可通过连接桥板的变形来释放所受到的应力，加之主电极也为折弯的条板，主电极的一侧固定连接在连接桥板上，使主电极也能释放机械应力和热应力，因此可通过连接桥板以及主电极降低二极管芯片的机械应力和热应力，有效地降低了二极管在长期工作中因机械震动以及发热所产生的机械应力和热应力。2、本实用新型由于在壳体的顶部设有用于紧固件定位用的定位凹槽，而覆在壳体顶部的主电极上设有过孔并与壳体上的定位凹槽对应，由于螺钉安装时的力矩方向为水平方向，因此在模块装配及电极装配的过程中，主电极不再受外部机械应力的影响，故二极管芯片没有机械应力的作用，在工作运行时也不会受到机械应力的影响，提高了二极管工作可靠性。3、本实用新型通过软弹性胶对下过渡层、二极管芯片、上过渡层、连接桥板、绝缘体以及主电极灌注密封，因此二极管芯片能通过软弹性胶进行保护，不仅使连接桥板和主电极能释放因振动而产生的机械应力以及工作中所产生的热应力，而且通过软弹性胶使热应力不会作用于二极管芯片上，因此二极管工作可靠性得到很大提高。以下结合附图对本实用新型的实施例作进一步的详细描述。图1是已有非绝缘双塔型二极管模块的结构示意图。硅片加工工艺：外延生长技术、区熔硅单晶。广东模块电源

1.2正向特性1）外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏，锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。3）二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。哪些是模块商家收集器区域（或注入区域）和 N 漂移区域之间的连接点是 J2。

    不要做让模块电极的端子承受过大应力。2）IGBT模块的散热器应根据使用条件和环境及IGBT模块参数进行匹配选择，以保证GBT模块工作时对散热器的要求。为了减少接触热阻，推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。3）IGBT模块安装到散热片上时，要先在模块的反面涂上散热绝缘混合剂（导热膏），再用推荐的夹紧力距充分旋紧。另外，散热片上安装螺丝的位置之间的平坦度应控制在100μm以下，表面粗糙度应控制在10μm以下。散热器表面如有凹陷，会导致接触热阻（Rth（c—f）的增加。另外，散热器表面的平面度在上述范围以外时，IGBT模块安装时（夹紧时）会给IGBT模块内部的芯片与位于金属基板间的绝缘基板增加应力，有可能产生绝缘破坏。4）IGBT模块底板为铜板的模块，在散热器与IGBT模块均匀受力后，从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为**佳。IGBT模块底板为DBC基板的模块，散热器表面必须平整、光洁，采用丝网印刷或圆滚滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后，使两者均匀压接。IGBT模块直接固定在散热器上时，每个螺钉需按说明书中给出的力矩旋紧，螺钉一定要受力均匀，力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。两点安装紧固螺丝时。

    200～1500V一次短路电流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge栅极电压10～30V10～+30V±1%±10～30V本测试单元包括动态参数测试组成部分，主要组成材料及其要求如下所示。动态参数测试部分主要材料清单表格12动态参数测试部分组成序号组成部分单位数量1可调充电电源套12直流电容器个83动态测试负载电感套14安全工作区测试负载电感套15补充充电回路限流电感L个16短路保护放电回路套17正常放电回路套18高压大功率开关个59尖峰抑制电容个110主回路正向导通晶闸管个211动态测试续流二极管个212安全工作区测试续流二极管个313被测器件旁路开关个114工控机及操作系统套115数据采集与处理单元套116机柜及其面板套117压接夹具及其配套系统套118加热装置套119其他辅件套1动态参数测试单元技术要求环境条件1)海拔高度：海拔不超过1000m；2)温度：储存环境温度-20℃～60℃；3)工作环境温度：-5℃～40℃；4)湿度：20%RH至90%RH(无凝露，湿球温度计温度:40℃以下)；5)震动：抗地震能力按7级设防，地面抗震动能力≤；6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；1）可调充电电压源用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。

    三、根据开关频率选择不同的IGBT系列IGBT的损耗主要由通态损态和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降VCE(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间（ton，toff）又是一对矛盾，因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。在低频如fk<10KHz时，通态损耗是主要的，这就需要选择低饱和压降型IGBT系列。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飞凌后缀为“KT3”系列饱和压降与“KE3”系列饱和压降相近，“KT3”比“KE3”开关损耗降低20％左右，因而“KT3”将更有优势。“KT3”由于开关速度更快，对吸收与布线要求更高。若开关频率在10KHz－15KHz之间，请使用英飞凌后缀为“DN2”和“KT3”的IGBT模块，今后对于fk≤15KHz的应用场合，建议客户逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。当开关频率fk≥15KHz时，开关损耗是主要的，通态损耗占的比例比较小。比较好选择英飞凌短拖尾电流“KS4”高频系列。当然对于fk在15KHz－20KHz之间时，“DN2”系列也是比较好的选择。英飞凌“KS4”高频系列，硬开关工作频率可达40KHz；若是软开关，可工作在150KHz左右。IGBT在高频下工作时。单管封装的IGBT的最大电流在100A左右，IGBT模块的比较大额定电流可以达到3600A。吉林节能模块

集电极和发射极是导通端子，栅极是控制开关操作的控制端子。广东模块电源

1.3反向特性1）二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时*有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。2）当反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。广东模块电源

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