其主要成像原理是光波波长为10~14nm的极端远紫外光波经过周期性多层膜反射镜投射到反射式掩模版上,通过反射式掩模版反射出的极紫外光波再通过由多面反射镜组成的缩小投影系统,将反射式掩模版上的集成电路几何图形投影成像到硅片表面的光刻胶中,形成集成电路制造所需要的光刻图形。目 前EUV技 术 采 用 的 曝 光 波 长 为13.5nm,由于其具有如此短的波长,所有光刻中不需要再使用光学邻近效应校正(OPC)技术,因而它可以把光刻技术扩展到32nm以下技术节点。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工艺晶圆,称继续使用193nm浸没式光刻技术,并规 划 与EUV及EBL曝 光 技 术 相 配 合,使193nm浸没式光刻技术延伸到15和11nm工艺节点。 [3]无掩模激光直写系统利用激光直接在基材上成像,适用于柔性电子器件制造等领域 [5]。南通销售光刻系统按需定制
b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应,降低了分辨率。1970后适用,但是其最大分辨率*为2~4μm。c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类:南通销售光刻系统按需定制对准方法:a、预对准,通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准;
b、坚膜,以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力;c、进一步增强光刻胶与硅片表面之间的黏附性;d、进一步减少驻波效应(Standing Wave Effect)。常见问题:a、烘烤不足(Underbake)。减弱光刻胶的强度(抗刻蚀能力和离子注入中的阻挡能力);降低***填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);降低与基底的黏附能力。b、烘烤过度(Overbake)。引起光刻胶的流动,使图形精度降低,分辨率变差。另外还可以用深紫外线(DUV,Deep Ultra-Violet)坚膜。使正性光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳,增加光刻胶的热稳定性。在后面的等离子刻蚀和离子注入(125~200C)工艺中减少因光刻胶高温流动而引起分辨率的降低。
所有实际电子束曝光、显影后图形的边缘要往外扩展,这就是所谓的“电子束邻近效应。同时,半导体基片上如果有绝缘的介质膜,电子通过它时也会产生一定量的电荷积累,这些积累的电荷同样会排斥后续曝光的电子,产生偏移,而不导电的绝缘体(如玻璃片)肯定不能采用电子束曝光。还有空间交变磁场、实验室温度变化等都会引起电子束曝光产生“漂移”现象。因此,即使拥有2nm电子束斑的曝 光 系统,要曝光出50nm以下的图形结构也不容易。麻省理工学院(MIT)已经采用的电子束光刻技术分辨率将推进到9nm。电子束直写光刻可以不需要当前先进的EUV光刻系统已实现2nm制程芯片量,应用于微纳器件加工、芯片制造等领域。
01:50光刻机为什么难造?看看他的黑科技!提高光刻技术分辨率的传统方法是增大镜头的NA或缩 短 波 长,通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 缩 短 波长。早在80年代,极紫外光刻技术就已经开始理论的研究和初步的实 验,该技术 的光源是波 长 为11~14 nm的极端远紫外光,其原理主要是利用曝光光源极短的波长达到提高光刻技术分辨率的目的。由于所有的光学材料对该波长的光有强烈的吸收,所以只能采取反射式的光路。EUV系统主要由四部分组成,即反射式投影曝光系统、反射式光刻掩模版、极紫外光源系统和能用于极紫外的光刻涂层。目的:除去溶剂(4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶玷污设备;南通购买光刻系统推荐货源
接触式曝光(Contact Printing)。掩膜板直接与光刻胶层接触。南通销售光刻系统按需定制
光刻技术是现代集成电路设计上一个比较大的瓶颈。现cpu使用的45nm、32nm工艺都是由193nm液浸式光刻系统来实现的,但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的,但是如采用EUV光刻技术就会很好的解决此问题,很可能会使该领域带来一次飞跃。但是涉及到生产成本问题,由于193纳米光刻是当前能力**强且**成熟的技术,能够满足精确度和成本要求,所以其工艺的延伸性非常强,很难被取代。因而在2011年国际固态电路会议(ISSCC2011)上也提到,在光刻技术方面,22/20nm节点主要几家芯片厂商也将继续使用基于193nm液浸式光刻系统的双重成像(doublepatterning)技术。 [2]南通销售光刻系统按需定制
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