双向可控硅介绍“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它能代替两只反极性并联的可控硅，而且需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。两极双向可控硅用万用表测量好坏方法一：测量极间电阻法。将万用表置于皮R&TImes;1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R&TImes;10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大（接近∞）时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。方法二：检查触发导通能力。万用表置于R&TImes;10档：①如图，1（a）所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线将G与T1（或T2）短接一下后离开，如果表头指针发生了较大偏转并停留在一固定位置，说明双向可控硅中的一部分（其中一个单向可控硅）是好的，如图1（b）所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。上海英飞凌可控硅现货

    中文名单向可控硅外文名SCR:SiliconControlledRectifier别名可控硅整流器性质电子元件目录1结构控制2对比3引脚区分4性能检测5单向和双向可控硅的区分单向可控硅结构控制编辑单向可控硅为具有三个PN结的四层结构，由外层的P层、N层引出两个电极――阳极A和阴极K，由中间的P层引出控制极G。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引出电极――控制极或触发极G。SCR或MCR为英文缩写名称。从控制原理上可等效为一只PNP三极管和一只NPN三极管的连接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从G、K回路输入NPN管子的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通状态。控制信号UGK的作用是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制作用。单向可控硅的导通需要两个条件：1）A、K之间加正向电压；2）G、K之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。若欲使可控硅关断，也有两个关断条件：1）使正向导通电流值小于其工作维持电流值；2）使A、K之间电压反向。可见，可控硅器件若用于直流电路。上海英飞凌可控硅现货它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的。

    电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。双向可控硅结构原理图双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是T1、T2、G。尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。因该器件可以双向导通，故除门极G以外的两个电极统称为主端子，用T1、T2。表示，不再划分成阳极或阴极。其特点是，当G极和T2极相对于T1，的电压均为正时，T2是阳极，T1是阴极。反之，当G极和T2极相对于T1的电压均为负时，T1变成阳极，T2为阴极。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。相比于单向可控硅，双向可控硅在原理上大的区别就是能双向导通，不再有阳极阴极之分，取而代之以T1和T2，其结构示意图如下图2（a）所示，如果不考虑G级的不同，把它分割成图2（b）所示，可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成，如图2（c）所示连接。

    可控硅基础知识环昕微可控硅基础知识，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。4.单向可控硅介绍（1）4.单向可控硅介绍。允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

    [1]可控硅开关特点及应用编辑可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。[2]可控硅开关鉴别硅电极编辑普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结(a)，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。[3]鉴别原理鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。它只有导通和关断两种状态。上海英飞凌可控硅现货

这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。上海英飞凌可控硅现货

    阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。[3]鉴别注意事项控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。[3]若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。[3]可控硅开关封装形式品牌编辑常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。[2]可控硅的主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR等。上海英飞凌可控硅现货