IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种结合了BJT（双极型三极管）与MOS（绝缘栅型场效应管）的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它不仅具备MOSFET的高输入阻抗特性，还融合了GTR的低导通压降优势。相较于GTR，IGBT的饱和压降更低，载流密度更大，同时驱动电流较小；而与MOSFET相比，其驱动功率更低，开关速度更快，导通压降也适中。正是由于IGBT综合了这两种器件的***特性，使得它在直流电压为600V及以上的变流系统中大放异彩，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路以及牵引传动等领域。库熔电子电气多功能 IGBT 模块产品介绍，突出价值？南京特殊IGBT模块

器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。多功能IGBT模块牌子库熔电子电气多功能 IGBT 模块产品介绍，吸引人不？

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