线路压降比平...发表于2017-08-0111:49?8060次阅读机器人要如何实现辨别不同物体?以看到KIR9008C对黑色材质的识别距离为20mm,而对白色材质的识别距离为70mm,这是因为白色...发表于2017-07-0409:38?383次阅读怎样使用光耦做一个压控的电位器光电FET可以用作一只可变电阻,或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有...发表于2017-06-3009:20?692次阅读电位器在不同条件下该如何选用?电位器变得更小、更简易、更精确,它的发展趋向小型化,高功效,***,低损耗更新。随着现代电子设备的应...发表于2017-06-3008:56?285次阅读青铜剑科技IGBT驱动方案亮相英飞凌汽车电子季度...青铜剑科技与英飞凌深度合作,联合开发了多款功能强大、高可靠性的汽车级IGBT驱动,分别是基于英飞凌H...发表于2017-06-1611:58?482次阅读电感绕线该怎样设计,超前电流、电压有什么区别?为了达到上述目的,在此电路中使用了2个反射光学传感器。一个用作计数,另一个用来决定计数方向-往上...发表于2017-06-1509:21?457次阅读电阻抗有何意义?气敏电阻的应用及其工作原理以SnO2气敏元件为例,它是由**而成,这种晶体是作为N型半导体而工作的。可以控制电机、变频器、变压器、电源、电抗器等电力电子设备。替换模块代理商
光耦u3_out输出高电平,经过d6和v6后故障信号fault_p为低电平,对驱动信号进行***。上管信号的逻辑关系是:其中v1_out是v1与非门的输出信号,u2_out是光耦u2的输出信号(上图对应u2的7脚)死区逻辑说明:当模态2过渡到模态3时,中间至少要延时td互锁逻辑说明:当pwm_h和pwm_l同时为高电平时,u2输出信号为低电平,即避免了因emc电磁干扰等因素导致igbt模块上下管直通短路的情况,提高了原边电路的抗干扰能力,有效地保护了igbt模块。故障状态时,pwm_h和pwm_l是任意电平,驱动输出信号drv_h为低电平,及时关断igbt模块;下管信号的逻辑关系是:其中v3_out是v3与非门的输出信号,u4_out是光耦u4的输出信号(上图对应u4的7脚)死区逻辑说明:当模态2过渡到模态3时,中间至少要延时td互锁逻辑说明:当pwm_h和pwm_l同时为高电平时,u4输出信号为低电平,即避免了因emc电磁干扰等因素导致igbt模块上下管直通短路的情况,提高了原边电路的抗干扰能力,有效地保护了igbt模块。故障状态时,pwm_h和pwm_l是任意电平,驱动输出信号drv_l为低电平,及时关断igbt模块。对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节。微型模块批发价格聚苯硫醚PPS是一种白色、坚硬的聚合物类,具有良好化学结晶度的特种热塑性工程塑料.
更好的电气性能新的机械设计也改善了电气性能。事实上,***降低的热阻允许更高的输出电流。得益于角形栅极可控硅的使用,新的芯片具有更大的有效表面积,可以流过更多的电流。由于这些变化,在与当前模块具有同样有效芯片面积的情况***过芯片的输出电流大约多了10%以上。衡量可控硅模块可靠性的另一个重要参数是浪涌电流。该值显示了二极管/可控硅的稳健性,指的是故障条件下二极管/可控硅能够经受的住而无损伤的单一正弦半波通态电流脉冲,该脉冲持续10或(50或60Hz),这种情况在二极管/可控硅的使用寿命期间应该发生的很少[4]。认证所有赛米控的模块都要经历质量审批测试程序。测试的目的是在各种不同的测试条件下确定设计的极限,以评价生产过程的一致性,并对提出的工艺和设计的改变对可靠性的影响进行评估。为此,定义了标准测试和条件。测试本身主要集中于芯片和封装[5]。所有产品都经**批准认可,如UL(UnderwritersLaboratories保险商实验室)。应用领域SEMIPACK产品可被用作为整流直流电源、交流电机控制和驱动的软起动器,或者用在电池充电器及焊接设备中。结论多亏了第六代SEMIPACK中新的层概念,模块更加可靠。不用说,更低的热阻,改善了的电气性能。
