IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。IGBT模块连接图IGBT模块的安装：为了使接触热阻变小，推荐在散热器与IGBT模块的安装面之间涂敷散热绝缘混合剂。涂敷散热绝缘混合剂时，在散热器或IGBT模块的金属基板面上涂敷。如图1所示。随着IGBT模块与散热器通过螺钉夹紧，散热绝缘混合剂就散开，使IGBT模块与散热器均一接触。上图：两点安装型模块下图：一点安装型模块图1散热绝缘混合剂的涂敷方法涂敷同等厚度的导热膏（特别是涂敷厚度较厚的情况下）可使无铜底板的模块比有铜底板散热的模块的发热更严重，**终引至模块的结温超出模块的安全工作的结温上限（Tj《125℃或125℃）。因为散热器表面不平整所引起的导热膏的厚度增加，会增大接触热阻，从而减慢热量的扩散速度。IGBT模块安装时，螺钉的夹紧方法如图2所示。另外。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。黑龙江模块工业化

IGBT模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？答：当PWM波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用的。我在说明变频器逆变原理的时候，用的一个电阻做负载。电阻做负载，它上面的电流随着电压有通断而通断，上图所示的原理没有问题。但变频器实际是要驱动电机的，接在电机的定子上面，定子是一组线圈绕成的，就是“电感”。电感有一个特点：它的内部的电流不能进行突变。所以当采用PWM波输出电压波形时，加在电机上的电压就是“断断续续”的，这样电机内的电流就会“断断续续”的，这就给电机带来严重的后果：由于电感断流时，会产生反电动势，这个电动势加在IGBT上面，对IGBT会有损害。解决的办法：在IGBT的CE极上并联“续流二极管”。有了这个续流二极管，电机的电流就是连续的。具体怎么工作的呢？如下图，负载上换成了一个电感L。当1/4开通时，电感上会有电流流过。然后PWM波控制1/4关断，这样上图中标箭头的这个电路中就没有电流流过。由于电感L接在电路中，电感的特性，电流不能突然中断，所以电感中此时还有电流流过，同时因为电路上电流中断了，导致它会产生一个反电动势，这个反电动势将通过3的续流二极管加到正极上，由于正极前面有滤波电容。哪里有模块工业化IGBT 主要用于放大器，用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。

    ***个和第二个依次紧固额定力矩的1/3，然后反复多次使其达到额定力矩，四点安装和两点安装类似。紧固螺丝时，依次对角紧固1/3额定力矩，然后反复多次使其达到额定力矩。5）散热器表面要平整清洁，要求平面度≤150μm，表面光洁度≤6μm，在界面要涂传热导电膏，涂层要均匀，厚度约150μm。6）使用带纹路的散热器时，IGBT模块长的方向顺着散热器的纹路，以减少散热器的变形。两只模块在一个散热器上安装时，短的方向并排摆放，中间留出足够的距离，主要是使风机散热时减少热量叠加，容易散热，**大限度发挥散热器的效率。GA系列IGBT单开关型模块的内部接线图IGBT驱动电路下图为M57962L驱动器的内部结构框图，采用光耦实现电气隔离，光耦是快速型的，适合高频开关运行，光耦的原边已串联限流电阻（约185Ω），可将5V的电压直接加到输入侧。它采用双电源驱动结构，内部集成有2500V高隔离电压的光耦合器和过电流保护电路、过电流保护输出信号端子和与TTL电平相兼容的输入接口，驱动电信号延迟**大为。当单独用M57962L来驱动IGBT时。有三点是应该考虑的。首先。驱动器的**大电流变化率应设置在**小的RG电阻的限制范围内，因为对许多IGBT来讲，使用的RG偏大时，会增大td（on）。

    其中CGE是栅极-发射极电容、CCE是集电极-发射极电容、CGC是栅极-集电极电容或称米勒电容（MillerCapacitor）。门极输入电容Cies由CGE和CGC来表示，它是计算IGBT驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies的值，在实际电路应用中不是一个特别有用的参数，因为它是通过电桥测得的，在测量电路中，加在集电极上C的电压一般只有25V(有些厂家为10V)，在这种测量条件下，所测得的结电容要比VCE=600V时要大一些(如图2)。由于门极的测量电压太低(VGE=0V)而不是门极的门槛电压，在实际开关中存在的米勒效应（Miller效应）在测量中也没有被包括在内，在实际使用中的门极电容Cin值要比IGBT数据手册中给出的电容Cies值大很多。因此，在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中**只能作为一个参考值使用。赞赏共11人赞赏本站是提供个人知识管理的网络存储空间，所有内容均由用户发布，不**本站观点。如发现有害或侵权内容，请点击这里或拨打24小时举报电话：与我们联系。转藏到我的图书馆献花（0）+1分享：微信QQ空间QQ好友新浪微博推荐给朋友来自：王利刚QWE>。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

这个反电动势可以对电容进行充电。这样，正极的电压也不会上升。如下图：坦白说，上面的这个解释节我写得不是很有信心，我希望有高人出来指点一下。欢迎朋友在评论中留言。我会在后面写《变频器的输出电流》一节中，通过实际的电流照片，验证这个二极管的作用。现在来解释在《变频器整流部分元件》中说，在《电流整流的方式分类》中讲的“也可以用IGBT进行整流”有问题的。IGBT,通常就是一个元件，它不带续流二极管。即是这个符号：商用IGBT模块，都是将“IGBT+续流二极管”集成在一个整体部件中，即下面的这个符号。在工厂中，我们称这个整体部件叫IGBT，不会说“IGBT模块”。我们可以用“IGBT模块”搭接一个桥式整流电路，利用它的续流二极管实现整流。这样，我们说：IGBT也可以进行整流，也没有错。但它的实质，还是用的二极管实现了整流。既然是用了“IGBT模块”上的“续流二极管”整流，为什么不直接用“二极管”呢？答案是：这一种设计是利用“IGBT”的通断来治理变频器工作时产生的“谐波”，这个原理以后写文再讲。与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益。宁夏模块类型

漂移区的厚度决定了 IGBT 的电压阻断能力。黑龙江模块工业化

 对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现，只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别，降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极比较大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。IGBT模块五种不同的内部结构和电路图1.单管模块，1in1模块单管模块的内部由若干个IGBT并联，以达到所需要的电流规格，可以视为大电流规格的IGBT单管。受机械强度和热阻的限制，IGBT的管芯面积不能做得太电流规格的IGBT需要将多个管芯装配到一块金属基板上。单管模块外部标签上的等效电路如图1所示，副发射极（第二发射极）连接到栅极驱动电路，主发射极连接到主电路中。黑龙江模块工业化

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