半导体制冷技术是目前的制冷技术中应用比较***的。农作物在温室大棚中生长中，半导体制冷技术可以对环境温度有效控制，特别是一些对环境具有很高要求的植物，采用半导体制冷技术塑造生长环境，可以促进植物的生长。半导体制冷技术具有可逆性，可以用于制冷，也可以用于制热，对环境温度的调节具有良好的效果。

    半导体制冷技术的应用原理是建立在帕尔帖原理的基础上的。1834年，法国科学家帕尔帖发现了半导体制冷作用。帕尔贴原理又被称为是”帕尔贴效益“，就是将两种不同的导体充分运用起来，使用A和B组成的电路，通入直流电，在电路的接头处可以产生焦耳热，同时还会释放出一些其它的热量，此时就会发现，另一个接头处不是在释放热量，而是在吸收热量。这种现象是可逆的，只要对电流的方向进行改变，放热和吸热的运行就可以进行调节。 努力打造行业里面的榜样。长宁区应用半导体器件

        光电探测器光电探测器的功能是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而达到检测光信号的目的。光敏电阻是**早发展的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。此外，光电二极管、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极管来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所激发的少量载流子通过接近雪崩的强场区，由于碰撞电离而数量倍增，因而得到一个较大的电信号。除了光电探测器外，还有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。

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本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。载流子：运载电荷的粒子称为载流子。导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。

设备按照终端数量可以分为二端设备、三端设备和多端设备。目前***使用的固态器件包括晶体管、场效应晶体管(FET)、晶闸管(SCR)、二极管（整流器）和发光二极管(LED)。半导体器件可以用作单独的组件，也可以用作集成多个器件的集成电路，这些器件可以在单个基板上以相同的制造工艺制造。

三端设备：

晶体管结型晶体管达林顿晶体管场效应晶体管 (FET)绝缘栅双极晶体管 (IGBT)单结晶体管光电晶体管静态感应晶体管（SI 晶体管）晶闸管（SCR）门极可关断晶闸管（GTO）双向可控硅开关集成门极换流晶闸管 (IGCT)光触发晶闸管（LTT）静态感应晶闸管（SI晶闸管）。

半导体器件行业的每一次飞跃，都离不开无锡微原电子科技的努力！

        应用策略半导体制冷技术已经广泛应用在医药领域中，工业领域中，即便是日常生活中也得以应用，所以，该技术是有非常重要的发展前景的。例如，将半导体制冷技术用于现代的各种制冷设备中，诸如冰箱、空调等等，都可以配置电子冷却器。半导体冰箱就是使用了半导体制冷技术。在具体的应用中，可以根据不同客户的需要使用，以更好地满足客户的要求。不同数量的半导体制冷芯片，在连接的过程中可以根据需要采用并联的方式或串联的方式，放置在合适的位置就可以发挥作用。二十世纪50年代，前苏联开发了一种小型模型冰箱，只有10升的容量，冰箱的体积非常小，使用便利。日本研制出一种冰箱，是专门用于储存红酒的。对于温度要严格控制，应用半导体制冷技术就可以满足冰箱的制冷要求。随着社会的不断发展，人们在追求生活质量的同时，对于制冷设备的要求也越来越高。当人们使用半导体冰箱的时候，就会发现这种冰箱比传统冰箱的耗电量更低一些，甚至可以达到20%，节能效果良好。在半导体器件的广阔天地里，无锡微原电子科技正书写着属于自己的传奇！福建大规模半导体器件

半导体器件行业的挑战与机遇并存，无锡微原电子科技勇往直前！长宁区应用半导体器件

中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：

***部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 长宁区应用半导体器件

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