本实用新型的有益效果如下：1、本实用新型通过设置底座、容纳槽、一轴承、蜗杆、转盘、第二轴承、转轴、蜗轮、圆盘、传动杆、滑杆、滑环、移动框、移动板、卡杆、igbt功率模块本体和卡槽的配合使用，解决了现有igbt功率模块的安装机构操作时繁琐，不方便使用者安装igbt功率模块的问题，该igbt功率模块的安装机构，具备方便安装的优点，节省了使用者大量的时间，提高了igbt功率模块安装的效率。2、本实用新型通过设置把手，能够便于使用者通过把手转动转盘，提高了把手的实用性，通过设置滑杆和滑环，能够增加滑环滑动的稳定性，通过设置导向杆和导向槽，能够增加移动框移动的稳定性，防止移动框移动时倾斜，通过设置橡胶垫，能够增加igbt功率模块本体与底座的摩擦力，防止igbt功率模块本体在底座的顶部非正常移动。附图说明图1为本实用新型结构示意图；图2为本实用新型图1中a处结构放大图；图3为本实用新型图1中圆盘的结构俯视图。图中：1底座、2容纳槽、3一轴承、4蜗杆、5转盘、6第二轴承、7转轴、8蜗轮、9圆盘、10传动杆、11滑杆、12滑环、13移动框、14移动板、15卡杆、16igbt功率模块本体、17卡槽、18把手、19导向杆、20导向槽、21橡胶垫。驱动电路是IPM主电路和控制电路之间的接口，良好的驱动电路设计对装置的运行效率、可靠性有重要意义。浙江常见Mitsubishi三菱IPM模块
该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上的成分为银，孔隙率小于15％，且厚度为～10μm。于本发明上述实施例中，该步骤四若未对该组合对象加压而加热烧结后，该ic芯片与该散热基板之热接口材料层90％以上的成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。附图说明图1是本发明的制备流程示意图。图2是本发明的非接触式探针配合电压量测自动回馈方式示意图。图3是本发明非接触式点胶与传统接触式点胶的比较示意图。其中：a为本发明的非接触式点胶；b为传统接触式点胶；左侧二图为二种点胶方式点胶的sem图；中间二图为以sem分别量测二种点胶方式的节点尺寸；右侧二图为以alpha-step技术量测二种点胶方式的节点尺寸图。从上述结果可得，非接触点胶确实可以转移浆料，且节点尺寸可以更小。图4是本发明经热压接合后的热界面材料层sem图。标号对照：非接触式探针点胶设备1容器11制动装置12推进活塞13活塞头131连杆132探针14传感器15散热基板2步骤s101～s104。具体实施方式请参阅图1至图4所示，分别为本发明的制备流程示意图、本发明的非接触式探针配合电压量测自动回馈方式示意图、本发明非接触式点胶与传统接触式点胶的比较示意图以及本发明经热压接合后的热接口材料层sem图。浙江常见Mitsubishi三菱IPM模块(4)短路保护(SC):若负载发生短路或控制系统故障导致短路，流过IGBT的电流值超过短路动作电流。
20-电流检测区域；201-第二发射极单元；202-第三发射极单元；30-接地区域；100-公共栅极单元；200-公共集电极单元；40-检测电阻；2-一发射极单元金属；3-空穴收集区电极金属；4-氧化物；5-多晶硅；6-n+源区；7-p阱区；8-空穴收集区；9-n型耐压漂移层；11-p+区；12-公共集电极金属；13-接触多晶硅；50-半导体功率模块；51-igbt芯片；52-驱动集成块；521-模块引线端子；522-导线；60-dcb板。具体实施方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。如图1所示，igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor，双极型三极管)和mos(metaloxidesemiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。在实际应用中，igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，金氧半场效晶体管)的高输入阻抗和gtr(gianttransistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。
并在检测电阻40上得到检测信号。因此，这种将检测电阻40通过引线直接与主工作区的源区金属相接，可以避免主工作区的工作电流接地电压对测试的影响。但是，这种方式得到的检测电流曲线与工作电流曲线并不对应，如图4所示，得到的检测电流与工作电流的比例关系不固定，在大电流时，检测电流与工作电流的偏差较大，此时，电流传感器1的灵敏性较低，从而导致检测电流的精度和敏感性比较低。针对上述问题，本发明实施例提供了igbt芯片及半导体功率模块，避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差，提高了检测电流的精度。为便于对本实施例进行理解，下面首先对本发明实施例提供的一种igbt芯片进行详细介绍。实施例一：本发明实施例提供了一种igbt芯片，图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图，如图5所示，在igbt芯片上设置有：工作区域10、电流检测区域20和接地区域30；其中，在igbt芯片上还包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相对设置；一表面上设置有工作区域10和电流检测区域20的公共栅极单元100，以及，工作区域10的一发射极单元101、电流检测区域20的第二发射极单元201和第三发射极单元202，其中，第三发射极单元202与一发射极单元101连接。IPM内置的驱动和保护电路使系统硬件电路简单、可靠，缩短了系统开发时间。
本发明有关于一种高功率模块的制备方法，尤指一种含有两种不同尺寸的银粒子的银基奈米浆料，特别是指搭配全新非接触式探针点胶技术进行涂布而可避免破坏基板，并经热压烧结后形成的热接口材料。背景技术：：近年环保意识抬头，无铅电子封装材料将为未来环保趋势，故目前商用的硅基高功率模块的热接口材料(thermalinterfacematerials,tim)主要是以锡银铜(sn-ag-cu)合金为封装材料。然而，次世代高功率模块将以碳化硅(sic)与氮化镓(gan)为主要材料，且工作温度高于150℃。在此高温下，锡银铜合金容易形成易脆裂的介金属化合物。而高功率模块在长时间的热循环下所累积的剪应力将会导致此介金属化合物的破裂，进而使得模块因散热不良而失效。参考数百笔后，统整现有技术如下：1.作为焊接用途：为减少铅、镉等危害物质的用量，发明一种无铅焊料合金，以锌(zn)作为主成份及铝(al)作为合金金属制成，并将其用于机械连接或电子应用中。简言之，包含锌作为主成分及铝作为合金金属的无铅共晶焊料合金。2.用于太阳能及接合：制作焊接合用层合体，由金属奈米粒子烧结体层(含有平均粒径为1μm～100nm的银奈米粒子)、黏结剂层、含有金属氧化物粒子的障壁层、及金锡。智能功率模块(IPM)是Intelligent Power Module的缩写。浙江常见Mitsubishi三菱IPM模块
此时间内IPM会门极驱动，关断IPM;故障输出信号持续时间结束后，IPM内部自动复位，门极驱动通道开放。浙江常见Mitsubishi三菱IPM模块
限定有“一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括一和第二特征直接接触，也可以包括一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括一特征在第二特征正上方和斜上方，或表示一特征水平高度高于第二特征。一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括一特征在第二特征正下方和斜下方，或表示一特征水平高度小于第二特征。在本说明书的描述中。浙江常见Mitsubishi三菱IPM模块