电路,用于使所述驱动放大电路和所述功率放大电路之间阻抗匹配;所述功率放大电路,用于放大所述级间匹配电路输出的信号;所述输出匹配电路,用于使所述射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。本申请实施例提供一种增益控制方法,应用于上述的射频功率放大器电路,所述方法包括:终端中的微控制器通过通信模组接收到控制信息后,确定所述射频功率放大器电路的工作模式,并通过发送模式控制信号控制所述射频功率放大器电路进入所述工作模式;所述可控衰减电路,根据所述终端中微处理器发送的模式控制信号,实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换;所述输入匹配电路,用于使所述可控衰减电路和所述驱动放大电路之间阻抗匹配;所述驱动放大电路,用于放大所述输入匹配电路输出的信号;所述反馈电路,用于调节所述射频功率放大器电路的增益;所述级间匹配电路,用于使所述驱动放大电路和所述功率放大电路之间阻抗匹配;所述功率放大电路。重庆品质射频功率放大器系列
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