介绍04:54新型DUV光刻机公布，套刻精度达8纳米！与全球前列设备差多少？直接分步重复曝光系统 (DSW)  超大规模集成电路需要有高分辨率、高套刻精度和大直径晶片加工。直接分步重复曝光系统是为适应这些相互制约的要求而发展起来的光学曝光系统。主要技术特点是：①采用像面分割原理，以覆盖比较大芯片面积的单次曝光区作为**小成像单元，从而为获得高分辨率的光学系统创造条件。②采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行重复曝光，以组合方式实现大面积图像传递，从而满足晶片直径不断增大的实际要求。低速旋转（500rpm_rotation per minute）、滴胶、加速旋转（3000rpm）、甩胶、挥发溶剂。昆山本地光刻系统规格尺寸

光致抗蚀剂，简称光刻胶或抗蚀剂，指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、***密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。昆山本地光刻系统规格尺寸表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。

扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板缩小比例（4：1），曝光区域（Exposure Field）22×22mm（一次曝光所能覆盖的区域）。增加了棱镜系统的制作难度。01:13步进扫描光刻机 芯片工程师教程扫描步进投影曝光（Scanning-Stepping Project Printing）。90年代末～至今，用于≤0.18μm工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域（Exposure Field）26×33mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片表面不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机械系统的精度要求。

所有实际电子束曝光、显影后图形的边缘要往外扩展，这就是所谓的“电子束邻近效应。同时，半导体基片上如果有绝缘的介质膜，电子通过它时也会产生一定量的电荷积累，这些积累的电荷同样会排斥后续曝光的电子，产生偏移，而不导电的绝缘体（如玻璃片）肯定不能采用电子束曝光。还有空间交变磁场、实验室温度变化等都会引起电子束曝光产生“漂移”现象。因此，即使拥有2nm电子束斑的曝 光 系统，要曝光出50nm以下的图形结构也不容易。麻省理工学院（MIT）已经采用的电子束光刻技术分辨率将推进到9nm。电子束直写光刻可以不需要曝光中重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。

光刻系统SUSS是一种应用于半导体制造领域的工艺试验仪器，其比较大基片尺寸为6英寸，可实现0.5μm的分辨率和1μm的**小线宽 [1]。该系统通过精密光学曝光技术完成微电子器件的图形转移，为集成电路研发和生产提供关键工艺支持。比较大基片处理能力：支持直径6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]图形分辨率：系统的光学成像系统可实现0.5μm的分辨率 [1]线宽控制：在标准工艺条件下能够稳定实现1μm的**小线宽加工 [1]该系统采用接触式/接近式曝光原理，通过紫外光源实现掩模图形向基片光刻胶的精确转移。其精密对准机构可保证多次曝光时的套刻精度，适用于半导体器件研发阶段的工艺验证和小批量试制。EUV光刻系统的发展历经应用基础研究至量产四个阶段，其突破得益于多元主体协同创新和全产业链资源整合 [3]。吴江区本地光刻系统规格尺寸

缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。昆山本地光刻系统规格尺寸

主要流程光复印工艺的主要流程如图2：曝光方式常用的曝光方式分类如下：接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层,影响成品率和掩模版寿命,对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上的感光胶层不接触,不会引起损伤和沾污,成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产的要求。但投影曝光设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产。现代应用**广的是 1:1倍的全反射扫描曝光系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。 [2]昆山本地光刻系统规格尺寸

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