门极关断晶闸管的检测1)判别各电极：门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同，即用万用表的R×100档，找出具有二极管特性的两个电极，其中一次为低阻值(几百欧姆)，另一次阻值较大。在阻值小的那一次测量中，红表笔接的是阴极K，黑表笔接的是门极G，剩下的一只引脚即为阳极A。触发能力和关断能力的检测：可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。检测门极关断晶闸管的关断能力时，可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态，即用万用表R×1档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，测得电阻值为无穷大。再将A极与门极G短路，给G极加上正向触发信号时，晶闸管被触发导通，其A、K极间电阻值由无穷大变为低阻状态。断开A极与G极的短路点后，晶闸管维持低阻导通状态，说明其触发能力正常。再在晶闸管的门极G与阳极A之间加上反向触发信号，若此时A极与K极间电阻值由低阻值变为无穷大，则说明晶闸管的关断能力正常，图7是关断能力的检测示意图。也可以电路来检测门极关断晶闸管的触发能力和关断能力。电路中，EL为6．3V指示灯(小电珠)，S为转换开关，VT为被测晶闸管。当开关S关断时，晶闸管不导通，指示灯不亮。将开关S的K1触点接通时。 当采用远端温度检测器时，整流器/充电机应自动调节蓄电池浮充电压（一般按?5mv/只/℃）。多路可控硅经销

    正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第.一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最.后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介绍检测VMOS管的方法。无锡可控硅定做业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都十分注重对贮存时间的控制。

    也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中，vT为被测晶闸管，HL为6．3V指示灯(手电筒中的小电珠)，GB为6V电源(可使用4节1．5V干电池或6V稳压电源)，S为按钮，R为限流电阻。当按钮S未接通时，晶闸管VT处于阻断状态，指示灯HL不亮(若此时HL亮，则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下，为晶闸管VT的门极G提供触发电压)，若指示灯HL一直点亮，则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低，则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时，指示灯亮，而按钮S断开时，指示灯熄灭，则说明晶闸管已损坏，触发性能不良。2．双向晶闸管的检测(1)判别各电极：用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值，若测得某一管脚与其他两脚均不通，则此脚便是主电极T2。找出T2极之后，剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值，会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中，黑表笔接的是主电极T1，红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2，较细的引线端为门极G，较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。

    场效应管检测一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。。盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度加热控制。

    专.供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其比较高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，比较大功率才能达到30W。（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。单向可控硅、双向可控硅检测可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第.一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压。调整器具有恒电压、恒电流、恒功率三种反馈形式供用户选择。南通通用可控硅

可控硅触发板用于水泵、风机等软启动控制，调速节能控制等。多路可控硅经销

    10ms内截止输出过热保护主回路SCR温度>75℃,截止输出相序保护输入电源相序错误报警环境温度－5～+45℃湿度≤90%RH，无水珠凝结海拔高度低于1000米(超过1000米降额使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶闸管闭环技术可控硅调压器采用移相触发控制方式，输出电压、电流或功率连续可调，具有恒电压、恒电流或恒功率的特性。三相晶闸管闭环技术触发板的原理框图，其控制原理为一个典型的双闭环控制，电流环为内环，电压环为外环。现以调压器的“恒电压控制特性”来介绍其控制原理。调节过程如下：给定信号(Ug)、电压反馈信号(Uf)、电流反馈信号(If)当由于某种原因使调压器输出电压降低时(如电网电压降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→调压器输出电压U↑最.后达到Uf与Ug相互平衡，调压器输出稳定电压。。图2-1恒电压原理框图电流环作用是，在突加负载或负载电流超过限流值时，限制调压器的输出电流在额定电流范围内，确保输出和调压器正常工作。其调节过程如下：U0恒定，负载电流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→调压器输出电压U↓——If↓；同时电压环也参与调节，使调压器的输出电流被限制在额定电流范围内。多路可控硅经销

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