即检测输入端或直流端的总电流，当此电流超过设定值后比较器翻转，***所有IGBT输入驱动脉冲，使输出电流降为零。这种过载过流保护，一旦动作后,要通过复位才能恢复正常工作。IGBT能够承受很短时间的短路电流，能够承受短路电流的时间与该IGBT的饱和导通压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的IGBT允许的短路时间小于5μS，而饱和压降为3V的IGBT的允许短路时间可达15μS，4～5V时可达到30μS以上。存在以上的关系是由于随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方增大，造成承受短路时间迅速减小。通常采取的保护措施有软关断和降栅压两种。软关断是指在过流和短路时，直接关断IGBT。但是，软关断抗干扰能力差，一旦检测到过流信号就关断，很容易发生误动作。为增加保护电路的抗干扰能力，可在故障信号和保护动作之间加一延时，不过故障电流会在这个延时时间内急剧上升，**增加了故障损耗，同时还会导致器件的di/dt过大。所以往往是保护电路启动了，器件依然损坏了。降栅压旨在检测到器件过流时，马上降低栅压，但器件仍维持导通。降栅压后，设有固定延时，故障电流在这一段时间内被限制在一个较小的值。外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零。吉林模块代理价钱

1.2正向特性1）外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏，锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。3）二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。河南模块检测并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，构成了晶体二极管，如下图所示。

    RC吸收电路因电容C的充电电流在电阻R上产生压降，还会造成过冲电压，.RCD电路因用二极管旁路了电阻上的充电电流，从而克服了过冲电压。放电阻止型缓冲电路中吸收电容C的放电电压为电源电压，每次关断前C*将上次关断电压的过冲部分能量回馈到电源，减小了吸收电路的功耗。因电容电压在IGBT关断时从电源电压开始上升，它的过电压吸收能力不如RCD型充放电型。从吸收过电压的能力来说，放电阻止型效果稍差，但能量消耗较小。对缓冲吸收电路的要求是：⑴尽量减小主电路的布线电感L；⑵吸收电容应采用低感或无感吸收电容，它的引线应尽量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二极管应采用快开通和快软恢复二极管，以免产生开通过电压，和反向恢复引起较大的振荡过电压。，得出了设计时应注意的几点事项：⑴IGBT由于集电极-栅极的寄生电容的密勒效应的影响，能引起意外的电压尖峰损害，所以设计时应让栅极的阻抗足够低，以尽量消除其负面影响；⑵栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大的影响，所以设计时要综合考虑；⑶应采用慢降栅压技术来控制故障电流的下降速率，从而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，达到短路保护的目的。

西门康IGBT正是作为顺应这种要求而开发的，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十KHz频率范围内。基于这些优异的特性，西门康IGBT一直***使用在超过300V电压的应用中，模块化的西门康IGBT可以满足更高的电流传导要求，其应用领域不断提高，今后将有更大的发展。该器件还适用于通用线电压整流器应用，如电源和标准驱动。

在西门康IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点;但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。二极管由管芯、管壳和两个电极构成。管芯是一个PN结。节能模块厂家供应

电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦，高至数兆瓦。吉林模块代理价钱

    Le是射极回路漏电感，用电感L1与二极管VD并联作为负载。图2IGBT开通波形IGBT开通波形见图2b。T0时刻，IGBT处于关断状态，栅极驱动电压开始上升，Uge的上升斜率上要由Rg和Cgc决定，上升较快。到t1时刻。Uge达到栅极门槛值(约4~5V)，集电极电流开始上升。导致Uge波形偏离原有轨迹的因素主要有两个：一是发射极电路中分布电感Le的负反馈作用；二是栅极-集电极电容Cgc的密勒效应。t2时刻，Ic达到比较大值，集射极电压Uce下降，同时Cgc放电，驱动电路电流增大，使得Rg和R上分压加大，也造成Uge下降。直到t3时刻，Uce降为0，Ic达到稳态值，Uge才以较快的上升率达到比较大值。IGBT关断波形如图2c所示。T0时刻栅极驱动电压开始下降，到t1时刻达到刚能维持Ic的水下，lGBT进入线性工作区，Uce开始上升，对Cgc、Cge充电，由于对两个寄生电容的耦合充电作用，使得在t1~t2期间，Uge基本不变。在t3时刻，Uce上升结束，Uge和Ic以栅极-发射极间固有阻抗下降为0。通过以上分析可知，对IGBT开通关断过程影响较大的因素是驱动电路的阻杭、Le和Cge。因此在设计驱动电路的时候，应选择Cgc较小的IGBT，并通过合理布线、选择合理电阻等方法改善开通与关断的过程。，四路驱动电路完全相同。吉林模块代理价钱

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