死区电路的作用是:实现上下管驱动信号有一定的时间间隔td,例如上管驱动信号关闭后,需要等待td延时后才能开通下管驱动信号;互锁电路的作用是:上下管驱动信号不能同时为有效,避免产生上下管驱动直通信号;保护电路的作用是:当副边出现故障信号是,保护电路能够同时关闭上下管驱动信号。15v电源输入滤波电路的作用是:对输入15v电源进行滤波,维持15v电源的稳定并且降低emc干扰。dc/dc电路的的作用是:15v电源高频脉宽调制dc/dc。隔离电路包括:驱动光耦、反馈光耦和隔离变压器。驱动光耦的作用是:传递原边驱动信号给副边电路,电气隔离原边低压侧和副边高压侧。反馈光耦的作用是:传递副边故障信号给原边电路,电气隔离原边低压侧和副边高压侧。隔离变压器的作用是:输出上下管驱动电源,电气隔离原边低压侧和副边高压侧。副边电路包括:±15v电源、驱动电路、vce-sat检测电路。±15v电源的作用是:输出igbt模块所推荐的驱动电源。驱动电路的作用是:副边驱动信号放大,推挽输出。vce-sat检测电路的作用是:检测igbt模块退饱和或过流信号,故障信号反馈给原边。vce-sat检测电路分别连接igbt模块、驱动电路和光耦隔离电路。IGBT是能源变换与传输的**器件,俗称电力电子装置的“CPU”。
本实用新型涉及驱动电路技术领域,具体是风电变流器的igbt驱动电路。背景技术:风电变流器系统电压690v,一般采用1700v的igbt模块,大功率igbt模块开关速度快,产生很高的di/dt和du/dt,带来emc电磁干扰问题,影响变流器的可靠运行,甚至损坏igbt模块,为了提高抗干扰能力,有以下两种解决方案:1)、采用光纤传递控制信号,控制电路弱信号与igbt模块的强信号实现电气完全隔离,抗干扰能力强,可靠性高,但是光纤成本昂贵;2)、通常采用**的驱动器和驱动芯片,例如风电**驱动器2sd300,采用专业的调制与解调芯片,通过脉冲变压器传递驱动信号,抗干扰能力强,可靠性高,大量应用于风电变流器领域。以上两种方案虽然解决了风电变流器emc抗干扰问题,但是成本相对较高,较为经济的解决方案是采用光耦来实现电气隔离,但是光耦的原边一般采用低压电路(15v或者5v),容易受干扰。另外,大功率igbt模块在运行过程中产生高的di/dt和du/dt,会导致igbt模块上下管门极误触发,导致igbt模块上下管直通,产生短路电流,如果不及时保护就会导致igbt模块损坏,严重影响变流器正常运行。技术实现要素:本实用新型的目的在于提供风电变流器的igbt驱动电路。IGBT既可以帮助空调、洗衣机实现较小的导通损耗和开关损耗,实现节能减排。陕西本地模块
IGBT模块是由不同的材料层构成,如金属,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用硅胶。替换模块代理商
所述***氧化层厚度为1000-1200a。进一步地,所述第二氧化层厚度为3000-5000a。进一步地,两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区,所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反。进一步地,在所述***掺杂区的内表面设置两个第二掺杂区,所述第二掺杂区的掺杂类型与***掺杂区的掺杂类型相反,两个所述第二掺杂区分别设置在靠近两个所述沟槽栅结构的一侧,所述***掺杂区和所述第二掺杂区与发射极金属接触。进一步地,所述半导体的底部还设置有缓冲层和集电极,所述集电极设置在比较低层。与现有技术相比,本实用新型的有益效果:本实用新型提供的沟槽栅igbt通过在沟槽内设置两种厚度氧化层,两种厚度氧化层分别为***氧化层和第二氧化层,该第二氧化层厚度大于***氧化层厚度,因为结电容与氧化层的厚度成反比,因此增加氧化层的厚度会降低器件的结电容大小,从而解决了现有技术中沟槽栅igbt结电容大的问题,从而提高了本实用新型的开关特性,使得本实用新型可应用于高频场景。附图说明图1为现有技术中平面栅igbt的示意图;图2为现有技术中沟槽栅igbt的示意图;图3为现有技术中沟槽栅结构制作方法的流程图;图4为本实用新型实施例提供的沟槽栅igbt的示意图。替换模块代理商
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