(如BSM、FF、FZ、FP系列)三菱MitsubishiCM系列标准IGBT模块、PM系列智能IGBT东芝TOSHIBAMG系列IGBT模块、MIG系列智能IGBT西门康SEMIKRONSKM系列600V、1200V、1700VIGBT模块富士FUJI标准IGBT(1MBI、2MBI、6MBI),智能IPM(6MBP、7MBP、7MBR),、1200V各种规格IGBT单管东芝TOSHIBAGT系列900V、1500VIGBT单管仙童FairchildSGH、SGL、FGL系列600V、1200V、1500V、1700VIGBT单管富士FUJI1MBH、1MBK系列600V、1200VIGBT单管、6ED系列IGBT驱动板三菱MitsubishiIGBT驱动厚膜电路如M57962L、M57962AL、M57959西门康SEMIKRONSKYPER、SKHI系列IGBT驱动板富士FUJIEXB841、EXB840瑞士CONCEPT1GD、1HD、2SD、6SD系列IGBT驱动板美国IRIGBT驱动电路IR2110、IR21304.进口可控硅模块、二极管模块优派克EUPECTT、TZ、TD、DT、DD、DZ系列可控硅二极管模块西门康SEMIKRONSKKT、SKKH、SKKL、SKKD、SKET、SKKE系列可控硅二极管模块德国IXYSMCC、MCD、MDC可控硅模块；MDD二极管模块；MCO大电流水冷系列三社SanRexPK、PD、PE、KK系列可控硅模块。光控晶闸具有良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力。陕西模块供应商家

    ***个和第二个依次紧固额定力矩的1/3，然后反复多次使其达到额定力矩，四点安装和两点安装类似。紧固螺丝时，依次对角紧固1/3额定力矩，然后反复多次使其达到额定力矩。5）散热器表面要平整清洁，要求平面度≤150μm，表面光洁度≤6μm，在界面要涂传热导电膏，涂层要均匀，厚度约150μm。6）使用带纹路的散热器时，IGBT模块长的方向顺着散热器的纹路，以减少散热器的变形。两只模块在一个散热器上安装时，短的方向并排摆放，中间留出足够的距离，主要是使风机散热时减少热量叠加，容易散热，**大限度发挥散热器的效率。GA系列IGBT单开关型模块的内部接线图IGBT驱动电路下图为M57962L驱动器的内部结构框图，采用光耦实现电气隔离，光耦是快速型的，适合高频开关运行，光耦的原边已串联限流电阻（约185Ω），可将5V的电压直接加到输入侧。它采用双电源驱动结构，内部集成有2500V高隔离电压的光耦合器和过电流保护电路、过电流保护输出信号端子和与TTL电平相兼容的输入接口，驱动电信号延迟**大为。当单独用M57962L来驱动IGBT时。有三点是应该考虑的。首先。驱动器的**大电流变化率应设置在**小的RG电阻的限制范围内，因为对许多IGBT来讲，使用的RG偏大时，会增大td（on）。山东智能模块市价体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好。

    不要做让模块电极的端子承受过大应力。2）IGBT模块的散热器应根据使用条件和环境及IGBT模块参数进行匹配选择，以保证GBT模块工作时对散热器的要求。为了减少接触热阻，推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。3）IGBT模块安装到散热片上时，要先在模块的反面涂上散热绝缘混合剂（导热膏），再用推荐的夹紧力距充分旋紧。另外，散热片上安装螺丝的位置之间的平坦度应控制在100μm以下，表面粗糙度应控制在10μm以下。散热器表面如有凹陷，会导致接触热阻（Rth（c—f）的增加。另外，散热器表面的平面度在上述范围以外时，IGBT模块安装时（夹紧时）会给IGBT模块内部的芯片与位于金属基板间的绝缘基板增加应力，有可能产生绝缘破坏。4）IGBT模块底板为铜板的模块，在散热器与IGBT模块均匀受力后，从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为**佳。IGBT模块底板为DBC基板的模块，散热器表面必须平整、光洁，采用丝网印刷或圆滚滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后，使两者均匀压接。IGBT模块直接固定在散热器上时，每个螺钉需按说明书中给出的力矩旋紧，螺钉一定要受力均匀，力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。两点安装紧固螺丝时。

    1～1200AVge栅极电压-30V～30V-30～0V±1%±；0～+30V±1%±-30V～30VQg栅极电荷400~20000nCIg:0～50A±3%±400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5nstr、tf上升/下降时间10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；Eon、Eoff开通/关断能量1～5000mJ1～50mJ±2%±；50～200mJ±2%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ；表格5二极管反向恢复测试主要参数测试范围精度要求测试条件Vcc二极管电压50～1500V200～500V±3%±1V；500～1500V±2%±2V；200～1500VIRM反向恢复电流50～1200A50～200A±3%±1A；50～1200AQrr反向关断电荷1～20000μC50～200μC±3%±1μC；200～1000μC±3%±2μC；1000～5000μC±2%±5μC；5000～20000μC±2%±10μC；1～20000μCtrr反向恢复时间20～2000ns20~100±3%±1ns；100~500±3%±2ns；500~2000±2%±5ns；20～2000nsErec反向关断能量损失1～5000mJ1～50mJ±3%±；50～200mJ±3%±1mJ；200～1000mJ±2%±2mJ；1000～5000mJ±1%±5mJ1～5000mJ表格6IGBT短路测试主要参数测试范围精度要求测试条件Vce集射极电压150～1500V150～1000V±2%±2V；1000～3300V±1%±5V。英飞凌、 三菱、 ABB在1700V以上电压等级的工业IGBT领域占优势。

    沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Draininjector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT原理方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然***一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS（on）特性。1965年，小功率光触发晶闸管出现，为其后出现的光耦合器打下了基础。广西模块诚信合作

超快恢复二极管模块它具有频率高,超快恢复,超软和超耐固的特点。陕西模块供应商家

    l输入电压380V±10%l频率50HZ；l输出电压500～1500V可调（可多个电源组成）l输出电流10A；l电压控制精度1%l电压调整率<；l纹波电压<1%；l工作温度室温～40℃；l保护有过压、过流、短路保护功能。2）直流电容器分为支撑电容、储能电容，分别用于补偿充电和实验时的大电流放电，满足动态测试、短路电流、反偏安全工作区的测试需求。至少包含8mF的容量。l单体电容容量1mFl额定电压3300Vl脉冲电流1kAl工作温度室温～40℃l工作湿度<70%3）动态测试负载电感l电感量20μH、50μH100μH200μH500μH1000μH、2000μHl电流通过选择不同档位电感，满足0~1kA电流输出需求（10ms）l瞬态电压大于3300Vl负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。4）安全工作区测试负载电感l电感量1mH、10mH、50mH、100mHl电流通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）l瞬态电压大于10kVl负载电感配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。5）补充充电回路限流电感限制充电回路中的di/dt。l电感量100μHl电流能力6000A。陕西模块供应商家

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