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本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种沟槽栅igbt。背景技术：igbt随着结构设计和工艺技术的升级，主流产品已经从平面栅极(如图1所示)升级成沟槽栅极(如图2所示)，现有技术中沟槽栅结构的制作方法如图3所示，先在半导体衬底上光刻出沟槽，接着在该沟槽内沉积**氧化层23(图3a所示)，然后去除该**氧化层23(图3b所示)，然后继续在沟槽内沉积***氧化层21(图3c所示)，接着沉积多晶硅层1(图3d所示)，接着去除表面多余的多晶硅层1(图3e所示)，沟槽栅结构虽然相比平面栅结构电流密度大幅度提升，但由于沟槽栅结构带来的结电容的大幅度上升，造成目前的沟槽栅igbt不能广泛应用于高频场景。技术实现要素：本实用新型为解决现有技术中沟槽栅igbt结电容较大的问题，提供了一种新的沟槽栅igbt结构。本实用新型采用的技术方案如下：一种沟槽栅igbt，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面内设置两个沟槽栅结构；两个沟槽栅结构，两个所述沟槽栅结构对称，沟槽内设置有多晶硅层和包围所述多晶硅层的氧化层，所述氧化层包括***氧化层和第二氧化层，所述***氧化层设置在沟道区，所述第二氧化层设置在非沟道区，所述第二氧化层的厚度大于所述***氧化层的厚度。进一步地。随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
大中小烧IGBT或保险丝的维修程序2010-03-28流水淙淙展开全文一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序电流保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。1．目视电流保险丝是否烧断2．检测IGBT是否...一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。这样付出的代价就大了。1．检查保险丝是否烧断2．检测IGBT是否击穿：用万用表二极管档测量IGBT的“E”；“C”；“G”三极间是否击穿短路。A：“E”极与“G”极；“C”极与“G”极，正反测试均不导通(正常)。B：万用表红笔接”E“极，黑笔接“C”极有电压降（型号为GT40T101三极全不通）。3．测量互感器是否断脚，正常状态如下：用万用表电阻档测量互感器次级电阻约80Ω；初极为0Ω。4．整流桥是否正常（用万用表二极管档测试）：A：数字万用表红笔接“-”，黑笔接“+”有，调反无显示。B：万用表红笔接“-”，黑笔分别接两个输入端均有，调反无显示。C：万用表黑笔接“+”，红笔分别接两个输入端均有，调反无显示。5．检查电容C301；C302；C303。新能源汽车上用的IGBT?？椋突б驝TI值大于250V左右.天津品质?？楸郾?/p>
IGBT?？槭怯刹煌牟牧喜愎钩桑缃鹗?，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在?？槟诓坑美锤纳迫刃阅艿墓杞?。贵州模块诚信合作
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