EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。根据瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），这么短的波长可以提供极高的光刻分辨率。换个角度讲，使用193i与EUV光刻机曝同一个图形，EUV的工艺的k1因子要比193i大。k1越大对应的光刻工艺就越容易；k1的极限是0.25，小于0.25的光刻工艺是不可能的。从32nm半周期节点开始（对应20nm逻辑节点），即使使用1.35NA的193nm浸没式光刻机，k1因子也小于0.25。一次曝光无法分辨32nm半周期的图形，必须使用双重光刻技术。使用0.32NA的EUV光刻，即使是11nm半周期的图形，k1仍然可以大于0.25。纳米级电子束光刻系统（如JEOL JBX-6300FS）维护需原厂或指定服务公司提供 [4]。徐州常见光刻系统批量定制

集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；***利用刻蚀技术将图形转移到基片上。昆山销售光刻系统量大从优对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；

浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以 及 有 效 数 值 孔 径NA值 的 拓 展 等 问题。针 对 这 些 难 题 挑 战，国 内 外 学 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 经 做 了 相 关 研 究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。 [1]提高光刻技术分辨率的传统方法是增大镜头的NA或缩 短 波 长，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 缩 短 波长。

半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求，在单位面积上要求完善传递图像的信息量已接近常规光学的极限。光刻曝光的常用波长是3650～4358 埃，预计实用分辨率约为1微米。几何光学的原理，允许将波长向下延伸至约2000埃的远紫外波长，此时可达到的实用分辨率约为0.5～0.7微米。微米级图形的光复印技术除要求先进的曝光系统外,对抗蚀剂的特性、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、硅片平整度、变形控制技术等也有极高的要求。因此，工艺过程的自动化和数学模型化是两个重要的研究方向。卡盘颗粒控片（Chuck Particle MC）：测试光刻机上的卡盘平坦度的芯片，其平坦度要求非常高；

两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，**终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。在狭义上，光刻工艺*指光复印工艺,即从④到⑤或从③到⑤的工艺过程电子束光刻系统（如EBL 100KV）采用高稳定性电子枪和精密偏转控制，定位分辨率达0.0012nm [2]。工业园区销售光刻系统规格尺寸

优点：涂底均匀、避免颗粒污染；b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。徐州常见光刻系统批量定制

早在80年代，极紫外光刻技术就已经开始理论的研究和初步的实 验，该技术 的光源是波 长 为11～14 nm的极端远紫外光，其原理主要是利用曝光光源极短的波长达到提高光刻技术分辨率的目的。由于所有的光学材料对该波长的光有强烈的吸收，所以只能采取反射式的光路。EUV系统主要由四部分组成，即反射式投影曝光系统、反射式光刻掩模版、极紫外光源系统和能用于极紫外的光刻涂层。其主要成像原理是光波波长为10～14nm的极端远紫外光波经过周期性多层膜反射镜投射到反射式掩模版上，通过反射式掩模版反射出的极紫外光波再通过由多面反射镜组成的缩小投影系统，将反射式掩模版上的集成电路几何图形投影成像到硅片表面的光刻胶中，形成集成电路制造所需要的光刻图形。徐州常见光刻系统批量定制

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