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单相整流可控硅模块

来源: 发布时间:2022-05-19

    主要应用如下:◇以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。◇盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度控制。◇整流变压器、电炉变压器一次侧控制。◇真空镀膜设备等◇三相力矩电动机的速度控制。◇电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。◇恒压、恒流、恒功率控制。■特点:*可用380V电源频率为50HZ/60HZ电**殊电压要求可定制。*采用移相式触发方式、适用于阻性负载、感性负载、变压器一次侧等各种负载类型。*能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。*一台仪表可以同时控制多台触发板。*具有软启动功能,减少对电网的冲击干扰,使主电路更加安全可靠。*脉冲输出对称度小于。*同步电压范围宽。恒电压反馈:电源电压波动±10%,负载阻抗变化10倍时,负荷电压保持恒定,输出电压与控制信号成线性关系恒电流反馈:电源电压波动±10%,负载阻抗变化10倍时,负荷电流保持恒定,输出电流与控制信号成线性关系恒功率反馈:电源电压波动±10%,负载阻抗变化10倍时,负荷功率保持恒定,输出功率与控制信号成线性关系■正常使用条件:*海拔不超过3000米。*工作环境温度-30℃~55℃。*空气比较大相对湿度不超过90%。为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性,可采用硅雪崩整流器。单相整流可控硅模块

    可控硅检测方法与经验可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。1.可控硅的特性。可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有***阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。双向可控硅***阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向。昆山可控硅调功在双变换UPS中,此装置既为逆变器供电,又给蓄电池充电,故称为整流器/充电机。

    其输出电压的变化是由导通角的变化来决定的。相位控制部分正是根据调整管压降的变化来改变可控硅导通角,进而改变整流滤波电路输出电压,将调整管压降维持在3V左右。该稳压电源中,采用KJ785晶闸管移相触发电路。因为作为一种电源产品,应力求在实现同样功能的前提下,器件性能好,电路简单,实现容易。该触发电路可以输出两路相差180度的触发脉冲,可在0~180度范围移相,可用于控制单相、双向晶闸管和晶体管。KJ785由同步检测寄存电路,基准电源,锯齿波形成电路,移相电压和锯齿波综合比较电路与逻辑控制功率放大等部分组成。锯齿波斜率决定于9脚外接电阻和10脚外接电容。脉冲宽度由脚外接电容决定,不接该电容时,脉冲宽度由内接电容决定,约为30μs。KJ785只需单电源工作,触发电路为负极性,即移相电压增加,导通角减小。同步电压从5脚输入,可以直接取自电网电压,降压限流电阻取电网电压×103Ω,也可采用同步变压器隔离输入。7,6脚可提供脉冲列和脉冲***的控制端。各管脚功能如表1所示。由于该稳压电源是大功率电源,有发热量较大的变压器、整流二极管、可控硅、集成稳压器等,更主要的是,调整管是大功率晶体管,发热较大。因此该稳压电源中,采用风扇送风。

    从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的。1双向可控硅工作原理与特点从理论上来讲,双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成,理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础[2-5]。单向可控硅也叫晶闸管,其组成结构图如图1-a所示,可以分割成四个硅区P、N、P、N和A、K、G三个接线极。把图一按图1-b所示切成两半,就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管。在图1-c的基础上接通电源控制电路如图2所示,当阳极-阴极(A-K)接上正向电压V后,只要栅极G接通触发电源Vg,三极管Q2就会正向导通,开通瞬间Q1只是类似于接在Q1集电极的一个负载与电源正极接通,随后Q1也在Q2的拉电流下导通,此时由于C被充电,即便断开G极的触发电源Vg,Q1和Q2在相互作用下仍能维持导通状态,只有当电源电压V变得相当小之后Q1和Q2才会再次截止。相比于单向可控硅,双向可控硅在原理上比较大的区别就是能双向导通,不再有阳极阴极之分,取而代之以T1和T2,其结构示意图如图3-a所示,如果不考虑G级的不同,把它分割成图3-b所示,可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成[1-2],如图3-c所示连接。可控硅触发板现场调试一般不需要示波器即可完成。

    稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1,所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极,光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极,光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极,NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端,电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1,单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1,变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1,变压器B1的输出端1连接电源输出端1,变压器B2的输出端2连接电源输出端2,所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1,所述单向可控硅SCR2的G极连接变压器B1的输出端2,所述单向可控硅SCR1的A极和K极分别连接电源输出端1和电源输出端2,所述单向可控硅SCR2的A极和K极分别连接电源输出端2和电源输出端1。作为推荐,所述电源输出端1和电源输出端2分别连接电容C的一端和电阻R的一端,电容C的另一端和电阻R的另一端连接。本实用新型与现有技术相比,具有以下优点和效果:单向可控硅分别通过**的光耦进行隔离,提高了单向可控硅的耐受性能,实现负载电压从零伏到电网全电压的无级可调。可控硅触发板用于单相、三相电焊机控制、电解电镀控制等。昆山可控硅调功

硅材料的禁带宽度较大,导热性能良好,适于制作大功率整流器件。单相整流可控硅模块

    焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,***不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。三.VMOS场效应管VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高.效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(μA左右),还具有耐压高(比较高1200V)、工作电流大(~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。单相整流可控硅模块

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