集成电路的早期发展可以追溯到1949年，当时德国工程师沃纳·雅可比[4]（西门子)[5]申请了集成电路状半导体放大器的**[6]示出了公共衬底上的五个晶体管组成的三级放大器。雅可比披露了小巧便宜的助听器作为他**的典型工业应用。他的**尚未被报道而立即用于商业用途。集成电路的概念是由杰弗里·杜默(1909-2002)提出的，一名工作于英国**部皇家雷达机构的雷达科学家。杜默在公元1952年5月7日华盛顿质量电子元件进展研讨会上向公众提出了这个想法。[7]他公开举办了许多研讨会来宣传他的想法，并在1956年试图建造这样一个电路，但没有成功。| 无锡微原电子科技，提供一站式集成电路芯片服务。南京本地集成电路芯片

型号的分类：

芯片命名方式一般都是：字母+数字+字母前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。像MC开始的多半是摩托罗拉的，MAX开始的多半是美信的。中间的数字是功能型号。像MC7805和LM7805，从7805上可以看出它们的功能都是输出5V，只是厂家不一样。后面的字母多半是封装信息，要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。74系列是标准的TTL逻辑器件的通用名称，例如74LS00、74LS02等等，单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀，例如SN74LS00等。 福建集成电路芯片发展现状| 无锡微原电子科技，以客户需求为导向开发芯片技术。

外媒声音

1、日本《日经亚洲评论》8月12日文章称，中国招聘了100多名前台积电工程师以力争获得芯片（产业）**地位 。作为全世界比较大的芯片代工企业，台积电成为中国（大陆）求贤若渴的芯片项目的首要目标。高德纳咨询半导体分析师罗杰·盛（音）说：“中国芯片人才依然奇缺，因为该国正在同时开展许多大型项目。人才不足是制约半导体发展的瓶颈。  

2、华为消费者业务CEO余承东近日承认，由于美国对华为的第二轮制裁，到9月16日华为麒麟**芯片就将用光库存。在芯片危机上华为如何破局，美国CNBC网站11日分析称，华为有5个选择，但同时“所有5个选择都面临重大挑战”。 

3、德国《经济周刊》表示，以半导体行业为例，尽管中国芯片需求达到全球60％，但中国自产的只有13％。路透社称，美国对华为打压加剧，中国则力推经济内循环，力争在高科技领域不受制于人。

外形及封装不同芯片是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。几乎所有芯片制造商采用的**常见标准是DIP，即双列直插式封装。这定义了一个矩形封装，相邻引脚之间的间距为2.54毫米（0.1英寸），引脚排之间的间距为0.1英寸的倍数。因此，0.1"x0.1"间距的标准“网格”可用于在电路板上组装多个芯片并使它们保持整齐排列。随着MSI和LSI芯片的出现，包括许多早期的CPU，稍大的DIP封装能够处理多达40个引脚的更多数量，而DIP标准没有真正改变。集成电路是一种微型电子器件或部件。集成电路被放入保护性封装中，以便于处理和组装到印刷电路板上，并保护设备免受损坏。存在大量不同类型的包。某些封装类型具有标准化的尺寸和公差，并已在JEDEC和ProElectron等行业协会注册。其他类型是可能*由一两个制造商制造的专有名称。集成电路封装是测试和运送设备给客户之前的***一个组装过程。| 高性能集成电路芯片，源自无锡微原电子科技。

**早的集成电路使用陶瓷扁平封装，这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装，开始是陶瓷，之后是塑料。20世纪80年代，VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制，***导致插针网格数组和芯片载体的出现。表面贴着封装在20世纪80年代初期出现，该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距，引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）为例，比相等的DIP面积少30-50%，厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出，引脚间距为0.05英寸。| 无锡微原电子科技，用技术服务全球客户群体。南京本地集成电路芯片

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从20世纪30年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（William Shockley）认为是固态真空管的**可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在20世纪40到50年代被系统的研究。尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和比较高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。

半导体集成电路工艺，包括以下步骤，并重复使用：光刻刻蚀薄膜（化学气相沉积或物***相沉积）掺杂（热扩散或离子注入）化学机械平坦化CMP使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。 南京本地集成电路芯片

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